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1. 发明专利

TWI584340B 微波放射機構、微波電漿源及表面波電漿處理裝置有权
简体标题：微波放射机构、微波等离子源及表面波等离子处理设备
公开(公告)号：TWI584340B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW102101628
申请日：2013-01-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池田太郎 , IKEDA, TARO , 宮下大幸 , MIYASHITA, HIROYUKI , 長田勇輝 , OSADA, YUKI , 藤野豊 , FUJINO, YUTAKA , 小松智仁 , KOMATSU, TOMOHITO
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H05H1/46 , H05H2001/4615 , H05H2001/4622 , H05H2001/463

2. 发明专利

TWI555445B 微波導入機構、微波電漿源及微波電漿處理裝置有权
简体标题：微波导入机构、微波等离子源及微波等离子处理设备
公开(公告)号：TWI555445B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW100132416
申请日：2011-09-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池田太郎 , IKEDA, TARO , 長田勇輝 , OSADA, YUKI , 河西繁 , KASAI, SHIGERU , 宮下大幸 , MIYASHITA, HIROYUKI
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J23/005 , C23C16/45565 , C23C16/511 , H01J37/3222 , H01J37/32256 , H05H1/46 , H05H2001/463

3. 发明专利

TW201612943A 阻抗匹配用芯塊审中-公开
简体标题：阻抗匹配用芯块
公开(公告)号：TW201612943A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104116480
申请日：2015-05-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：宮下大幸 , MIYASHITA, HIROYUKI , 池田太郎 , IKEDA, TARO , 長田勇輝 , OSADA, YUKI , 小松智仁 , KOMATSU, TOMOHITO
IPC分类号： H01J37/32 , H03H7/38
CPC分类号： H01J37/32229 , H01J37/32311 , H01J37/3244 , H01P5/04
摘要：實現與全體由介電質所構成之芯塊相比，能夠擴大可匹配之負載之輸入阻抗之範圍的芯塊。芯塊(60)，係用以在將從電磁波供給源所供給之電磁波傳送至負載的導波路徑中，匹配電磁波供給源之輸出阻抗與負載之輸入阻抗而設置。導波路徑，係具有：筒狀之外側導體部；及內側導體部，相對於外側導體部而同軸地設置於外側導體部內。芯塊(60)，係在軸方向上可移動地設置於外側導體部與內側導體部之間。芯塊(60)，係具備有相互結合之筒狀的第1部分(61)與筒狀的第2部分(62)。第2部分(62)，係以第2部分(62)之內周面接觸於第1部分(61)之外周面的方式，位於第1部分(61)之外側。第1部分(61)，係藉由導體所構成，第2部分(62)，係藉由介電質所構成。
简体摘要：实现与全体由介电质所构成之芯块相比，能够扩大可匹配之负载之输入阻抗之范围的芯块。芯块(60)，系用以在将从电磁波供给源所供给之电磁波发送至负载的导波路径中，匹配电磁波供给源之输出阻抗与负载之输入阻抗而设置。导波路径，系具有：筒状之外侧导体部；及内侧导体部，相对于外侧导体部而同轴地设置于外侧导体部内。芯块(60)，系在轴方向上可移动地设置于外侧导体部与内侧导体部之间。芯块(60)，系具备有相互结合之筒状的第1部分(61)与筒状的第2部分(62)。第2部分(62)，系以第2部分(62)之内周面接触于第1部分(61)之外周面的方式，位于第1部分(61)之外侧。第1部分(61)，系借由导体所构成，第2部分(62)，系借由介电质所构成。

4. 发明专利

TW201344741A 微波放射機構、微波電漿源及表面波電漿處理裝置审中-公开
简体标题：微波放射机构、微波等离子源及表面波等离子处理设备
公开(公告)号：TW201344741A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102101628
申请日：2013-01-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池田太郎 , IKEDA, TARO , 宮下大幸 , MIYASHITA, HIROYUKI , 長田勇輝 , OSADA, YUKI , 藤野豊 , FUJINO, YUTAKA , 小松智仁 , KOMATSU, TOMOHITO
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H05H1/46 , H05H2001/4615 , H05H2001/4622 , H05H2001/463
摘要： [課題]提供可以提升增加輸入電力之時的電漿密度(電子密度)增加率的微波放射機構。[解決手段]微波放射機構(43)具有傳送微波的微波傳送路(44)，和對腔室(1)內放射在微波傳送路(44)被傳送之微波的天線部(45)，天線部(45)具有形成有放射微波之縫槽(131)的天線(81)，和使從天線(81)被放射之微波透過，在其表面形成表面波的介電體構件(110b)，並且具有包含縫槽(131)內壁及介電體構件(110b)之表面及內部的流動表面電流及位移電流之閉路(C)，閉路(C)之長度係於將微波之波長設為λ0之時，成為nλ0±δ(n為正的整數，δ為微調整成分(包含0))。
简体摘要： [课题]提供可以提升增加输入电力之时的等离子密度(电子密度)增加率的微波放射机构。[解决手段]微波放射机构(43)具有发送微波的微波发送路(44)，和对腔室(1)内放射在微波发送路(44)被发送之微波的天线部(45)，天线部(45)具有形成有放射微波之缝槽(131)的天线(81)，和使从天线(81)被放射之微波透过，在其表面形成表面波的介电体构件(110b)，并且具有包含缝槽(131)内壁及介电体构件(110b)之表面及内部的流动表面电流及位移电流之闭路(C)，闭路(C)之长度系于将微波之波长设为λ0之时，成为nλ0±δ(n为正的整数，δ为微调整成分(包含0))。

5. 发明专利

TW201332402A 微波放射機構、表面波電漿源及表面波電漿處理裝置审中-公开
简体标题：微波放射机构、表面波等离子源及表面波等离子处理设备
公开(公告)号：TW201332402A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101133756
申请日：2012-09-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池田太郎 , IKEDA, TARO , 長田勇輝 , OSADA, YUKI , 宮下大幸 , MIYASHITA, HIROYUKI , 河西繁 , KASAI, SHIGERU
IPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32 , H05H1/00
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32293 , H01J37/32935
摘要：微波放射機構(41)具備有表面波電漿產生用天線(81)、由介電體所構成之慢波材(82)、藉由從天線(81)被放射之微波形成用以生成表面波電漿之電場之介電體構件(83)、電場感測器(112)或電漿發光感測器(113)，及被設置成貫通慢波材(82)及表面波電漿產生用天線(81)的感測器插入孔(110)。感測器插入孔(110)係在對應於縫槽內側之區域，以縫槽之一個以上之整數倍之個數均等地被形成在同一圓周上，電場感測器(112)或電漿發光感測器(113)被插入至感測器插入孔(110)之至少一個。
简体摘要：微波放射机构(41)具备有表面波等离子产生用天线(81)、由介电体所构成之慢波材(82)、借由从天线(81)被放射之微波形成用以生成表面波等离子之电场之介电体构件(83)、电场传感器(112)或等离子发光传感器(113)，及被设置成贯通慢波材(82)及表面波等离子产生用天线(81)的传感器插入孔(110)。传感器插入孔(110)系在对应于缝槽内侧之区域，以缝槽之一个以上之整数倍之个数均等地被形成在同一圆周上，电场传感器(112)或等离子发光传感器(113)被插入至传感器插入孔(110)之至少一个。

6. 发明专利

TWI389170B 退火裝置有权
简体标题：退火设备
公开(公告)号：TWI389170B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW096133143
申请日：2007-09-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：河西繁 , KASAI, SHIGERU , 宮下大幸 , MIYASHITA, HIROYUKI , 米田昌剛 , YONEDA, MASATAKE , 鈴木智博 , SUZUKI, TOMOHIRO , 田中澄 , TANAKA, SUMI , 野村正道 , NOMURA, MASAMICHI , 清水美和 , SHIMIZU, MIWA
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/67109 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521

7. 发明专利

TW201234931A 微波導入機構、微波電漿源及微波電漿處理裝置审中-公开
简体标题：微波导入机构、微波等离子源及微波等离子处理设备
公开(公告)号：TW201234931A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100132416
申请日：2011-09-08
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：池田太郎 , 長田勇輝 , 河西繁 , 宮下大幸
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J23/005 , C23C16/45565 , C23C16/511 , H01J37/3222 , H01J37/32256 , H05H1/46 , H05H2001/463
摘要：微波導入機構(41)是具備:天線部(80),其係具有將微波放射至腔室內的平面天線(81);調諧器(60),其係用以使阻抗整合;及放熱機構(90),其係用以使天線部(80)的熱放熱,又,調諧器(60)係具有:本體(51),其係具有形成筒狀的外側導體(52)及內側導體(53),成為微波傳送路的一部分;芯塊(61a,61b),其係可移動地設於外側導體(52)與內側導體(53)之間;及芯塊驅動部(70),其係使芯塊移動,又,放熱機構(90)係具有:熱管(91),其係入熱端位於天線部(80),將天線部(80)的熱從入熱端往放熱端輸送;及放熱部(92),其係設於放熱端。
简体摘要：微波导入机构(41)是具备:天线部(80),其系具有将微波放射至腔室内的平面天线(81);调谐器(60),其系用以使阻抗集成;及放热机构(90),其系用以使天线部(80)的热放热,又,调谐器(60)系具有:本体(51),其系具有形成筒状的外侧导体(52)及内侧导体(53),成为微波发送路的一部分;芯块(61a,61b),其系可移动地设于外侧导体(52)与内侧导体(53)之间;及芯块驱动部(70),其系使芯块移动,又,放热机构(90)系具有:热管(91),其系入热端位于天线部(80),将天线部(80)的热从入热端往放热端输送;及放热部(92),其系设于放热端。

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