专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP6741471B2 レジストパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6741471B2
公开(公告)日：2020-08-19
申请号：JP2016098575
申请日：2016-05-17
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：渡部良司 , 砂道智成
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/32 , G03F7/20 , H01L21/027 , G03F7/40

2. 发明专利

JP2017207569A レジストパターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017207569A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：JP2016098575
申请日：2016-05-17
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：渡部良司 , 砂道智成
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/32 , G03F7/20 , H01L21/027 , G03F7/40
摘要：【課題】微細化をより図れるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】支持体1上に、表面2aに極性基が露出したレジストプレパターン2を形成する工程Aと、レジストプレパターン2に極性溶剤を接触させる工程Bと、前記極性基と作用する官能基を有する高分子化合物を含有するパターン厚肉化用ポリマー組成物を、レジストプレパターン2を被覆するように、前記極性溶剤を接触させたレジストプレパターン2が形成された支持体1上に塗布して、ポリマー膜3を形成する工程Cと、前記極性基と、前記高分子化合物が有する官能基とを作用させて、レジストプレパターン2の表面2bに現像液不溶性層3aを形成する工程Dと、現像液不溶性層3aが表面に形成されたレジストプレパターン2及びこれを被覆するポリマー膜3を現像して、レジストプレパターン2を厚肉化したレジストパターン4を形成する工程Eとを有する、レジストパターン形成方法。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2017049407A レジストパターン形成方法及びパターン厚肉化用ポリマー組成物审中-公开
公开(公告)号：JP2017049407A
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2015171960
申请日：2015-09-01
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：土屋純一 , 平野智之 , 砂道智成
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027 , G03F7/20 , C08F212/08 , C08F220/18 , G03F7/40
摘要：【課題】レジストパターン形成方法及びパターン厚肉化用ポリマー組成物の提供。【解決手段】支持体上にレジストプレパターンを形成する工程Aと、前記レジストプレパターンを被覆するように、前記レジストプレパターンが形成された支持体上に、パターン厚肉化用ポリマー組成物を塗布してポリマー膜を形成する工程Bと、前記レジストプレパターン表面に現像液不溶性層を形成する工程Cと、前記現像液不溶性層が形成されたレジストプレパターン及びこれを被覆する前記ポリマー膜を現像して、前記レジストプレパターンを厚肉化したレジストパターンを形成する工程Dと、を有し、前記パターン厚肉化用ポリマー組成物は、前記工程Cでの前記レジストプレパターンと単独で厚肉化機能を有するポリマー(P1)と、前記工程Cでの前記レジストプレパターンと単独で厚肉化機能を有さないポリマー(P2)と、を含有することを特徴とする、レジストパターン形成方法。【選択図】なし

4. 发明专利

JP6796416B2 レジストパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6796416B2
公开(公告)日：2020-12-09
申请号：JP2016136411
申请日：2016-07-08
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：森貴敬 , 堀洋一 , 砂道智成
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027 , C08F220/34 , C08F212/08 , G03F7/40

5. 发明专利

JP2018155891A レジストパターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018155891A
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：JP2017051960
申请日：2017-03-16
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：砂道智成
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/40
摘要：【課題】より微細なパターンを良好な形状で形成できるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】支持体上に、表面に酸性基が露出したレジストプレパターンを形成する工程Aと、前記レジストプレパターンが形成された支持体上に、パターン厚肉化用ポリマー組成物を塗布してポリマー膜を形成する工程Bと、前記レジストプレパターンの表面に現像液不溶性層を形成する工程Cと、前記現像液不溶性層が表面に形成されたレジストプレパターン及びこれを被覆する前記ポリマー膜を、現像液により現像して、前記レジストプレパターンを厚肉化したレジストパターンを形成する工程Dと、を有し、前記パターン厚肉化用ポリマー組成物は、レジストプレパターンの表面に露出した酸性基と作用する官能基を含む構成単位(u1)を有するポリマー(X)と、アニオン部の共役酸のpKaが0以上のイオン性化合物(Ic)と、を含有する、レジストパターン形成方法。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2018005199A レジストパターン厚肉化用ポリマー組成物、及びレジストパターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018005199A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016136356
申请日：2016-07-08
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：森貴敬 , 堀洋一 , 砂道智成
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20 , C08F246/00 , G03F7/40
摘要：【課題】種々の形状のパターンの微細化を図れる材料及び方法を提供する。【解決手段】支持体1上に、表面2aに極性基が露出したレジストプレパターン2を形成する工程と、レジストプレパターン2を被覆するように、レジストプレパターン2が形成された支持体1上に、レジストパターン厚肉化用ポリマー組成物を塗布してポリマー膜3を形成する工程と、表面2aに現像液不溶性層3aを形成する工程と、現像液不溶性層3aが形成されたレジストプレパターン2及びこれを被覆するポリマー膜3を現像して、レジストプレパターン2を厚肉化したレジストパターン4を形成する工程と、を有するレジストパターン形成方法。前記レジストパターン厚肉化用ポリマー組成物は、レジストプレパターン2の厚肉化機能を備えた構成単位を有する高分子化合物と、表面2aに露出した極性基と中和し得る中和性基を含む構成単位を有する高分子化合物と、を含有することを特徴とする。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2021033158A レジスト組成物及びレジストパターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021033158A
公开(公告)日：2021-03-01
申请号：JP2019155681
申请日：2019-08-28
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：砂道智成 , 中川裕介 , 米村幸治 , 平野智之 , 齊藤彩
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/004
摘要：【課題】厚膜レジスト膜を形成することができ、且つクラックが生じにくく、解像性が良好なレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、重量平均分子量が400以上であるポリエーテル化合物と、を含有し、前記ポリエーテル化合物の含有量が、前記基材成分(A)100質量部に対して、0.8〜32質量部であり、固形分濃度が、25質量%以上である、レジスト組成物。【選択図】なし

8. 发明专利

JP6722433B2 レジストパターン形成方法及びパターン厚肉化用ポリマー組成物有权
公开(公告)号：JP6722433B2
公开(公告)日：2020-07-15
申请号：JP2015194184
申请日：2015-09-30
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：砂道智成 , 平野智之 , 土屋純一
IPC分类号： C08F297/02 , G03F7/20 , H01L21/027 , G03F7/40

9. 发明专利

JP2019120765A レジストパターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019120765A
公开(公告)日：2019-07-22
申请号：JP2017254871
申请日：2017-12-28
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：白木雄哲 , 河野紳一 , 大野慶晃 , 砂道智成 , 齊藤彩
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/039
摘要：【課題】膜厚7μm以上とするレジスト膜を成膜する際でも、高い感度を示し、かつ、良好な形状のパターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】支持体上に、レジスト組成物を用いて膜厚7μm以上のレジスト膜を形成する工程、レジスト膜を露光する工程及び露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する、レジストパターン形成方法を採用する。レジスト組成物として、一般式(a10−1)で表される構成単位と、酸非解離性の脂肪族環式基を含む構成単位と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位と、を有する樹脂成分を含有するものを選択する。式(a10−1)中、Rは水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基である。Ya x1 は単結合又は2価の連結基である。Wa x1 は(n ax1 +1)価の芳香族炭化水素基である。n ax1 は1〜3の整数である。 [化1] 【選択図】なし

10. 发明专利

JP2017068073A レジストパターン形成方法及びパターン厚肉化用ポリマー組成物审中-公开
公开(公告)号：JP2017068073A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2015194184
申请日：2015-09-30
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：砂道智成 , 平野智之 , 土屋純一
IPC分类号： C08F297/02 , G03F7/20 , H01L21/027 , G03F7/40
摘要：【課題】より微細なパターンを簡便な方法で形成できるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】レジストプレパターンを厚肉化したレジストパターンを形成する方法であって、支持体上にレジストプレパターンを形成する工程Aと、前記レジストプレパターンを被覆するように、前記レジストプレパターンが形成された支持体上に、パターン厚肉化用ポリマー組成物を塗布してポリマー膜を形成する工程Bと、前記レジストプレパターン表面に現像液不溶性層を形成する工程Cと、前記現像液不溶性層が表面に形成されたレジストプレパターン及びこれを被覆する前記ポリマー膜を現像して、前記レジストプレパターンを厚肉化したレジストパターンを形成する工程Dと、を有し、前記パターン厚肉化用ポリマー組成物は、前記レジストプレパターンの厚肉化機能を有するブロック鎖(b1)を含むブロック共重合体を含有することを特徴とする、レジストパターン形成方法。【選択図】なし

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式