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1. 发明专利

JP6603934B2 シリコン基板の分析方法有权
公开(公告)号：JP6603934B2
公开(公告)日：2019-11-13
申请号：JP2018077292
申请日：2018-04-13
申请人：東芝メモリ株式会社 , 株式会社イアス
发明人：呉佳紅 , 川端克彦 , 池内満政 , 李晟在
IPC分类号： G01N27/62

2. 发明专利

JP2019184476A シリコン基板の分析方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019184476A
公开(公告)日：2019-10-24
申请号：JP2018077292
申请日：2018-04-13
申请人：東芝メモリ株式会社 , 株式会社イアス
发明人：呉佳紅 , 川端克彦 , 池内満政 , 李晟在
IPC分类号： G01N27/62
摘要：【課題】膜厚の厚い窒化膜が成膜されたシリコン基板における微量金属等の不純物を、ICP−MSにより高精度に分析可能なシリコン基板の分析方法を提供する。【解決手段】ロードポート10、基板搬送ロボット20、アライナー30、乾燥室50、気相分解チャンバー40、分析ステージ61及び基板分析用ノズル62を有する分析スキャンポート60、分析液採取手段70、誘導結合プラズマ分析する分析手段80を備えるシリコン基板用分析装置1を用いた分析方法であって、窒化膜が成膜されたシリコン基板Wを、基板分析用ノズルによりフッ化水素酸と過酸化水素水との混合液の回収液でシリコン基板表面を掃引回収し、その後回収液をシリコン基板表面に吐出して加熱乾燥し、強酸溶液又は強アルカリ溶液を吐出して加熱乾燥して、分析液によりシリコン基板表面を掃引して回収し、分析液をICP−MSで分析することを特徴とする。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2017040614A オンライン移送した分析試料の分析システム有权
标题翻译：分析样品网上转账的分析系统
公开(公告)号：JP2017040614A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015163751
申请日：2015-08-21
申请人：株式会社イアス
发明人：川端克彦 , 一之瀬達也 , 池内満政
IPC分类号： G01N21/73
CPC分类号： G01N21/68 , G01N21/714 , G01N21/73 , G01N21/85 , G01N27/62 , H01J49/105 , G01N2001/002 , G01N2001/1006 , G01N2021/8411
摘要：【課題】本発明は、分析試料をオンライン移送可能としつつ、迅速に分析結果を得ることのできる分析システムに関する。また、2以上の現場から供給される分析試料について、1台の分析装置で分析可能としつつ、ネブライザーやスプレーチャンバー等の洗浄工程を要しない分析システムを提供する。【解決手段】本発明は、2以上の試料別移送手段を備えるとともに、試料別移送手段の各試料移送経路が、誘導結合プラズマ若しくはマイクロ波プラズマを利用した分析装置からなる共通分析手段のプラズマトーチと接続しており、各試料移送経路には、メイン流路とメイクアップガス供給路とドレイン流路とを有し、プラズマトーチは、略中央に霧化した分析試料を導入する試料導入管を有し、ドレイン流路の内径は、プラズマトーチの試料導入管の入り口部分の内径と同等以上である分析システムに関する。【選択図】図2
摘要翻译：本发明公开了分析样品而网上转移，能够获得快速分析的分析系统。此外，从两个或多个位点提供的分析样品，而在一个分析装置使分析，以提供不需要分析系统中的洗涤步骤，例如雾化器和雾化室。本发明设置有两个或更多个样品由转印手段，共同分析的等离子炬装置，通过转移的样本的每个样本传输路径是指，由使用感应耦合等离子体或微波等离子体光谱仪的被连接到所述中，在每个样品转移路径，并且主流动路径和补充气体供给通道和所述排水通道，一个等离子体焰炬，一个样品导入管用于引入分析样品在大致中央雾化它具有排水通道的内径，所述内和分析系统的入口部分等同于或大于所述等离子体焰炬的样品导入管。 .The

4. 发明专利

JP2016223803A 誘導結合プラズマ又はマイクロ波プラズマ分析用の希釈システム审中-公开
标题翻译：用于微波等离子体分析电感耦合等离子体或稀释剂系统
公开(公告)号：JP2016223803A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2015107530
申请日：2015-05-27
申请人：株式会社イアス
发明人：川端克彦 , 一之瀬達也 , 池内満政
IPC分类号： G01N27/62 , G01N21/73 , G01N1/10
CPC分类号： G01N1/10 , G01N21/73 , G01N27/62
摘要：【課題】本発明は、分析試料をオンライン供給する誘導結合プラズマ又はマイクロ波プラズマ分析用の希釈システムにおいて、複数の供給源からの分析試料を1台の分析装置で分析する場合にも好適なシステムを提供する。【解決手段】本発明は、一定長さの試料定量区域(Q)及び定量用ドレイン流路(D dq )を備えた定量手段、混合手段、及び分析手段を有する希釈システムに関する。本発明の希釈システムは、微量の分析試料も正確に希釈することができる。また、複数の現場からサンプリングした分析試料を、試料同士の汚染を生じることなく、1台の分析装置で分析することも可能になる。【選択図】図1
摘要翻译：公开的是用于在用于提供感应耦合等离子体或微波等离子体分析，在一个分析仪器分析来自多个源的被分析物时适当的系统采样线的分析稀释系统提供。本发明涉及一种具有一个稀释系统的给药装置，混合装置，和分析具有预定长度（Q）和所述量确定所述排水通道（DDQ）的样品量化部分的装置。本发明的稀释系统可以分析的准确稀释微量的样品。此外，从多个部位进行采样，而不之间使样品污染的分析样品，它也能够在一个分析装置来分析。点域1

5. 发明专利

JP6160938B2 基板のエッチング装置及び基板のエッチング方法有权
公开(公告)号：JP6160938B2
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：JP2015501362
申请日：2014-01-21
申请人：株式会社イアス
发明人：川端克彦 , 林匠馬 , 池内満政 , イーソンジェ , 国香仁
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L22/12 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01L21/67069 , G01N1/32 , H01J2237/334 , H01L21/3065

6. 发明专利

JP6048552B1 オンライン移送した分析試料の分析システム有权
标题翻译：分析样品网上转账的分析系统
公开(公告)号：JP6048552B1
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：JP2015163751
申请日：2015-08-21
申请人：株式会社イアス
发明人：川端克彦 , 一之瀬達也 , 池内満政
IPC分类号： G01N21/68 , G01N27/62 , G01N21/73
CPC分类号： G01N21/68 , G01N21/714 , G01N21/73 , G01N21/85 , G01N27/62 , H01J49/105 , G01N2001/002 , G01N2001/1006 , G01N2021/8411
摘要：【課題】本発明は、分析試料をオンライン移送可能としつつ、迅速に分析結果を得ることのできる分析システムに関する。また、2以上の現場から供給される分析試料について、1台の分析装置で分析可能としつつ、ネブライザーやスプレーチャンバー等の洗浄工程を要しない分析システムを提供する。【解決手段】本発明は、2以上の試料別移送手段を備えるとともに、試料別移送手段の各試料移送経路が、誘導結合プラズマ若しくはマイクロ波プラズマを利用した分析装置からなる共通分析手段のプラズマトーチと接続しており、各試料移送経路には、メイン流路とメイクアップガス供給路とドレイン流路とを有し、プラズマトーチは、略中央に霧化した分析試料を導入する試料導入管を有し、ドレイン流路の内径は、プラズマトーチの試料導入管の入り口部分の内径と同等以上である分析システムに関する。【選択図】図2
摘要翻译：本发明公开了分析样品而网上转移，能够获得快速分析的分析系统。此外，从两个或多个位点提供的分析样品，而在一个分析装置使分析，以提供不需要分析系统中的洗涤步骤，例如雾化器和雾化室。本发明设置有两个或更多个样品由转印手段，共同分析的等离子炬装置，通过转移的样本的每个样本传输路径是指，由使用感应耦合等离子体或微波等离子体光谱仪的被连接到所述中，在每个样品转移路径，并且主流动路径和补充气体供给通道和所述排水通道，一个等离子体焰炬，一个样品导入管用于引入分析样品在大致中央雾化它具有排水通道的内径，所述内和分析系统的入口部分等同于或大于所述等离子体焰炬的样品导入管。 .The

7. 发明专利

JP2016057230A シリコン基板の分析方法有权
标题翻译：硅基材分析方法
公开(公告)号：JP2016057230A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014185412
申请日：2014-09-11
申请人：株式会社イアス
发明人：川端克彦 , 林匠馬 , 池内満政
IPC分类号： H01L21/66 , G01N1/28
CPC分类号： G01N1/28
摘要：【課題】本発明は、シリコン基板中に含まれる微量金属等の分析対象物を高感度に検出可能としつつ、基板深さ方向における分析対象物の濃度をプロファイル分析可能とする方法を提供する。【解決手段】本発明は、オゾンを含む酸素ガスを供給してシリコン基板表面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、基板分析用ノズルを用いて分析対象物を回収する回収工程と、を有し、基板分析用ノズルは2重管で構成されノズル本体と外管との間を排気経路とする排気手段を有するものとし、回収工程は基板分析用ノズルのノズル本体と外管との間を排気手段により排気しながら行い、酸化膜形成工程と回収工程と任意の乾燥工程を1サイクルとして、1回以上繰返すことにより、基板深さ方向に含まれる分析対象物を分析液に取り込むシリコン基板の分析方法に関する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够检测在硅衬底中包含的微量金属或类似金属的分析对象的方法，同时对衬底深度方向上的分析对象的浓度进行轮廓分析。解决方案：硅衬底的分析方法包括：通过提供包括臭氧的氧气在硅衬底的表面上形成氧化膜的氧化膜形成工艺和使用用于衬底分析的喷嘴回收分析对象的回收过程。用于基板分析的喷嘴由双管形成，并且包括限定作为排气路径的喷嘴主体和外部管之间的间隙的排气装置。在用于基板分析的喷嘴的喷嘴体与外部管之间排出时进行恢复处理。通过氧化膜形成过程，恢复过程和任意干法定义为一个循环，将包括在基板深度方向上的分析对象引入分析解。选择图：图2

8. 发明专利

JP5904512B1 シリコン基板の分析方法有权
标题翻译：硅衬底的分析方法
公开(公告)号：JP5904512B1
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：JP2014185412
申请日：2014-09-11
申请人：株式会社イアス
发明人：川端克彦 , 林匠馬 , 池内満政
IPC分类号： H01L21/66 , G01N1/28
CPC分类号： G01N1/28
摘要：【課題】本発明は、シリコン基板中に含まれる微量金属等の分析対象物を高感度に検出可能としつつ、基板深さ方向における分析対象物の濃度をプロファイル分析可能とする方法を提供する。【解決手段】本発明は、オゾンを含む酸素ガスを供給してシリコン基板表面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、基板分析用ノズルを用いて分析対象物を回収する回収工程と、を有し、基板分析用ノズルは2重管で構成されノズル本体と外管との間を排気経路とする排気手段を有するものとし、回収工程は基板分析用ノズルのノズル本体と外管との間を排気手段により排気しながら行い、酸化膜形成工程と回収工程と任意の乾燥工程を1サイクルとして、1回以上繰返すことにより、基板深さ方向に含まれる分析対象物を分析液に取り込むシリコン基板の分析方法に関する。【選択図】図2
摘要翻译：本发明公开了痕量金属或包含在所述硅衬底，同时使高灵敏度的检测等的分析物，它提供了一种用于分析物的在基板深度方向的浓度，以允许分布分析的方法。本发明涉及一种形成由供给含臭氧的氧气形成在硅衬底表面上的氧化膜的步骤的氧化膜，并使用喷嘴基板分析回收分析物的回收步骤，假定一个喷嘴基板分析有一个排气装置以排出路径之间的喷嘴体由双重管外管，所述喷嘴体和喷嘴基板分析的外管之间的回收步骤进行抽真空的同时排气装置，所述形成步骤回收步骤和任选的干燥步骤作为一个循环，通过重复一次或多次的氧化膜，掺入分析物在硅衬底包含在衬底深度方向在分析溶液用于分析的方法。 .The

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