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1. 发明申请

WO2006051769A1 レジストパターンの形成方法审中-公开
标题翻译：形成电阻图案的方法
公开(公告)号：WO2006051769A1
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：PCT/JP2005/020420
申请日：2005-11-08
申请人：東京応化工業株式会社 , 岩井武 , 岩下淳
发明人：岩井武 , 岩下淳
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0397
摘要：　　　このレジストパターンの形成方法は、次の（i）～（ii）の工程；（i）基板上にポジ型レジスト組成物を用いて第１のレジスト層を形成し、選択的に露光して、該第１のレジスト層に密パターンの潜像部を形成する工程；（ii）該第１のレジスト層の上にネガ型レジスト組成物を用いて第２のレジスト層を形成し、選択的に露光した後、第１のレジスト層と第２のレジスト層を同時に現像して、前記密パターンの潜像部の一部を露出させる工程；を含むレジストパターンの形成方法であって、前記ネガ型レジスト組成物として、第１のレジスト層を溶解しない有機溶剤に溶解したネガ型レジスト組成物を用いることを特徴とするレジストパターンの形成方法である。
摘要翻译：公开了一种形成抗蚀剂图案的方法，包括以下步骤（i）和（ii）：（i）其中通过使用正型抗蚀剂组合物和致密图案的潜像在基板上形成第一抗蚀剂层的步骤通过选择性曝光形成在第一抗蚀剂层中; 以及（ii）通过使用负性抗蚀剂组合物在第一抗蚀剂层上形成第二抗蚀剂层的步骤，然后在选择性曝光之后，通过使第一抗蚀剂层显影而使致密图案的一部分潜像曝光和第二抗蚀剂层。形成抗蚀剂图案的方法的特征在于，使用溶解在不溶解第一抗蚀剂层的有机溶剂中的负性抗蚀剂组合物作为负性抗蚀剂组合物。

2. 发明申请

WO2006054432A1 ネガ型レジスト組成物审中-公开
标题翻译：负极组成
公开(公告)号：WO2006054432A1
公开(公告)日：2006-05-26
申请号：PCT/JP2005/019726
申请日：2005-10-26
申请人：東京応化工業株式会社 , 岩下淳 , 岩井武
发明人：岩下淳 , 岩井武
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/26 , G03F7/038
CPC分类号： G03F7/0048 , G03F7/0035 , G03F7/0046 , G03F7/0382
摘要：　このネガ型レジスト組成物は、下記（ｉ）～（ii）の工程；（ｉ）基板上に第１のレジスト組成物を用いて第１のレジスト層を形成し、該第１のレジスト層に密パターンを形成する選択的露光を施す工程；（ii）該第１のレジスト層の上に第２のレジスト組成物を用いて第２のレジスト層を形成し、該第２のレジスト層にパターンを形成する選択的露光を施す工程；を含むレジストパターンの形成において、前記第１又は第２のレジスト層に用いられるネガ型レジスト組成物であって、当該ネガ型レジスト組成物から形成されるレジスト層と接触する前記第１又は第２のレジスト層を溶解しない有機溶剤（Ｄ）として、アルコール系有機溶剤に溶解したことを特徴とするネガ型レジスト組成物である。
摘要翻译：一种负型抗蚀剂组合物，其通过至少以下步骤形成抗蚀剂图案：（i）将第一抗蚀剂组合物的第一抗蚀剂层叠加在基材上，并对第一抗蚀剂层进行选择性曝光以形成致密图案;和）将第二抗蚀剂组合物的第二抗蚀剂层叠加在第一抗蚀剂层上并且对第二抗蚀剂层进行图案形成的选择性曝光，被用于第一或第二抗蚀剂层，该负性抗蚀剂组合物的特征在于其溶解于作为不溶解与由抗蚀剂组合物形成的抗蚀剂层接触的第一或第二抗蚀剂层的有机溶剂（D）的醇类有机溶剂。

3. 发明申请

WO2007080782A1 樹脂、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：树脂，耐蚀组合物和形成耐力图案的方法
公开(公告)号：WO2007080782A1
公开(公告)日：2007-07-19
申请号：PCT/JP2006/325897
申请日：2006-12-26
申请人：東京応化工業株式会社 , 三菱化学株式会社 , 竹下優 , 岩下淳 , 岩井武 , 大篭祐二
发明人：竹下優 , 岩下淳 , 岩井武 , 大篭祐二
IPC分类号： C08F20/28 , G03F7/004 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/28 , G03F7/0382 , Y10S430/111
摘要： A resist composition which comprises a base resin ingredient (A) and an acid generator ingredient (B) which generates an acid upon exposure to light, wherein the ingredient (A) comprises a resin (A1) having a structural unit (a0) represented by the following general formula (a-0). (a-0) (In the formula, R represents hydrogen, halogeno, lower alkyl, or lower haloalkyl; a is an integer of 0-2; b is an integer of 1-3; and c is an integer of 1 or 2; provided that a+b is an integer of 2 or larger.)
摘要翻译：一种抗蚀剂组合物，其包含在暴露于光时产生酸的基础树脂成分（A）和酸产生剂成分（B），其中所述成分（A）包含具有下述结构单元（a0）的树脂（A1）以下通式（a-0）。（a-0）（式中，R表示氢，卤代，低级烷基或低级卤代烷基; a为0-2的整数; b为1-3的整数，c为1或2的整数） ;条件是a + b为2或更大的整数。）

4. 发明申请

WO2008099725A1 高分子化合物、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：聚合物，抗蚀剂组合物及其形成方法
公开(公告)号：WO2008099725A1
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：PCT/JP2008/051907
申请日：2008-02-06
申请人：東京応化工業株式会社 , 岩下淳 , 阿部翔 , 入江真樹子 , 岩井武
发明人：岩下淳 , 阿部翔 , 入江真樹子 , 岩井武
IPC分类号： C08F20/38 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397
摘要：下記一般式（ａ０－１）で表される構成単位（ａ０）を有する高分子化合物。　　【化１】　　　・・・（ａ０－１）［式（ａ０－１）中、Ｒ１は水素原子、炭素数１～５のアルキル基または炭素数１～５のフッ素化アルキル基であり；Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ独立して水素原子、アルキル基、若しくはアルコキシ基、または結合して任意の位置に酸素原子若しくは硫黄原子を含んでもよいアルキレン基、－Ｏ－、若しくは－Ｓ－であり；Ｒ４、Ｒ５はそれぞれ独立して水素原子、任意の位置に酸素原子を含んでもよいアルキル基、任意の位置に酸素原子を含んでもよいシクロアルキル基、またはアルコキシカルボニル基を表す。］
摘要翻译：公开了具有由通式（a0-1）表示的构成单元（a0）的高分子化合物，其中R 1表示氢原子，具有1至5个碳原子的烷基或具有1至5个碳原子的氟化烷基; R 2和R 3独立地表示氢原子，烷基或烷氧基，或者一起形成可以具有氧原子或硫原子的亚烷基任何位置，-O-或-S-; R 4和R 5独立地表示氢原子，在任何位置可以具有氧原子的烷基，可以具有任何氧原子的环烷基位置或烷氧基羰基。

5. 发明申请

WO2006061975A1 レジストパターンの形成方法审中-公开
标题翻译：形成电阻图案的方法
公开(公告)号：WO2006061975A1
公开(公告)日：2006-06-15
申请号：PCT/JP2005/020949
申请日：2005-11-15
申请人：東京応化工業株式会社 , 岩井武 , 岩下淳
发明人：岩井武 , 岩下淳
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0048 , G03F7/0046 , G03F7/095 , H01L21/0274
摘要：　このレジストパターンの形成方法は、次の（i）～（ii）の工程；（i）基板上に第１のネガ型レジスト組成物を用いて第１のレジスト層を形成し、選択的に露光する工程；（ii）該第１のレジスト層の上に第２のネガ型レジスト組成物又はポジ型レジスト組成物を用いて第２のレジスト層を形成し、選択的に露光した後、第１のレジスト層と第２のレジスト層を同時に現像して、前記第１のレジスト層の未露光部の一部を露出させる工程；を含むレジストパターンの形成方法であって、前記第２のネガ型レジスト組成物又はポジ型レジスト組成物として、第１のレジスト層を溶解しない有機溶剤に溶解したものを用いることを特徴とするレジストパターンの形成方法である。
摘要翻译：形成抗蚀剂图案的方法包括以下工序（i-ii）：（i）通过使用第一负性抗蚀剂组合物并进行选择性曝光在基板上形成第一抗蚀剂层的工艺，以及（ii）通过使用负性抗蚀剂组合物在第一抗蚀剂层上形成第二抗蚀剂层的工艺，或正性抗蚀剂组合物并进行选择性曝光，然后同时显影第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层，并暴露第一抗蚀剂层的未曝光部分的一部分。形成抗蚀剂图案的方法的特征在于，使用溶解在不溶解第一抗蚀剂层的有机溶剂中的材料作为第二负性抗蚀剂组合物或正性抗蚀剂组合物。

6. 发明申请

WO2004068242A1 レジスト組成物审中-公开
标题翻译：耐腐蚀组合物
公开(公告)号：WO2004068242A1
公开(公告)日：2004-08-12
申请号：PCT/JP2004/000704
申请日：2004-01-27
申请人：東京応化工業株式会社 , 平山拓 , 羽田英夫 , 藤村悟史 , 岩井武 , 佐藤充 , 高須亮一 , 立川俊和 , 岩下淳 , 石塚啓太 , 山田知孝 , 高山寿一 , 吉田正昭
发明人：平山拓 , 羽田英夫 , 藤村悟史 , 岩井武 , 佐藤充 , 高須亮一 , 立川俊和 , 岩下淳 , 石塚啓太 , 山田知孝 , 高山寿一 , 吉田正昭
IPC分类号： G03F7/038
CPC分类号： G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：イマージョンリソグラフィ工程において使用される溶媒に対して安定であり、感度、レジストパターンプロファイル形状に優れる、レジスト組成物、及びこれらレジスト組成物を用いるレジストパターンの形成方法が提供される。所定のパラメータに該当するレジスト組成物、または酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、醗発生剤成分(B)と、有機溶剤(C)とを含み、前記(A)成分は、(a1)酸解離性溶解抑制基を有する(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位を有し、かつ(a0)(a0-1)ジカルボン酸の無水物含有構成単位及び(a0-2)フェノール性水酸基含有構成単位を有さないポジ型レジスト組成物。
摘要翻译：一种用于浸没光刻工艺中的抗蚀剂组合物，其满足特定参数; 一种正型抗蚀剂组合物，其包含具有由酸解离的溶解抑制基团并因此通过酸，产酸组分（B）和有机溶剂（B）的作用而在碱中显示增强的溶解度的树脂组分（A） C），其中（A）成分（a1）具有衍生自具有通过酸解离的溶解抑制基团的（甲基）丙烯酸酯的构成单元，（a0）不含有含有二羧酸的酸酐，不含有酚羟基的有机构成单元（a0-2）以及形成抗蚀剂图案的方法，其包括使用上述抗蚀剂组合物。抗蚀剂组合物耐浸渍光刻工艺中使用的溶剂，并且还具有优异的灵敏度和抗蚀剂图案形式。

7. 发明专利

JPWO2019146737A1 深紫外LED及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019146737A1
公开(公告)日：2021-01-07
申请号：JP2019002392
申请日：2019-01-25
申请人：丸文株式会社 , 芝浦機械株式会社 , 国立研究開発法人理化学研究所 , 株式会社アルバック , 東京応化工業株式会社 , 日本タングステン株式会社 , 大日本印刷株式会社 , DOWAホールディングス株式会社
发明人：鹿嶋行雄 , 松浦恵里子 , 小久保光典 , 田代貴晴 , 平山秀樹 , 前田哲利 , 定昌史 , 上村隆一郎 , 長田大和 , 古田寛治 , 岩井武 , 青山洋平 , 祝迫恭 , 長野丞益 , 渡邉康弘
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/10
摘要：設計波長をλとする深紫外LEDであって、反射電極層(Au)と、金属層(Ni)と、p型GaNコンタクト層と、p型AlGaN層で成るP−Block層と、AlN層で成るi−guide層と、多重量子井戸層と、n型AlGaNコンタクト層と、u型AlGaN層と、AlNテンプレートと、サファイア基板とを、前記サファイア基板とは反対側からこの順で有し、前記P−Block層の膜厚は52nm〜56nmであり、前記金属層と前記p型GaNコンタクト層の界面から、前記p型GaNコンタクト層の厚さ方向の範囲内で、かつ、前記p型GaNコンタクト層と前記P−Block層との界面を超えない位置に設けられた複数の空孔を有する反射型2次元フォトニック結晶周期構造を有し、前記空孔は、前記空孔の前記サファイア基板方向の端面から前記多重量子井戸層と前記i−guide層との界面までの距離が、垂直方向にλ/2n 1Dneff を満たし、その距離の範囲は53nm〜57nmであり、前記反射型2次元フォトニック結晶周期構造は、TE偏光成分に対して開かれるフォトニックバンドギャップを有し、前記設計波長λの光に対して前記反射型2次元フォトニック結晶周期構造の周期aがブラッグの条件を満たし、かつ、ブラッグの条件式mλ/n 2Deff =2a(但し、m:次数、λ:設計波長、n 2Deff :2次元フォトニック結晶の実効屈折率、a:2次元フォトニック結晶の周期)にある次数mは2≦m≦4を満たし、前記空孔の半径をRとした時、R/a比は0.30≦R/a≦0.40を満たすことを特徴とする深紫外LED。

8. 发明专利

JP6775236B2 水素検出用素子、水素検出用素子の製造方法および水素検出装置有权
公开(公告)号：JP6775236B2
公开(公告)日：2020-10-28
申请号：JP2019509987
申请日：2018-03-28
申请人：国立大学法人横浜国立大学 , 東京応化工業株式会社
发明人：西島喜明 , 岩井武 , 平野勲
IPC分类号： G01N21/41

9. 发明专利

JP2020107778A 深紫外LED装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020107778A
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：JP2018246710
申请日：2018-12-28
申请人：丸文株式会社 , 芝浦機械株式会社 , 国立研究開発法人理化学研究所 , 株式会社アルバック , 東京応化工業株式会社 , 日本タングステン株式会社 , 大日本印刷株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：鹿嶋行雄 , 松浦恵里子 , 小久保光典 , 田代貴晴 , 平山秀樹 , 前田哲利 , 定昌史 , 上村隆一郎 , 長田大和 , 古田寛治 , 岩井武 , 青山洋平 , 祝迫恭 , 大神裕之 , 長野丞益 , 高木秀樹 , 倉島優一 , 松前貴司
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/60 , H01L33/40 , H01L33/54 , H01L33/10
摘要：【課題】高WPE並びに高出力の深紫外LED装置には、熱による効率ドループの改善とLEEの向上が必要である。【解決手段】深紫外LED装置であって、裏面接着層、支持基板、接合層、n型配線電極、絶縁膜、p型配線電極、p型反射電極、p型GaNコンタクト層、p型AlGaN層、多重量子障壁層、多重量子井戸層、n型AlGaN層、AlNバッファー層、保護膜の順で有する素子であって、n型配線電極は、絶縁膜で被覆絶縁された貫通孔を通してn型AlGaN層部に露出されるまで延伸されており、前記p型反射電極と前記p型GaNコンタクト層の厚さ方向の範囲内で、かつ前記p型GaNコンタクト層と前記p型AlGaN層との界面を超えない位置に設けられた複数の空孔を有する反射型2次元フォトニック結晶を有した深紫外LED素子が、高反射率無機塗料コーティング膜を有した窒化アルミニウムセラミックパッケージに搭載される深紫外LED装置。【選択図】図1B

10. 发明专利

JPWO2018181492A1 水素検出用素子、水素検出用素子の製造方法および水素検出装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018181492A1
公开(公告)日：2019-11-07
申请号：JP2018012805
申请日：2018-03-28
申请人：国立大学法人横浜国立大学 , 東京応化工業株式会社
发明人：西島喜明 , 岩井武 , 平野勲
IPC分类号： G01N21/41
摘要：基材に所定の形状および大きさで水素吸蔵金属が配置され、入射した光によって誘導される表面プラズモン共鳴に基づいて水素が検出される。水素吸蔵金属は、パラジウムと貴金属とを含む膜体で形成される。水素吸蔵した水素吸蔵金属を介した光のスペクトルは、二酸化炭素の光に対する吸収スペクトルC1と、水の光に対する吸収スペクトルH1〜H3とから外れた波長帯域にピークを有する。

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