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1. 发明申请

WO2012173235A1 化合物、ラジカル重合開始剤、化合物の製造方法、重合体、レジスト組成物、レジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：化合物，自由基聚合引发剂，生产化合物的方法，聚合物，电阻组合物和形成电阻图案的方法
公开(公告)号：WO2012173235A1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：PCT/JP2012/065389
申请日：2012-06-15
申请人：東京応化工業株式会社 , 内海義之 , 太宰尚宏 , 岩下淳 , 昆野健理
发明人：内海　義之 , 太宰　尚宏 , 岩下　淳 , 昆野　健理
IPC分类号： C07C309/12 , C07C303/22 , C08F4/04 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/038 , C07C25/18 , C07C309/12 , C07C381/12 , C07C2601/14 , C07C2603/74 , C08F4/04 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397
摘要：式（Ｉ）で表される化合物［式中Ｒ１は炭素数１～１０の炭化水素基、Ｚは炭素数１～１０の炭化水素基又はシアノ基であり、Ｒ１とＺとは相互に結合して環を形成してもよい。Ｘは２価の連結基であって、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）－及び－ＮＨ－Ｃ（＝ＮＨ）－の何れかをＱと接する末端に有する。ｐは１～３の整数、Ｑは（ｐ＋１）価の炭化水素基であり、ｐが１の場合のみ、Ｑは単結合であってもよい。Ｒ２は単結合、置換基を有していてもよいアルキレン基又は置換基を有していてもよいアリーレン基、ｑは０又は１、ｒは０～８の整数、Ａ＋は金属カチオン又は有機カチオンである］。
摘要翻译：由式（I）表示的化合物[其中R1表示具有1-10个碳原子的烃基，Z表示具有1-10个碳原子的烃基或氰基，其中R1和Z可以彼此键合到形成戒指 X表示二价连接基团，并且在与Q接触的末端具有选自-O-C（= O） - ， - NH-C（= O） - 和-NH-C（= NH） p表示1-3的整数; Q表示化合价（p + 1）的烃基，只有p为1时可以为单键; R2表示单键，可以具有取代基的亚烷基或可以具有取代基的亚芳基; q表示0或1; r表示0〜8的整数。 A +代表金属阳离子或有机阳离子]。

2. 发明申请

WO2007029462A1 高分子化合物、ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：聚合物，负极性组合物和形成耐力图案的方法
公开(公告)号：WO2007029462A1
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：PCT/JP2006/316160
申请日：2006-08-17
申请人：東京応化工業株式会社 , 岩下淳 , 日下綾子
发明人：岩下淳 , 日下綾子
IPC分类号： C08F20/28 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： C08F220/28 , C08F220/26 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , Y10S430/114 , Y10S430/115 , Y10S430/128 , Y10S430/146
摘要： A polymer with which a resist pattern having excellent resolution can be formed; and a negative resist composition containing the polymer. The polymer contains a structural unit (a0) represented by the following general formula (a0-1): (a0-1) [wherein R is hydrogen, halogeno, alkyl, or haloalkyl; and R 0 is hydroxylated alkyl]. The negative resist composition comprises (A) an alkali-soluble resin ingredient, (B) an acid generator ingredient which generates an acid upon exposure to light, and (C) a crosslinking agent ingredient, wherein the alkali-soluble resin ingredient (A) comprises a polymer (A1) containing a structural unit (a0) represented by the general formula (a0-1).
摘要翻译：可以形成具有优异分辨率的抗蚀剂图案的聚合物; 和含有聚合物的负性抗蚀剂组合物。聚合物含有由以下通式（a0-1）表示的结构单元（a0）：（a0-1）[其中R是氢，卤代，烷基或卤代烷基; 和R 0是羟基化烷基]。负性抗蚀剂组合物包含（A）碱溶性树脂成分，（B）暴露于光下产生酸的酸产生剂成分和（C）交联剂成分，其中碱溶性树脂成分（A）包含含有由通式（a0-1）表示的结构单元（a0）的聚合物（A1）。

3. 发明申请

WO2006054432A1 ネガ型レジスト組成物审中-公开
标题翻译：负极组成
公开(公告)号：WO2006054432A1
公开(公告)日：2006-05-26
申请号：PCT/JP2005/019726
申请日：2005-10-26
申请人：東京応化工業株式会社 , 岩下淳 , 岩井武
发明人：岩下淳 , 岩井武
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/26 , G03F7/038
CPC分类号： G03F7/0048 , G03F7/0035 , G03F7/0046 , G03F7/0382
摘要：　このネガ型レジスト組成物は、下記（ｉ）～（ii）の工程；（ｉ）基板上に第１のレジスト組成物を用いて第１のレジスト層を形成し、該第１のレジスト層に密パターンを形成する選択的露光を施す工程；（ii）該第１のレジスト層の上に第２のレジスト組成物を用いて第２のレジスト層を形成し、該第２のレジスト層にパターンを形成する選択的露光を施す工程；を含むレジストパターンの形成において、前記第１又は第２のレジスト層に用いられるネガ型レジスト組成物であって、当該ネガ型レジスト組成物から形成されるレジスト層と接触する前記第１又は第２のレジスト層を溶解しない有機溶剤（Ｄ）として、アルコール系有機溶剤に溶解したことを特徴とするネガ型レジスト組成物である。
摘要翻译：一种负型抗蚀剂组合物，其通过至少以下步骤形成抗蚀剂图案：（i）将第一抗蚀剂组合物的第一抗蚀剂层叠加在基材上，并对第一抗蚀剂层进行选择性曝光以形成致密图案;和）将第二抗蚀剂组合物的第二抗蚀剂层叠加在第一抗蚀剂层上并且对第二抗蚀剂层进行图案形成的选择性曝光，被用于第一或第二抗蚀剂层，该负性抗蚀剂组合物的特征在于其溶解于作为不溶解与由抗蚀剂组合物形成的抗蚀剂层接触的第一或第二抗蚀剂层的有机溶剂（D）的醇类有机溶剂。

4. 发明申请

WO2005105873A1 レジスト組成物用樹脂、ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：耐腐蚀组合物的树脂，负极性组合物和形成耐火图案的方法
公开(公告)号：WO2005105873A1
公开(公告)日：2005-11-10
申请号：PCT/JP2005/007391
申请日：2005-04-18
申请人：東京応化工業株式会社 , 岩下淳 , 立川俊和 , 久保田尚孝
发明人：岩下淳 , 立川俊和 , 久保田尚孝
IPC分类号： C08F220/28
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/0046
摘要：　フッ素化されたヒドロキシアルキル基を有する脂環式基を含有する構成単位（ａ１）と、アクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、水酸基含有脂環式基を含む構成単位（ａ２）とを有するレジスト組成物用樹脂。このレジスト組成物用樹脂を用いてネガ型レジスト組成物とし、これを用いてレジストパターンを形成する。
摘要翻译：一种抗蚀剂组合物用树脂，其含有含有氟化羟烷基的脂环族的构成单元（a1）和来自丙烯酸酯并含有含羟基的脂环族基团的构成单元（a2）以及包含上述用于抗蚀剂组合物的树脂的负型抗蚀剂组合物。通过使用负性抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案。

5. 发明申请

WO2004079800A1 液浸露光プロセス用浸漬液および該浸漬液を用いたレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：浸入式浸渍液浸渍液和浸渍液形成方法
公开(公告)号：WO2004079800A1
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：PCT/JP2004/002747
申请日：2004-03-04
申请人：東京応化工業株式会社 , 平山拓 , 佐藤充 , 脇屋和正 , 岩下淳 , 吉田正昭
发明人：平山拓 , 佐藤充 , 脇屋和正 , 岩下淳 , 吉田正昭
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2041
摘要：液体を介してレジスト膜を露光する液浸露光プロセス用浸漬液であって、露光プロセスに用いる露光光に対して透明で、その沸点が７０～２７０℃であるフッ素系液体から構成されている浸漬液、及びそれをレジスト膜又は保護膜上に直接配置する工程を含むレジストパターン形成方法。液浸露光中のレジスト膜等の膜の変質および使用液体の変質を同時に防止し、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。
摘要翻译：公开了一种用于浸没曝光工艺的浸没液体，其中抗蚀剂膜通过液体暴露。浸渍液由对曝光过程曝光的曝光透明的含氟液体组成，沸点为70-270℃。还公开了一种抗蚀剂图案形成方法，其包括将这种浸渍液体直接放置在抗蚀剂膜或保护膜上的步骤。浸渍液体在浸渍曝光过程中防止了抗蚀剂膜和液体两者的特性变化，从而能够通过浸渍曝光形成高分辨率的抗蚀剂图案。

6. 发明申请

WO2003048863A1 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：正电阻组合物和形成电阻图案的方法
公开(公告)号：WO2003048863A1
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：PCT/JP2002/012538
申请日：2002-11-29
申请人：東京応化工業株式会社 , 羽田英夫 , 藤村悟史 , 岩下淳
发明人：羽田英夫 , 藤村悟史 , 岩下淳
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： A positive resist composition which is obtained by dissolving (A) a resin ingredient which has units derived from a (meth)acrylic ester in the main chain and comes to have enhanced solubility in alkalis by the action of an acid and (B) an acid generator ingredient which generates an acid upon exposure to light in (C) an organic solvent, wherein the resin ingredient (A) is a copolymer comprising (a1) a unit derived from a (meth)acrylic ester containing an acid−dissociating dissolution−inhibitive group containing a polycyclic group, (a2) a unit derived from a (meth)acrylic ester containing a lactone−containing monocyclic or polycyclic group, (a3) a unit derived from a (meth)acrylic ester containing a hydroxy−containing polycyclic group, and (a4) a unit which is derived from a (meth)acrylic ester containing a polycyclic group and is other than the units (a1), (a2), and (a3). This chemical amplification type positive resist composition has excellent resolution and is effective in improving the focal depth range for an isolated resist pattern and in inhibiting the proximity effect.
摘要翻译：一种正性抗蚀剂组合物，其通过将（A）在主链中溶解（A）具有源自（甲基）丙烯酸酯的单元的树脂成分并且通过酸的作用而使其在碱中具有增强的溶解度而获得，和（B）酸（C）有机溶剂中产生酸的发生剂成分，其中树脂成分（A）是共聚物，其包含（a1）衍生自含有酸解离溶解抑制剂的（甲基）丙烯酸酯的单元（a2）衍生自含有内酯单环或多环基团的（甲基）丙烯酸酯的单元，（a3）衍生自含有羟基的多环基的（甲基）丙烯酸酯的单元，和（a4）衍生自含有多环基团的（甲基）丙烯酸酯并且不同于单元（a1），（a2）和（a3）的单元。这种化学放大型正光刻胶组合物具有优异的分辨率，并且有效地改善隔离抗蚀剂图案的焦深范围并抑制邻近效应。

7. 发明申请

WO2007032181A1 ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：负面影响组合物和抗性图案形成方法
公开(公告)号：WO2007032181A1
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：PCT/JP2006/316326
申请日：2006-08-21
申请人：東京応化工業株式会社 , 日下綾子 , 岩下淳
发明人：日下綾子 , 岩下淳
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/09 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/0046
摘要：　良好な形状のレジストパターンを形成できるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法が提供される。このネガ型レジスト組成物は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂成分、（Ｂ）露光により酸を発生する酸発生剤成分および（Ｃ）架橋剤成分を含有するネガ型レジスト組成物であって、前記（Ｃ）架橋剤成分はエポキシ系架橋剤（Ｃ１）を含む。
摘要翻译：能够形成优异构型的抗蚀剂图案的负型抗蚀剂组合物; 和抗蚀剂图案形成的方法。提供了一种负光刻胶组合物，其包含碱溶性树脂组分（A），能够在光照下产生酸的酸产生剂组分（B）和交联剂组分（C）），其中交联剂组分（C）含有环氧交联代理（C1）。

8. 发明申请

WO2004087636A1 ジカルボン酸モノエステル化合物およびその製造方法ならびに重合体审中-公开
标题翻译：二羧酸单体化合物，其制备方法及其聚合物
公开(公告)号：WO2004087636A1
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：PCT/JP2004/004081
申请日：2004-03-24
申请人：東京応化工業株式会社 , 株式会社日本触媒 , 岩下淳 , 立川俊和 , 吉田雅年 , 荒川元博 , 宇賀村忠慶
发明人：岩下淳 , 立川俊和 , 吉田雅年 , 荒川元博 , 宇賀村忠慶
IPC分类号： C07C69/593
CPC分类号： C07C69/593 , C07C2602/42 , C08F22/16
摘要： A dicarboxylic acid monoester compound is disclosed which is represented by the following general formula (1) or (2): (1) (2) (wherein R1 and R2 represent alkyl chains having 0-8 carbon atoms, R3 represents a substituent having at least two or more alicyclic structures, R4 and R5 represent hydrogen atoms or alkyl groups having 1-8 carbon atoms). A method for producing such a dicarboxylic acid monoester compound and a polymer obtained from such a compound are also disclosed. The dicarboxylic acid monoester compound is useful as a resist material.
摘要翻译：公开了由以下通式（1）或（2）表示的二羧酸单酯化合物：（1）（2）（其中R 1和R 2表示具有0-8个碳原子的烷基链，R 3表示具有至少两个以上的脂环结构，R4和R5代表氢原子或具有1-8个碳原子的烷基）。还公开了制备这种二羧酸单酯化合物的方法和由这种化合物获得的聚合物。二羧酸单酯化合物可用作抗蚀材料。

9. 发明申请

WO2008041468A1 パターン形成方法审中-公开
标题翻译：形成图案的方法
公开(公告)号：WO2008041468A1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/JP2007/067880
申请日：2007-09-13
申请人：東京応化工業株式会社 , 原田尚宣 , 河野紳一 , 岩下淳
发明人：原田尚宣 , 河野紳一 , 岩下淳
IPC分类号： G03F7/40 , G03F7/039 , G03F7/075 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0752 , G03F7/0035 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/11 , H01L21/0337
摘要：　支持体上に、下層膜形成材料を用いて下層膜を形成し；上記下層膜上にシリコン系ハードマスク形成材料を用いてハードマスクを形成し；上記ハードマスク上に化学増幅型ネガ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成し；上記第一のレジスト膜を、第一のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して第一のレジストパターンを形成し；上記第一のレジストパターンをマスクとして、ハードマスクをエッチングして第一のパターンを形成し；上記第一のパターン及び下層膜の上に化学増幅型ポジ型シリコン系レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成し；上記第二のレジスト膜を、第二のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して第二のレジストパターンを形成し；上記第一のパターン及び第二のレジストパターンをマスクとして、下層膜をエッチングして第二のパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
摘要翻译：一种形成图案的方法，包括以下步骤：使用下层膜形成材料在载体上形成下层膜; 使用用于硬掩模形成的硅基材料在下层膜上形成硬掩模; 用化学放大型负性抗蚀剂组合物涂覆硬掩模，从而形成第一抗蚀剂膜; 使第一抗蚀剂膜经由第一掩模图案进行选择性曝光和显影，从而形成第一抗蚀剂图案; 利用第一抗蚀剂图案作为掩模，蚀刻硬掩模从而形成第一图案; 用化学放大型正硅抗蚀剂组合物涂覆第一图案和下层膜，从而形成第二抗蚀剂膜; 使第二抗蚀剂膜经由第二掩模图案进行选择性曝光和显影，从而形成第二抗蚀剂图案; 并且通过使用第一图案和第二抗蚀剂图案作为掩模，蚀刻下层膜，从而形成第二图案。

10. 发明申请

WO2007046208A1 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：耐蚀组合物和形成耐力图案的方法
公开(公告)号：WO2007046208A1
公开(公告)日：2007-04-26
申请号：PCT/JP2006/318589
申请日：2006-09-20
申请人：東京応化工業株式会社 , 廣崎貴子 , 岩下淳
发明人：廣崎貴子 , 岩下淳
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0397
摘要： A resist composition which has excellent resolution and can form a finer pattern. The resist composition comprises a resin ingredient (A) whose alkali solubility changes by the action of an acid and an acid generator ingredient (B) which generates an acid upon exposure to light, wherein the ingredient (B) comprises a compound (B0) represented by the following general formula (B-0) [wherein R 0 represents alkyl or alkoxy; X represents haloalkyl; a is an integer of 0-3; and when a is 2 or 3, then the R 0 's may be the same or different.]
摘要翻译：具有优异分辨率并能形成更精细图案的抗蚀剂组合物。抗蚀剂组合物包含其酸溶解度随着酸和酸产生剂成分（B）的作用而变化的树脂成分（A），其在曝光时产生酸，其中成分（B）包含代表的化合物（B0）通过下列通式（B-0）[其中R 0表示烷基或烷氧基; X表示卤代烷基; a是0-3的整数; 当a为2或3时，R 0可以相同或不同。]

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