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1. 发明专利

JP6568762B2 レジストパターンのトリミング方法有权
公开(公告)号：JP6568762B2
公开(公告)日：2019-08-28
申请号：JP2015198037
申请日：2015-10-05
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：角田力太 , 渡部良司 , 堀洋一
IPC分类号： G03F7/039 , H01L21/027 , G03F7/20 , C08F220/10 , C08F212/14 , G03F7/40

2. 发明专利

JP6539499B2 レジストパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6539499B2
公开(公告)日：2019-07-03
申请号：JP2015107303
申请日：2015-05-27
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：森貴敬 , 渡部良司 , 堀洋一
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/40

3. 发明专利

JP2016224097A レジストパターン形成方法及びスプリットパターン形成用のポジ型レジスト組成物审中-公开
标题翻译：一种抗蚀剂图案形成方法，和正型抗蚀剂组合物的分割图案形成
公开(公告)号：JP2016224097A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2015107303
申请日：2015-05-27
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：森貴敬 , 渡部良司 , 堀洋一
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/40
摘要：【課題】レジストパターン形成方法の提供。【解決手段】支持体上に、ポジ型レジスト組成物を塗布し、ポジ型レジスト膜を形成し、露光し、アルカリ現像して、第1のレジストパターンを形成する工程と、第1のレジストパターンを被覆するように、酸又は熱酸発生剤を含む溶液を塗布し、第1のレジストパターンとこれを被覆する第1の層を含む構造体を得る工程と、構造体を加熱し、酸又は熱酸発生剤から発生する酸の作用により第1のレジストパターンの現像液に対する溶解性を変化させる工程と、加熱後の構造体を有機溶剤現像し、第1のレジストパターンの現像液に対する溶解性が変化した領域以外の領域を除去して、スプリットパターンを形成する工程と、を有し、ポジ型レジスト組成物は、酸拡散制御剤を含有し、酸拡散制御剤は酸解離定数(pKa)が3.0以上の酸を含むレジストパターン形成方法。【選択図】なし
摘要翻译：本发明提供一种光阻图案的形成方法。在载体上，正型抗蚀剂组合物涂布，以形成正性抗蚀剂膜被曝光，和碱显影，形成第一抗蚀图案，该第一抗蚀剂图案以通过将含有酸或热酸产生剂的溶液中，并加热获得包含第一抗蚀剂图案的第一层，覆盖此，结构，酸的结构覆盖，或从热产酸剂产生通过酸的作用改变在所述第一抗蚀剂图案的显影剂中的溶解度的步骤，和有机溶剂开发结构中的加热后，溶解度在第一抗蚀剂图案的显影溶液有除去比改变区域之外的区域包括形成分割图案的步骤中，将正性抗蚀剂组合物含有酸扩散控制剂，具有酸解离常数的酸扩散控制剂（PKA） Rejisutopa但包括一个3.0或酸更高过排放形成方法。系统技术领域

4. 发明专利

JP6741471B2 レジストパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6741471B2
公开(公告)日：2020-08-19
申请号：JP2016098575
申请日：2016-05-17
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：渡部良司 , 砂道智成
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/32 , G03F7/20 , H01L21/027 , G03F7/40

5. 发明专利

JP6684583B2 レジストパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6684583B2
公开(公告)日：2020-04-22
申请号：JP2015241538
申请日：2015-12-10
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：森貴敬 , 渡部良司 , 堀洋一
IPC分类号： G03F7/039 , H01L21/027 , G03F7/40

6. 发明专利

JP2017207569A レジストパターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017207569A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：JP2016098575
申请日：2016-05-17
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：渡部良司 , 砂道智成
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/32 , G03F7/20 , H01L21/027 , G03F7/40
摘要：【課題】微細化をより図れるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】支持体1上に、表面2aに極性基が露出したレジストプレパターン2を形成する工程Aと、レジストプレパターン2に極性溶剤を接触させる工程Bと、前記極性基と作用する官能基を有する高分子化合物を含有するパターン厚肉化用ポリマー組成物を、レジストプレパターン2を被覆するように、前記極性溶剤を接触させたレジストプレパターン2が形成された支持体1上に塗布して、ポリマー膜3を形成する工程Cと、前記極性基と、前記高分子化合物が有する官能基とを作用させて、レジストプレパターン2の表面2bに現像液不溶性層3aを形成する工程Dと、現像液不溶性層3aが表面に形成されたレジストプレパターン2及びこれを被覆するポリマー膜3を現像して、レジストプレパターン2を厚肉化したレジストパターン4を形成する工程Eとを有する、レジストパターン形成方法。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2016075904A レジストパターンのトリミング方法审中-公开
标题翻译： TRIMMING RESIST PATTERN的方法
公开(公告)号：JP2016075904A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：JP2015198037
申请日：2015-10-05
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：角田力太 , 渡部良司 , 堀洋一
IPC分类号： G03F7/039 , H01L21/027 , G03F7/20 , C08F220/10 , C08F212/14 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/325 , H01L21/0273 , H01L21/0274
摘要：【課題】レジストパターンのトリミング方法の提供。【解決手段】支持体上に、ポジ型レジスト膜を形成し、前記ポジ型レジスト膜を露光し、アルカリ現像して、表面にアルカリ不溶性領域を有する第1のレジストパターンを形成する工程Aと、前記第1のレジストパターンが形成された支持体上に、酸成分を含有するレジストトリミング組成物を塗布する工程Bと、前記レジストトリミング組成物が塗布された第1のレジストパターンを加熱し、前記レジストトリミング組成物中の酸成分に由来する酸の作用により前記第1のレジストパターンの現像液に対する溶解性を変化させる工程Cと、前記加熱後の第1のレジストパターンを有機溶剤現像し、前記第1のレジストパターンのアルカリ不溶性領域を除去する工程Dと、を有し、前記レジストトリミング組成物が、酸成分と、第1のレジストパターンを溶解しない溶剤と、を含有するレジストパターンのトリミング方法。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种修整抗蚀剂图案的方法。解决方案：一种修整抗蚀剂图案的方法包括：步骤A，在支撑体上形成正的抗蚀剂膜，暴露正性抗蚀剂膜，并对抗蚀剂膜进行碱显影以在其表面上形成具有碱不溶性区域的第一抗蚀剂图案; 步骤B：将含有酸成分的抗蚀剂修饰组合物施加到形成有第一抗蚀剂图案的支撑体上; 步骤C，加热涂布有抗蚀剂修整组合物的第一抗蚀剂图案，以通过在抗蚀剂修剪组合物中由酸组分衍生的酸的作用，用显影剂改变第一抗蚀剂图案的溶解度; 以及步骤D，用有机溶剂加热显影第一抗蚀剂图案，以除去第一抗蚀剂图案的碱不溶性区域。抗蚀剂修整组合物包含酸组分和不溶解第一抗蚀剂图案的溶剂。选择图：无

8. 发明专利

JP6785035B2 レジストパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6785035B2
公开(公告)日：2020-11-18
申请号：JP2015167116
申请日：2015-08-26
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：佐藤和史 , 萩原三雄 , 熊谷智弥 , 矢萩真人 , 鈴木健太 , 森貴敬 , 渡部良司
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/32

9. 发明专利

JP6643833B2 レジストパターン形成方法、レジストパターンスプリット剤、スプリットパターン改善化剤及びレジストパターンスプリット材料有权
公开(公告)号：JP6643833B2
公开(公告)日：2020-02-12
申请号：JP2015172101
申请日：2015-09-01
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：堀洋一 , 渡部良司 , 角田力太
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/40

10. 发明专利

JP2018021977A レジストパターン厚肉化用ポリマー組成物、及びレジストパターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018021977A
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：JP2016151527
申请日：2016-08-01
申请人：東京応化工業株式会社
发明人：砂道智成 , 渡部良司 , 堀洋一
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/40
摘要：【課題】より微細なパターンを良好な形状で形成できる方法及び材料を提供する。【解決手段】支持体1上に、表面2aに酸性基が露出したレジストプレパターン2を形成する工程と、レジストプレパターン2を被覆するように、レジストプレパターン2が形成された支持体1上に、レジストパターン厚肉化用ポリマー組成物を塗布してポリマー膜3を形成する工程と、表面2aに現像液不溶性層3aを形成する工程と、現像液不溶性層3aが形成されたレジストプレパターン2及びこれを被覆するポリマー膜3を現像して、レジストプレパターン2を厚肉化したレジストパターン4を形成する工程と、を有するレジストパターン形成方法。前記レジストパターン厚肉化用ポリマー組成物は、塩基性基を含む単量体(mx)から誘導される構成単位を有する樹脂成分と、単量体(mx)の共役酸の酸解離定数(pKa)よりも小さいpKaを有する化合物と、を含有することを特徴とする。【選択図】図1

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