专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201340788A 微波加熱處理裝置及處理方法审中-公开
简体标题：微波加热处理设备及处理方法
公开(公告)号：TW201340788A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101150109
申请日：2012-12-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池田太郎 , IKEDA, TARO , 田中澄 , TANAKA, SUMI
IPC分类号： H05B6/64 , H01L21/324
CPC分类号： H05B6/6402 , H05B6/70 , H05B6/806
摘要：〔要約〕本發明的課題是在於提供一種電力的利用效率及加熱效率佳，且可對被處理體進行均一的處理之微波加熱處理裝置及處理方法。其解決手段為：4個的微波導入埠(10)是被設成其全部會離開晶圓(W)的正上方，且其長邊會與側壁部(12)的4個直線部分的至少1個平行。被設成包圍晶圓(W)的周圍之整流板(23)的上面是傾斜成從晶圓W側(內側)朝側壁部(12)側(外側)擴開而形成傾斜部(23A)。傾斜部(23A)是與4個的微波導入埠(10)上下對向設置。
简体摘要：〔要约〕本发明的课题是在于提供一种电力的利用效率及加热效率佳，且可对被处理体进行均一的处理之微波加热处理设备及处理方法。其解决手段为：4个的微波导入端口(10)是被设成其全部会离开晶圆(W)的正上方，且其长边会与侧壁部(12)的4个直线部分的至少1个平行。被设成包围晶圆(W)的周围之整流板(23)的上面是倾斜成从晶圆W侧(内侧)朝侧壁部(12)侧(外侧)扩开而形成倾斜部(23A)。倾斜部(23A)是与4个的微波导入端口(10)上下对向设置。

2. 发明专利

TWI389170B 退火裝置有权
简体标题：退火设备
公开(公告)号：TWI389170B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW096133143
申请日：2007-09-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：河西繁 , KASAI, SHIGERU , 宮下大幸 , MIYASHITA, HIROYUKI , 米田昌剛 , YONEDA, MASATAKE , 鈴木智博 , SUZUKI, TOMOHIRO , 田中澄 , TANAKA, SUMI , 野村正道 , NOMURA, MASAMICHI , 清水美和 , SHIMIZU, MIWA
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/67109 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521

3. 发明专利

TWI425112B 基板載置機構及具備該基板載置機構的基板處理裝置失效
简体标题：基板载置机构及具备该基板载置机构的基板处理设备
公开(公告)号：TWI425112B
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW097120252
申请日：2008-05-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田中澄 , TANAKA, SUMI , 小松智仁 , KOMATSU, TOMOHITO , 川崎裕雄 , KAWASAKI, HIROO
IPC分类号： C23C16/46 , H01L21/205 , H01L21/31 , H05B3/74

4. 发明专利

TW201624569A 熱處理方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TW201624569A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104128885
申请日：2015-09-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤雅敏 , SATOU, MASATOSHI , 鈴木智博 , SUZUKI, TOMOHIRO , 田中澄 , TANAKA, SUMI , 大矢和廣 , OOYA, KAZUHIRO , 本田倫基 , HONDA, TOMOKI
IPC分类号： H01L21/324
摘要：本發明的課題：在以光源作為熱源的熱處理裝置中，不受被處理體的表面狀態影響，而加熱到所期望的溫度。本發明的解決手段：本發明為一種熱處理方法，其將複數之發光元件單元30用於熱源，而對晶圓W進行熱處理；以第1照度U自發光元件單元30向晶圓W照射光，求取晶圓W的反射率R，並基於「晶圓W的反射率R」，以及預先求得之「第1照度U中晶圓W的升溫曲線與晶圓W的反射率R的相關關係Q」，將來自發光元件單元30的光之照度，從第1照度U修正為第2照度Ux。
简体摘要：本发明的课题：在以光源作为热源的热处理设备中，不受被处理体的表面状态影响，而加热到所期望的温度。本发明的解决手段：本发明为一种热处理方法，其将复数之发光组件单元30用于热源，而对晶圆W进行热处理；以第1照度U自发光组件单元30向晶圆W照射光，求取晶圆W的反射率R，并基于“晶圆W的反射率R”，以及预先求得之“第1照度U中晶圆W的升温曲线与晶圆W的反射率R的相关关系Q”，将来自发光组件单元30的光之照度，从第1照度U修正为第2照度Ux。

5. 发明专利

TW201401376A 微波加熱處理裝置及處理方法审中-公开
简体标题：微波加热处理设备及处理方法
公开(公告)号：TW201401376A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102106742
申请日：2013-02-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田中澄 , TANAKA, SUMI , 池田太郎 , IKEDA, TARO , 壁義郎 , KABE, YOSHIRO , 下村晃司 , SHIMOMURA, KOUJI , 洪錫亨 , HONG, SEOKHYOUNG , 山下潤 , YAMASHITA, JUN , 伴昌和 , BAN, MASAKAZU , 門田太一 , MONDEN, TAICHI , 前西政義 , MAENISHI, MASAYOSHI , 山良二 , YAMAZAKI, RYOJI
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H05B6/707 , H01L21/67115 , H01L21/6719 , H01L21/68792 , H05B6/6411 , H05B6/806 , H05B2206/044
摘要：在微波加熱處理裝置，於退火處理之間，藉由複數支撐栓(16)支撐晶圓(W)，藉著驅動旋轉驅動部(17)，使晶圓(W)在水平方向上以特定的速度旋轉。複數支撐栓(16)，藉由驅動升降驅動部(18)，與軸桿(14)一起升降於上下方向，可變地調節晶圓(W)的高度位置。由高壓電源部(40)對磁控管(31)施加電壓產生微波，透過導波管(32)、透過窗(33)，於處理容器(2)內導入旋轉的晶圓(W)的上方的空間。被導入處理容器(2)的微波，被照射於旋轉的晶圓(W)的表面，藉由焦耳加熱、磁性加熱、感應加熱等電磁波加熱，使晶圓(W)迅速被加熱。
简体摘要：在微波加热处理设备，于退火处理之间，借由复数支撑栓(16)支撑晶圆(W)，借着驱动旋转驱动部(17)，使晶圆(W)在水平方向上以特定的速度旋转。复数支撑栓(16)，借由驱动升降驱动部(18)，与轴杆(14)一起升降于上下方向，可变地调节晶圆(W)的高度位置。由高压电源部(40)对磁控管(31)施加电压产生微波，透过导波管(32)、透过窗(33)，于处理容器(2)内导入旋转的晶圆(W)的上方的空间。被导入处理容器(2)的微波，被照射于旋转的晶圆(W)的表面，借由焦耳加热、磁性加热、感应加热等电磁波加热，使晶圆(W)迅速被加热。

6. 发明专利

TWI591727B 熱處理方法及熱處理裝置有权
简体标题：热处理方法及热处理设备
公开(公告)号：TWI591727B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW104128885
申请日：2015-09-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤雅敏 , SATOU, MASATOSHI , 鈴木智博 , SUZUKI, TOMOHIRO , 田中澄 , TANAKA, SUMI , 大矢和廣 , OOYA, KAZUHIRO , 本田倫基 , HONDA, TOMOKI
IPC分类号： H01L21/324

7. 外观设计

TWD139311S 晶圓處理用熱擴散板 THERMAL DIFFUSION PLATE FOR PROCESSING WAFER 有权
简体标题：晶圆处理用热扩散板 THERMAL DIFFUSION PLATE FOR PROCESSING WAFER
公开(公告)号：TWD139311S
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW098306287
申请日：2009-12-25
申请人：東京威力科創股份有限公司
设计人：田中澄 , 小松智仁 , 川崎裕雄
摘要：【物品用途】
本創作的物品是晶圓處理用熱擴散板，是在對晶圓利用電漿施行處理時用來加熱該晶圓之加熱器組件的構成零件。
【創作特點】
由各圖觀之，本物品是由略圓板狀的陶瓷構件所製成，在外緣部具有沿著圓周方向均等地被配置的三個螺栓孔。本物品如「使用狀態參考圖」所示，在加熱器組件的上部被配置成在處理室內面對著具有作為連接高頻電源之電極的功能之電漿淋浴頭，用以擴散來自加熱器組件的熱能，以資均等地加熱被載置在本物品上的晶圓。本物品之直徑約為330mm。
简体摘要：【物品用途】本创作的物品是晶圆处理用热扩散板，是在对晶圆利用等离子施行处理时用来加热该晶圆之加热器组件的构成零件。【创作特点】由各图观之，本物品是由略圆板状的陶瓷构件所制成，在外缘部具有沿着圆周方向均等地被配置的三个螺栓孔。本物品如“使用状态参考图”所示，在加热器组件的上部被配置成在处理室内面对着具有作为连接高频电源之电极的功能之等离子淋浴头，用以扩散来自加热器组件的热能，以资均等地加热被载置在本物品上的晶圆。本物品之直径约为330mm。

8. 外观设计

TWD137197S 晶圓處理用加熱器組件 HEATER UNIT FOR PROCESSING WAFER 有权
简体标题：晶圆处理用加热器组件 HEATER UNIT FOR PROCESSING WAFER
公开(公告)号：TWD137197S
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW098306284
申请日：2009-12-25
申请人：東京威力科創股份有限公司
设计人：田中澄 , 小松智仁 , 川崎裕雄
摘要：【物品用途】
本創作的物品是晶圓處理用加熱器組件，是被配置在對晶圓利用電漿施行處理的處理室內的晶圓處理用加熱組件。
【創作特點】
本物品係如「使用狀態參考圖」所示，在處理室內被配置成面對著具有作為連接高頻電源之電極的功能之電漿淋浴頭。本物品具備有：載置晶圓的圓板狀的載置台、和支撐該載置台的支柱，該支柱在處理室內被圓筒形的陶瓷外殼所包覆，在處理室外利用多角形的樹脂外殼所包覆。本物品中，由碳線所製成之線狀的加熱器構件是依照預定的圖案被配置在載置台的內部，該加熱器構件是用來加熱被載置在載置台上的晶圓。本物品的高度約為500mm，本物品中的載置台之直徑約為350mm。
简体摘要：【物品用途】本创作的物品是晶圆处理用加热器组件，是被配置在对晶圆利用等离子施行处理的处理室内的晶圆处理用加热组件。【创作特点】本物品系如“使用状态参考图”所示，在处理室内被配置成面对着具有作为连接高频电源之电极的功能之等离子淋浴头。本物品具备有：载置晶圆的圆板状的载置台、和支撑该载置台的支柱，该支柱在处理室内被圆筒形的陶瓷外壳所包覆，在处理室外利用多角形的树脂外壳所包覆。本物品中，由碳线所制成之线状的加热器构件是依照预定的图案被配置在载置台的内部，该加热器构件是用来加热被载置在载置台上的晶圆。本物品的高度约为500mm，本物品中的载置台之直径约为350mm。

9. 发明专利

TW201251515A 微波照射裝置审中-公开
简体标题：微波照射设备
公开(公告)号：TW201251515A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101105730
申请日：2012-02-22
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：河西繁 , 山崎良二 , 蘆田光利 , 小佃雄治 , 田中澄
IPC分类号： H05B , H01L
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H05B6/806
摘要：本發明係提供一種微波照射裝置,可一邊對被處理體照射微波、一邊個別獨立地進行被處理體之溫度控制。本發明之微波照射裝置,係對被處理體照射微波來進行處理;具備有:處理容器,係可進行真空排氣;支撐台,係支撐被處理體;處理氣體導入機構,係導入處理氣體;微波導入機構,係導入微波;加熱機構,係加熱被處理體;氣體冷卻機構,係將被處理體以冷卻氣體來冷卻;輻射溫度計,係測定被處理體之溫度;以及溫度控制部,係基於輻射溫度計之測定値來控制加熱機構與氣體冷卻機構,藉以調整被處理體之溫度。藉此,可一邊對被處理體照射微波、一邊個別獨立地進行被處理體之溫度控制。
简体摘要：本发明系提供一种微波照射设备,可一边对被处理体照射微波、一边个别独立地进行被处理体之温度控制。本发明之微波照射设备,系对被处理体照射微波来进行处理;具备有:处理容器,系可进行真空排气;支撑台,系支撑被处理体;处理气体导入机构,系导入处理气体;微波导入机构,系导入微波;加热机构,系加热被处理体;气体冷却机构,系将被处理体以冷却气体来冷却;辐射温度计,系测定被处理体之温度;以及温度控制部,系基于辐射温度计之测定値来控制加热机构与气体冷却机构,借以调整被处理体之温度。借此,可一边对被处理体照射微波、一边个别独立地进行被处理体之温度控制。

10. 发明专利

TW201120985A 處理裝置及其動作方法审中-公开
简体标题：处理设备及其动作方法
公开(公告)号：TW201120985A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW099123959
申请日：2010-07-21
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：野村正道 , 小泉建次郎 , 河西繁 , 田中澄
IPC分类号： H01L , B65G
CPC分类号： H01L21/68792
摘要：本發明的處理裝置，係對於被處理體實施所定的處理之處理裝置，其特徵係具備：處理容器，其係可排氣；旋轉浮上體，其係配置於前述處理容器內，在上端側支撐前述被處理體，由非磁性材料所構成；複數的旋轉XY用吸附體，其係於前述旋轉浮上體沿著其周方向以所定的間隔設置，由磁性材料所構成；環狀的浮上用吸附體，其係於前述旋轉浮上體沿著其周方向設置，由磁性材料所構成；浮上用電磁石群，其係設於前述處理容器的外側，而使朝垂直方向上方的磁氣吸引力作用於前述浮上用吸附體，一面調整前述旋轉浮上體的傾斜，一面使浮上；旋轉XY用電磁石群，其係設於前述處理容器的外側，而使磁氣吸引力作用於前述旋轉XY用吸附體，使前述被浮上的前述旋轉浮上體在水平方向一面調整位置一面旋轉；氣體供給手段，其係往前述處理容器內供給必要的氣體；處理機構，其係對前述被處理體實施所定的處理；及裝置控制部，其係控制裝置全體的動作。
简体摘要：本发明的处理设备，系对于被处理体实施所定的处理之处理设备，其特征系具备：处理容器，其系可排气；旋转浮上体，其系配置于前述处理容器内，在上端侧支撑前述被处理体，由非磁性材料所构成；复数的旋转XY用吸附体，其系于前述旋转浮上体沿着其周方向以所定的间隔设置，由磁性材料所构成；环状的浮上用吸附体，其系于前述旋转浮上体沿着其周方向设置，由磁性材料所构成；浮上用电磁石群，其系设于前述处理容器的外侧，而使朝垂直方向上方的磁气吸引力作用于前述浮上用吸附体，一面调整前述旋转浮上体的倾斜，一面使浮上；旋转XY用电磁石群，其系设于前述处理容器的外侧，而使磁气吸引力作用于前述旋转XY用吸附体，使前述被浮上的前述旋转浮上体在水平方向一面调整位置一面旋转；气体供给手段，其系往前述处理容器内供给必要的气体；处理机构，其系对前述被处理体实施所定的处理；及设备控制部，其系控制设备全体的动作。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式