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1. 发明专利

TWI397153B 半導體記憶裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI397153B
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：TW094134323
申请日：2005-09-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：北川淳一 , KITAGAWA, JUNICHI , 尾崎成則 , OZAKI, SHIGENORI , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO
IPC分类号： H01L21/8247
CPC分类号： H01L29/792 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L29/513

2. 发明专利

TWI549156B 電漿處理裝置及微波導入裝置有权
简体标题：等离子处理设备及微波导入设备
公开(公告)号：TWI549156B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW101111097
申请日：2012-03-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：藤野豐 , FUJINO, YUTAKA , 植田篤 , UEDA, ATSUSHI , 尾崎成則 , OZAKI, SHIGENORI , 北川淳一 , KITAGAWA, JUNICHI
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32201 , C23C16/511 , H01J37/32211 , H01J37/32238 , H01J37/32431 , H05H1/46 , H05H2001/463

3. 发明专利

TWI389737B 半導體基板導電層表面的清淨化方法有权
简体标题：半导体基板导电层表面的清净化方法
公开(公告)号：TWI389737B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW093137648
申请日：2004-12-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木勝 , SASAKI, MASARU , 井出真司 , IDE, SHINJI , 尾崎成則 , OZAKI, SHIGENORI
IPC分类号： B01J19/12 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/02063 , H01J2237/335 , H01L21/02068 , H01L21/76814 , H01L21/76838

4. 发明专利

TWI551714B 成膜方法及成膜裝置有权
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TWI551714B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW101117509
申请日：2012-05-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 牛窪繁博 , USHIKUBO, SHIGEHIRO , 田村辰也 , TAMURA, TATSUYA , 尾崎成則 , OZAKI, SHIGENORI , 熊谷武司 , KUMAGAI, TAKESHI , 菊地宏之 , KIKUCHI, HIROYUKI
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/345 , C23C16/4554 , H01J37/321 , H01J37/32449 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32779 , H01L21/02164 , H01L21/0228

5. 发明专利

TW201316845A 電漿處理裝置，微波導入裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备，微波导入设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201316845A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101130425
申请日：2012-08-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：藤野豐 , FUJINO, YUTAKA , 植田篤 , UEDA, ATSUSHI , 尾崎成則 , OZAKI, SHIGENORI , 北川淳一 , KITAGAWA, JUNICHI
IPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/34 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32266
摘要：微波導入裝置(5)具有：微波輸出部(50)，其係生成微波，且將微波分配於複數的路徑而輸出；天線單元(60)，其係將從微波輸出部(50)輸出的微波導入至處理容器(2)內；及微波放射模組(80)，其係將藉由天線單元(60)所導入的微波放射至處理容器(2)內。又，微波放射模組(80)具有：作為介電質窗構件的微波透過板(81)，及作為導體構件的罩構件(82)。罩構件(82)係以經由微波透過板(81)來導入至處理容器(2)內的微波能夠朝晶圓(W)的方向之方式規定微波的方向。
简体摘要：微波导入设备(5)具有：微波输出部(50)，其系生成微波，且将微波分配于复数的路径而输出；天线单元(60)，其系将从微波输出部(50)输出的微波导入至处理容器(2)内；及微波放射模块(80)，其系将借由天线单元(60)所导入的微波放射至处理容器(2)内。又，微波放射模块(80)具有：作为介电质窗构件的微波透过板(81)，及作为导体构件的罩构件(82)。罩构件(82)系以经由微波透过板(81)来导入至处理容器(2)内的微波能够朝晶圆(W)的方向之方式规定微波的方向。

6. 发明专利

TW201311925A 成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201311925A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101117509
申请日：2012-05-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 牛窪繁博 , USHIKUBO, SHIGEHIRO , 田村辰也 , TAMURA, TATSUYA , 尾崎成則 , OZAKI, SHIGENORI , 熊谷武司 , KUMAGAI, TAKESHI , 菊地宏之 , KIKUCHI, HIROYUKI
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/345 , C23C16/4554 , H01J37/321 , H01J37/32449 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32779 , H01L21/02164 , H01L21/0228
摘要：本發明關於一種成膜方法，其包含以下步驟：將基板搬入真空容器內，並將基板載置於可旋轉地設置於真空容器內之旋轉台之步驟；旋轉旋轉台之步驟；吸附步驟，係從第1反應氣體供應部對基板供應第1反應氣體，來使第1反應氣體吸附在基板；形成步驟，係從第2反應氣體供應部對基板供應會與第1反應氣體反應的第2反應氣體，來使吸附在基板的第1反應氣體與第2反應氣體反應，而於基板形成反應生成物；以及從第1及第2反應氣體供應部對分離地設置於旋轉台的圓周方向之電漿產生部供應含氫氣體來使電漿生成於旋轉台的上方之步驟。
简体摘要：本发明关于一种成膜方法，其包含以下步骤：将基板搬入真空容器内，并将基板载置于可旋转地设置于真空容器内之旋转台之步骤；旋转旋转台之步骤；吸附步骤，系从第1反应气体供应部对基板供应第1反应气体，来使第1反应气体吸附在基板；形成步骤，系从第2反应气体供应部对基板供应会与第1反应气体反应的第2反应气体，来使吸附在基板的第1反应气体与第2反应气体反应，而于基板形成反应生成物；以及从第1及第2反应气体供应部对分离地设置于旋转台的圆周方向之等离子产生部供应含氢气体来使等离子生成于旋转台的上方之步骤。

7. 发明专利

TWI526569B 成膜裝置、成膜方法、以及記憶媒體有权
简体标题：成膜设备、成膜方法、以及记忆媒体
公开(公告)号：TWI526569B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW100130598
申请日：2011-08-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：尾崎成則 , OZAKI, SHIGENORI , 加藤壽 , KATO, HITOSHI , 熊谷武司 , KUMAGAI, TAKESHI
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45548 , C23C16/402 , C23C16/45536

8. 发明专利

TWI509688B 成膜裝置、成膜方法及記憶媒體有权
简体标题：成膜设备、成膜方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI509688B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW101116768
申请日：2012-05-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 菱谷克幸 , HISHIYA, KATSUYUKI , 菊地宏之 , KIKUCHI, HIROYUKI , 牛窪繁博 , USHIKUBO, SHIGEHIRO , 尾崎成則 , OZAKI, SHIGENORI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/4554 , H01J37/321

9. 发明专利

TW201310526A 成膜裝置、成膜方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：成膜设备、成膜方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201310526A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW101116768
申请日：2012-05-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 菱谷克幸 , HISHIYA, KATSUYUKI , 菊地宏之 , KIKUCHI, HIROYUKI , 牛窪繁博 , USHIKUBO, SHIGEHIRO , 尾崎成則 , OZAKI, SHIGENORI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/4554 , H01J37/321
摘要：一種成膜裝置，係具備有：真空容器，第1處理氣體以及第2處理氣體可依序複數次地供給至其內部；旋轉台，係具有包含基板載置區域之一面，而使得該基板載置區域在該真空容器內進行旋轉；第1處理氣體供給部，係將該第1處理氣體供給至第1區域；第2處理氣體供給部，係將該第2處理氣體經由分離區域而供給至相對於該第1區域在該旋轉台之圓周方向上分離之第2區域；電漿產生氣體供給部，係對該真空容器內供給電漿產生用氣體；天線，係對向於該旋轉台之該一面，利用感應耦合而於電漿空間中從該電漿產生用氣體產生電漿；以及處於接地狀態之法拉第屏蔽，係設置於該天線與該電漿空間之間，具有在和該天線呈正交之方向上配置排列之複數狹縫。
简体摘要：一种成膜设备，系具备有：真空容器，第1处理气体以及第2处理气体可依序复数次地供给至其内部；旋转台，系具有包含基板载置区域之一面，而使得该基板载置区域在该真空容器内进行旋转；第1处理气体供给部，系将该第1处理气体供给至第1区域；第2处理气体供给部，系将该第2处理气体经由分离区域而供给至相对于该第1区域在该旋转台之圆周方向上分离之第2区域；等离子产生气体供给部，系对该真空容器内供给等离子产生用气体；天线，系对向于该旋转台之该一面，利用感应耦合而于等离子空间中从该等离子产生用气体产生等离子；以及处于接地状态之法拉第屏蔽，系设置于该天线与该等离子空间之间，具有在和该天线呈正交之方向上配置排列之复数狭缝。

10. 发明专利

TW201306080A 電漿處理裝置及微波導入裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备及微波导入设备
公开(公告)号：TW201306080A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101111097
申请日：2012-03-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：藤野豐 , FUJINO, YUTAKA , 植田篤 , UEDA, ATSUSHI , 尾崎成則 , OZAKI, SHIGENORI , 北川淳一 , KITAGAWA, JUNICHI
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32201 , C23C16/511 , H01J37/32211 , H01J37/32238 , H01J37/32431 , H05H1/46 , H05H2001/463
摘要：本發明的課題是在於以簡單的構成來使電漿的分布均一化。其解決手段，電漿處理裝置(1)具備對處理容器(2)內導入微波的微波導入裝置(5)。微波導入裝置(5)包括嵌合於頂部(11)的複數個開口部的複數個微波透過板(73)。複數個微波透過板(73)是在嵌合於頂部(11)的複數個開口部的狀態下，配置於與載置台(21)的載置面(21a)平行的1個假想的平面上。複數個微波透過板(73)是包括微波透過板(73A~73G)。微波透過板(73G，73A)的中心點(PG，PA)間距離與微波透過板(73G，73B)的中心點(PG，PB)間距離是被設定成彼此相等或幾乎相等。
简体摘要：本发明的课题是在于以简单的构成来使等离子的分布均一化。其解决手段，等离子处理设备(1)具备对处理容器(2)内导入微波的微波导入设备(5)。微波导入设备(5)包括嵌合于顶部(11)的复数个开口部的复数个微波透过板(73)。复数个微波透过板(73)是在嵌合于顶部(11)的复数个开口部的状态下，配置于与载置台(21)的载置面(21a)平行的1个假想的平面上。复数个微波透过板(73)是包括微波透过板(73A~73G)。微波透过板(73G，73A)的中心点(PG，PA)间距离与微波透过板(73G，73B)的中心点(PG，PB)间距离是被设置成彼此相等或几乎相等。

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