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1. 发明专利

JP2015086451A 蒸発装置、成膜装置有权
标题翻译：蒸发器和薄膜沉积装置
公开(公告)号：JP2015086451A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2013227645
申请日：2013-10-31
申请人：株式会社アルバック
发明人：平岡賢介 , 倉田敬臣 , 市橋祐次 , 田中克育
IPC分类号： C23C14/24
摘要：【課題】有機材料の蒸気を生成し、その蒸気により有機薄膜を形成する成膜装置において、蒸発皿上の焦げや付着が生じない蒸発装置とその蒸発装置を用いた成膜装置の提供。【解決手段】蒸発皿23を銅で構成し、表面に平坦化膜17を形成する。蒸発皿23をキャップ21にねじ込んだ状態で、蒸発皿23と蒸発槽22との間に密着部材62を配置し、キャップ21を蒸発槽22の下端にねじ込む。蒸発槽22の内部空間である蒸発空間27には、平坦化膜17が露出されており、蒸発皿23を構成する銅や、キャップ21を構成するステンレス鋼は露出されていない。蒸発皿23が均一に加熱され、平坦化膜17の表面が平坦なので、焦げや付着が生じない。平坦化膜17はNi被膜である。加熱装置は蒸発槽22とキャップ21に誘導電流を流して加熱を行う。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在产生有机材料的蒸汽并形成有机薄膜的成膜装置中的蒸发盘上没有燃烧和粘附的蒸发器，并且使用蒸发器形成有机薄膜解决方案：蒸发盘23由铜制成，并具有形成在表面上的扁平薄膜17。当蒸发盘23拧入盖21中时，在蒸发盘23和蒸发罐22之间设置有密封材料62，并且将盖21拧入蒸发罐22的下端。平坦化膜17是暴露于作为蒸发罐22的内部空间的蒸发空间27，并且形成蒸发盘23的铜和形成盖21的不锈钢不暴露。蒸发盘23被均匀地加热并且平坦薄膜17具有平坦的表面，因此不会引起燃烧或粘附。平坦薄膜17是Ni涂层。加热装置向蒸发箱22和盖21提供感应电流以加热蒸发盘23。

2. 发明专利

JP2017171946A 薄膜形成装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017171946A
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：JP2015051304
申请日：2015-03-13
申请人：株式会社アルバック
发明人：上野充 , 倉田敬臣 , 新井真 , 清田淳也 , 齋藤一也
IPC分类号： H01L21/68 , C23C14/04
CPC分类号： C23C14/04 , C23C14/24 , C23C14/56 , H01L21/68
摘要：【課題】低コストで量産性の高い薄膜形成装置を提供する。【解決手段】成膜室11の内部にターンテーブルからなる回転装置21を配置し、アラインメント場所16上で成膜対象物5a、5bのアラインメントを行った後、回転装置21に設けられた基板ホルダ34a、34bに、マスク4a、4bとの間のアラインメントがされた成膜対象物5a、5bを配置し、回転装置21を回転させて成膜場所15上に移動させる。次いで、成膜材料の微粒子を放出させながら成膜源22を移動させ、成膜場所15上の成膜対象物5a、5bに薄膜を形成する。このとき、アラインメント場所16上に未成膜の成膜対象物5a、5bを配置し、位置合を行うことができる。従って、本薄膜形成装置10では、成膜源22と、アラインメントに要する装置とが、一台で済む。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6147163B2 蒸発装置、成膜装置有权
公开(公告)号：JP6147163B2
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：JP2013227645
申请日：2013-10-31
申请人：株式会社アルバック
发明人：平岡賢介 , 倉田敬臣 , 市橋祐次 , 田中克育
IPC分类号： C23C14/24

4. 发明专利

JP6500084B2 薄膜形成装置有权
公开(公告)号：JP6500084B2
公开(公告)日：2019-04-10
申请号：JP2017506125
申请日：2016-01-29
申请人：株式会社アルバック
发明人：上野充 , 倉田敬臣 , 新井真 , 清田淳也 , 齋藤一也
IPC分类号： C23C14/04 , H01L21/68 , H01L21/683 , C23C14/50

5. 发明专利

JP5875462B2 スパッタリング方法有权
公开(公告)号：JP5875462B2
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：JP2012115318
申请日：2012-05-21
申请人：株式会社アルバック
发明人：大谷佑介 , 新井真 , 倉田敬臣 , 佐藤重光
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/35

6. 发明专利

JP5850713B2 マグネトロンスパッタリング装置及びマグネトロンスパッタリング方法有权
标题翻译：磁控溅射装置及磁控溅射方法
公开(公告)号：JP5850713B2
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：JP2011247194
申请日：2011-11-11
申请人：株式会社アルバック
发明人：石橋哲 , 倉田敬臣 , 新井真 , 清田淳也 , 石橋暁
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/316 , C23C14/35

7. 发明专利

JP6034228B2 有機EL薄膜形成基板の製造方法有权
标题翻译：用于制造有机EL薄膜形成基板的制造方法
公开(公告)号：JP6034228B2
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：JP2013071214
申请日：2013-03-29
申请人：株式会社アルバック
发明人：深尾万里 , 上野充 , 清水美穂 , 倉田敬臣 , 村本孝紀
IPC分类号： H01L51/50 , C23C14/50 , H05B33/10

8. 发明专利

JP5921840B2 成膜方法有权
公开(公告)号：JP5921840B2
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：JP2011202401
申请日：2011-09-15
申请人：株式会社アルバック
发明人：水野太平 , 倉田敬臣 , 新井真 , 清田淳也
IPC分类号： C23C14/35 , H01L21/316 , C23C14/34

9. 发明专利

JP5794907B2 スパッタリング装置とスパッタリング方法有权
标题翻译：溅射装置和溅射法
公开(公告)号：JP5794907B2
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：JP2011282225
申请日：2011-12-22
申请人：株式会社アルバック
发明人：須田具和 , 清田淳也 , 新井真 , 倉田敬臣 , 武井応樹
IPC分类号： C23C14/34

10. 发明专利

JPWO2020144894A1 蒸着装置有权
公开(公告)号：JPWO2020144894A1
公开(公告)日：2021-02-18
申请号：JP2019035545
申请日：2019-09-10
申请人：株式会社アルバック
发明人：北沢僚也 , 倉田敬臣
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/10 , C23C14/24
摘要：【課題】蒸着材料の大きな飛散角度による影響を抑制することが可能な蒸着装置を提供する。【解決手段】本発明の一形態に係る基板保持装置は、蒸発源と、支持機構と、制限板と、チャンバとを具備する。蒸発源は、蒸着材料を収容し、蒸着材料を加熱する加熱機構を備える。支持機構は、蒸着対象物を蒸発源に対向する位置で支持する。制限板は、蒸発源と前記蒸着対象物の中点に対して蒸着対象物側に配置され、蒸着材料の飛散経路を制限する。チャンバは、蒸発源、支持機構及び制限板を収容する。

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