专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI505358B 成膜裝置有权
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TWI505358B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW101129652
申请日：2012-08-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 牛窪繁博 , USHIKUBO, SHIGEHIRO , 菱谷克幸 , HISHIYA, KATSUYUKI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/0228

2. 发明专利

TWI560313B 成膜裝置、成膜方法及記憶媒體有权
简体标题：成膜设备、成膜方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI560313B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW101132097
申请日：2012-09-04
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 菱谷克幸 , HISHIYA, KATSUYUKI , 牛窪繁博 , USHIKUBO, SHIGEHIRO
IPC分类号： C23C16/54 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/45542 , C23C16/345 , C23C16/45551 , H01J37/321 , H01J37/32733

3. 发明专利

TW201334066A 成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TW201334066A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101129652
申请日：2012-08-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 牛窪繁博 , USHIKUBO, SHIGEHIRO , 菱谷克幸 , HISHIYA, KATSUYUKI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/0228
摘要：本發明之成膜裝置係於真空容器內將氣體供給至基板以於該基板上形成薄膜，其包含有：旋轉台，係設置於該真空容器內，其上面具備有沿圓周方向載置基板的複數個基板載置區域，且讓該基板載置區域進行旋轉；氣體噴嘴，係從該基板載置區域之內緣延伸至外緣般設置，而沿其長度方向形成有噴出氣體之氣體噴出口；排氣口，係相對該氣體噴嘴於該旋轉台之旋轉方向側，而設置於較該旋轉台的外緣要外側，來將該氣體排出；以及限制部件，係設置為於該氣體噴嘴與該排氣口之間處，當基板載置於該基板載置區域時，在與該基板之間，從該基板載置區域之內緣延伸至外緣般，形成有讓氣體能通過之間隙，其並具有壁部，該壁部係從該基板載置區域之內緣至外緣間沿著至少一部分之區域處，分隔該氣體噴嘴與該排氣口之間。
简体摘要：本发明之成膜设备系于真空容器内将气体供给至基板以于该基板上形成薄膜，其包含有：旋转台，系设置于该真空容器内，其上面具备有沿圆周方向载置基板的复数个基板载置区域，且让该基板载置区域进行旋转；气体喷嘴，系从该基板载置区域之内缘延伸至外缘般设置，而沿其长度方向形成有喷出气体之气体喷出口；排气口，系相对该气体喷嘴于该旋转台之旋转方向侧，而设置于较该旋转台的外缘要外侧，来将该气体排出；以及限制部件，系设置为于该气体喷嘴与该排气口之间处，当基板载置于该基板载置区域时，在与该基板之间，从该基板载置区域之内缘延伸至外缘般，形成有让气体能通过之间隙，其并具有壁部，该壁部系从该基板载置区域之内缘至外缘间沿着至少一部分之区域处，分隔该气体喷嘴与该排气口之间。

4. 发明专利

TW201326454A 成膜裝置、基板處理裝置及電漿產生裝置审中-公开
简体标题：成膜设备、基板处理设备及等离子产生设备
公开(公告)号：TW201326454A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101130573
申请日：2012-08-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 小林健 , KOBAYASHI, TAKESHI , 牛窪繁博 , USHIKUBO, SHIGEHIRO , 相川勝芳 , AIKAWA, KATSUYOSHI
IPC分类号： C23C16/507 , C23C16/509
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/4554 , C23C16/45548 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01L21/0228 , H01L21/0234
摘要：一種基板處理裝置，係具備有收納基板之真空容器、於其一面側形成有載置基板的基板載置區域之載置台、電漿產生氣體供應部、藉由感應耦合將電漿產生用氣體電漿化而捲繞於縱向之軸周圍的天線、以及為阻止該天線周圍所產生之電磁場中的電場成分通過而由接地之導電性板狀體所構成之法拉第遮罩，其中該法拉第遮罩係具備有讓該電磁場中之磁場成分通過基板側之切槽群、以及於該板狀體中之該切槽所包圍之區域開口之電漿發光狀態確認用窗部，該窗部與該切槽群之間係以該窗部不會連通該切槽之方式介設有圍繞該切槽群之接地導電路徑，該切槽群中之該窗部側之相反側的端部係以圍繞該切槽群的方式設有接地導電路徑。
简体摘要：一种基板处理设备，系具备有收纳基板之真空容器、於其一面侧形成有载置基板的基板载置区域之载置台、等离子产生气体供应部、借由感应耦合将等离子产生用气体等离子化而卷绕于纵向之轴周围的天线、以及为阻止该天线周围所产生之电磁场中的电场成分通过而由接地之导电性板状体所构成之法拉第遮罩，其中该法拉第遮罩系具备有让该电磁场中之磁场成分通过基板侧之切槽群、以及于该板状体中之该切槽所包围之区域开口之等离子发光状态确认用窗部，该窗部与该切槽群之间系以该窗部不会连通该切槽之方式介设有围绕该切槽群之接地导电路径，该切槽群中之该窗部侧之相反侧的端部系以围绕该切槽群的方式设有接地导电路径。

5. 发明专利

TWI551714B 成膜方法及成膜裝置有权
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TWI551714B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW101117509
申请日：2012-05-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 牛窪繁博 , USHIKUBO, SHIGEHIRO , 田村辰也 , TAMURA, TATSUYA , 尾崎成則 , OZAKI, SHIGENORI , 熊谷武司 , KUMAGAI, TAKESHI , 菊地宏之 , KIKUCHI, HIROYUKI
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/345 , C23C16/4554 , H01J37/321 , H01J37/32449 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32779 , H01L21/02164 , H01L21/0228

6. 发明专利

TWI500805B 成膜裝置、基板處理裝置及電漿產生裝置有权
简体标题：成膜设备、基板处理设备及等离子产生设备
公开(公告)号：TWI500805B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW101130573
申请日：2012-08-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 小林健 , KOBAYASHI, TAKESHI , 牛窪繁博 , USHIKUBO, SHIGEHIRO , 相川勝芳 , AIKAWA, KATSUYOSHI
IPC分类号： C23C16/507 , C23C16/509
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/4554 , C23C16/45548 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01L21/0228 , H01L21/0234

7. 发明专利

TW201311925A 成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201311925A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101117509
申请日：2012-05-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 牛窪繁博 , USHIKUBO, SHIGEHIRO , 田村辰也 , TAMURA, TATSUYA , 尾崎成則 , OZAKI, SHIGENORI , 熊谷武司 , KUMAGAI, TAKESHI , 菊地宏之 , KIKUCHI, HIROYUKI
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/345 , C23C16/4554 , H01J37/321 , H01J37/32449 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32779 , H01L21/02164 , H01L21/0228
摘要：本發明關於一種成膜方法，其包含以下步驟：將基板搬入真空容器內，並將基板載置於可旋轉地設置於真空容器內之旋轉台之步驟；旋轉旋轉台之步驟；吸附步驟，係從第1反應氣體供應部對基板供應第1反應氣體，來使第1反應氣體吸附在基板；形成步驟，係從第2反應氣體供應部對基板供應會與第1反應氣體反應的第2反應氣體，來使吸附在基板的第1反應氣體與第2反應氣體反應，而於基板形成反應生成物；以及從第1及第2反應氣體供應部對分離地設置於旋轉台的圓周方向之電漿產生部供應含氫氣體來使電漿生成於旋轉台的上方之步驟。
简体摘要：本发明关于一种成膜方法，其包含以下步骤：将基板搬入真空容器内，并将基板载置于可旋转地设置于真空容器内之旋转台之步骤；旋转旋转台之步骤；吸附步骤，系从第1反应气体供应部对基板供应第1反应气体，来使第1反应气体吸附在基板；形成步骤，系从第2反应气体供应部对基板供应会与第1反应气体反应的第2反应气体，来使吸附在基板的第1反应气体与第2反应气体反应，而于基板形成反应生成物；以及从第1及第2反应气体供应部对分离地设置于旋转台的圆周方向之等离子产生部供应含氢气体来使等离子生成于旋转台的上方之步骤。

8. 发明专利

TWI509688B 成膜裝置、成膜方法及記憶媒體有权
简体标题：成膜设备、成膜方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI509688B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW101116768
申请日：2012-05-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 菱谷克幸 , HISHIYA, KATSUYUKI , 菊地宏之 , KIKUCHI, HIROYUKI , 牛窪繁博 , USHIKUBO, SHIGEHIRO , 尾崎成則 , OZAKI, SHIGENORI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/4554 , H01J37/321

9. 发明专利

TWI488996B 成膜裝置、成膜方法、以及電腦可讀式記憶媒體有权
简体标题：成膜设备、成膜方法、以及电脑可读式记忆媒体
公开(公告)号：TWI488996B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW099126554
申请日：2010-08-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 菊地宏之 , KIKUCHI, HIROYUKI , 牛窪繁博 , USHIKUBO, SHIGEHIRO
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45551 , C23C16/402 , C23C16/45536

10. 发明专利

TWI433252B 活化氣體噴射器、成膜裝置及成膜方法有权
简体标题：活化气体喷射器、成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI433252B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW098128929
申请日：2009-08-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤壽 , KATO, HITOSHI , 竹內靖 , TAKEUCHI, YASUSHI , 牛窪繁博 , USHIKUBO, SHIGEHIRO , 菊地宏之 , KIKUCHI, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/54 , C23C16/455
CPC分类号： H01J37/32559 , C23C16/452 , C23C16/45517 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5093 , H01J1/00 , H01J37/3244 , H01J37/32449

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式