专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201802937A 蝕刻銅層之方法审中-公开
简体标题：蚀刻铜层之方法
公开(公告)号：TW201802937A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106119208
申请日：2017-06-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田原慈 , TAHARA, SHIGERU , 浦山大介 , URAYAMA, DAISUKE , 松本賢治 , MATSUMOTO, KENJI , 三好秀典 , MIYOSHI, HIDENORI
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F1/12
摘要：本發明之一實施形態之蝕刻銅層之方法MT係對晶圓W中所含且含有銅之被蝕刻層EL進行蝕刻之方法。晶圓W具備被蝕刻層EL及設置於被蝕刻層EL上之遮罩MK。方法MT係反覆執行程序SQ而對被蝕刻層EL進行蝕刻，該程序SQ包含：第1步驟，其係於收容有晶圓W之電漿處理裝置10之處理容器12內產生第1氣體之電漿；第2步驟，其係於處理容器12內產生第2氣體之電漿；及第3步驟，其係於處理容器12內產生第3氣體之電漿。第1氣體含有碳氫氣體，第2氣體含有稀有氣體、或稀有氣體與氫氣之混合氣體之任一者，第3氣體含有氫氣。
简体摘要：本发明之一实施形态之蚀刻铜层之方法MT系对晶圆W中所含且含有铜之被蚀刻层EL进行蚀刻之方法。晶圆W具备被蚀刻层EL及设置于被蚀刻层EL上之遮罩MK。方法MT系反复运行进程SQ而对被蚀刻层EL进行蚀刻，该进程SQ包含：第1步骤，其系于收容有晶圆W之等离子处理设备10之处理容器12内产生第1气体之等离子；第2步骤，其系于处理容器12内产生第2气体之等离子；及第3步骤，其系于处理容器12内产生第3气体之等离子。第1气体含有碳氢气体，第2气体含有稀有气体、或稀有气体与氢气之混合气体之任一者，第3气体含有氢气。

2. 发明专利

TWI399808B 蝕刻方法及蝕刻裝置有权
简体标题：蚀刻方法及蚀刻设备
公开(公告)号：TWI399808B
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：TW095110091
申请日：2006-03-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田原慈 , TAHARA, SHIGERU , 西野雅 , NISHINO, MASARU
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F1/12

3. 发明专利

TW201308428A 堆積物去除方法审中-公开
简体标题：堆积物去除方法
公开(公告)号：TW201308428A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101116604
申请日：2012-05-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田原慈 , TAHARA, SHIGERU , 西村榮一 , NISHIMURA, EIICHI , 富田寬 , TOMITA, HIROSHI , 大岩德久 , OHIWA, TOKUHISA , 大口壽史 , OKUCHI, HISASHI , 大村光廣 , OMURA, MITSUHIRO
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： B05D3/145 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/31116
摘要：本發明提供一種堆積物去除方法，係無關於蝕刻處理後的放置時間長短，可有效率地去除堆積物，並且，可抑制對於圖案中之構造物的二氧化矽所造成的損傷。該堆積物去除方法係去除堆積在因蝕刻而形成於基板上之圖案表面的堆積物，其特徵為具有以下工序：氧電漿處理工序，係一邊加熱該基板一邊將該基板曝露在氧電漿；循環處理工序，係於該氧電漿處理工序後，將該基板於處理室內曝露在氟化氫氣與醇氣體之混合氣體的氛圍，並且，重複多次使該醇氣體的分壓為第1分壓之第1期間，與將處理室內排氣而使該醇氣體的分壓為低於第1分壓的第2分壓之第2期間之循環。
简体摘要：本发明提供一种堆积物去除方法，系无关于蚀刻处理后的放置时间长短，可有效率地去除堆积物，并且，可抑制对于图案中之构造物的二氧化硅所造成的损伤。该堆积物去除方法系去除堆积在因蚀刻而形成于基板上之图案表面的堆积物，其特征为具有以下工序：氧等离子处理工序，系一边加热该基板一边将该基板曝露在氧等离子；循环处理工序，系于该氧等离子处理工序后，将该基板于处理室内曝露在氟化氢气与醇气体之混合气体的氛围，并且，重复多次使该醇气体的分压为第1分压之第1期间，与将处理室内排气而使该醇气体的分压为低于第1分压的第2分压之第2期间之循环。

4. 发明专利

TW201142942A 基板之清潔方法及基板之清潔裝置审中-公开
简体标题：基板之清洁方法及基板之清洁设备
公开(公告)号：TW201142942A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW100100563
申请日：2011-01-07
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：田原慈 , 山下扶美子 , 西村榮一 , 大岩德久 , 松下貴哉 , 富田寬
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L21/02057
摘要：本發明提供一種基板之清潔方法及基板之清潔裝置,其係於藉由電漿蝕刻來形成包含有矽層的露出部之圖案時,可在不會對圖案造成損傷之情況下進行副產物的去除與殘留氟的去除。該基板之清潔方法係於藉由電漿蝕刻來形成基板上的圖案後清潔基板表面,其具有以下步驟:副產物去除步驟,係將基板曝露在HF氣體氛圍來去除副產物;及殘留氟去除步驟,係將含有氫氣與以碳及氫作為構成元素之化合物的氣體之清潔氣體電漿化並作用於基板,來將殘留在該基板的氟去除。
简体摘要：本发明提供一种基板之清洁方法及基板之清洁设备,其系于借由等离子蚀刻来形成包含有硅层的露出部之图案时,可在不会对图案造成损伤之情况下进行副产物的去除与残留氟的去除。该基板之清洁方法系于借由等离子蚀刻来形成基板上的图案后清洁基板表面,其具有以下步骤:副产物去除步骤,系将基板曝露在HF气体氛围来去除副产物;及残留氟去除步骤,系将含有氢气与以碳及氢作为构成元素之化合物的气体之清洁气体等离子化并作用于基板,来将残留在该基板的氟去除。

5. 发明专利

TW200302035A 環狀機構及使用該環狀機構之電漿處理裝置审中-公开
简体标题：环状机构及使用该环状机构之等离子处理设备
公开(公告)号：TW200302035A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：TW091135997
申请日：2002-12-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：輿石公 , 橋本充 , 田中秀朗 , 田原慈 , 日向邦彥 , 大藪淳
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32642 , Y10S156/915
摘要：本發明係具有環設於處理腔室內之載置台(下部電極)上之晶圓W的對焦環、以及分割之覆蓋環，故可使電漿朝對焦環之直徑方向的外側擴散，且分割之環間設有環狀間隙δ1，電漿可進入間隙而消除晶圓W及對焦環間之電位差，故為可防止因為電漿而使晶圓W及對焦環間產生電弧放電之環狀機構。
简体摘要：本发明系具有环设于处理腔室内之载置台(下部电极)上之晶圆W的对焦环、以及分割之覆盖环，故可使等离子朝对焦环之直径方向的外侧扩散，且分割之环间设有环状间隙δ1，等离子可进入间隙而消除晶圆W及对焦环间之电位差，故为可防止因为等离子而使晶圆W及对焦环间产生电弧放电之环状机构。

6. 发明专利

TW201727695A 處理被處理體之方法审中-公开
简体标题：处理被处理体之方法
公开(公告)号：TW201727695A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105135471
申请日：2016-11-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田原慈 , TAHARA, SHIGERU
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/321 , H01J37/32183 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/31144
摘要：本發明係提供一種於電漿處理裝置之處理容器內進行之處理晶圓之方法。該方法係對於SiOCH之多孔質膜電漿蝕刻之方法，且係能夠抑制多孔質膜之介電常數之上升等各種劣化之方法。晶圓具備多孔質膜及設置於多孔質膜上之遮罩，方法具備於處理容器內產生第1氣體之電漿及第2氣體之電漿，且使用遮罩對多孔質膜進行蝕刻之步驟。多孔質膜包含SiOCH，第1氣體包含氟碳系氣體。第2氣體包含GeF4氣體。
简体摘要：本发明系提供一种于等离子处理设备之处理容器内进行之处理晶圆之方法。该方法系对于SiOCH之多孔质膜等离子蚀刻之方法，且系能够抑制多孔质膜之介电常数之上升等各种劣化之方法。晶圆具备多孔质膜及设置于多孔质膜上之遮罩，方法具备于处理容器内产生第1气体之等离子及第2气体之等离子，且使用遮罩对多孔质膜进行蚀刻之步骤。多孔质膜包含SiOCH，第1气体包含氟碳系气体。第2气体包含GeF4气体。

7. 发明专利

TWI588891B 嵌段共聚物之蝕刻方法有权
简体标题：嵌段共聚物之蚀刻方法
公开(公告)号：TWI588891B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW102134455
申请日：2013-09-25
申请人：愛美科公司 , IMEC , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：曾文德 , CHAN, BOON TEIK , 田原慈 , TAHARA, SHIGERU
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0271 , B81C1/00031 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , H01L21/31138

8. 发明专利

TW201428818A 應用崁段共聚物之蝕刻方法审中-公开
简体标题：应用崁段共聚物之蚀刻方法
公开(公告)号：TW201428818A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102140042
申请日：2013-11-05
申请人：愛美科公司 , IMEC , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：曾文德 , CHAN, BOON TEIK , 田原慈 , TAHARA, SHIGERU
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3086 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/0271 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3088 , H01L27/04 , H01L51/0014 , H01L51/0017
摘要：本發明揭示一種用於微影之方法，該方法包括：-獲得(12)在上覆一基板(23)之一中性層上之一自組織崁段共聚物層(21)，該自組織崁段共聚物層(21)包括具有相互不同之蝕刻抗性的至少兩個聚合物組分(24、25)，此外，該自組織崁段共聚物層(21)包括藉由該至少兩個聚合物組分(24、25)之微相分離而形成之一共聚物圖案結構，-選擇性蝕刻(14)該自組織崁段共聚物層(21)之一第一聚合物組分(25)，藉此餘留一第二聚合物組分(24)，-使用該第二聚合物組分(24)作為一遮罩，施加一電漿蝕刻(16)至該中性層(22”)，其中該電漿蝕刻(16)包括一惰性氣體及H2。
简体摘要：本发明揭示一种用于微影之方法，该方法包括：-获得(12)在上覆一基板(23)之一中性层上之一自组织崁段共聚物层(21)，该自组织崁段共聚物层(21)包括具有相互不同之蚀刻抗性的至少两个聚合物组分(24、25)，此外，该自组织崁段共聚物层(21)包括借由该至少两个聚合物组分(24、25)之微相分离而形成之一共聚物图案结构，-选择性蚀刻(14)该自组织崁段共聚物层(21)之一第一聚合物组分(25)，借此余留一第二聚合物组分(24)，-使用该第二聚合物组分(24)作为一遮罩，施加一等离子蚀刻(16)至该中性层(22”)，其中该等离子蚀刻(16)包括一惰性气体及H2。

9. 发明专利

TW201332010A 沉積物移除方法审中-公开
简体标题：沉积物移除方法
公开(公告)号：TW201332010A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101135420
申请日：2012-09-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：田原慈 , TAHARA, SHIGERU , 西村榮一 , NISHIMURA, EIICHI , 松本孝典 , MATSUMOTO, TAKANORI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , B05D3/145 , H01L21/02057 , H01L21/28 , H01L21/31116 , H01L21/76224
摘要：本發明提供一種沉積物移除方法，移除沉積物，此沉積物沉積在藉由蝕刻而形成於基板上的圖案之表面；其特徵為包含如下步驟：第1處理步驟，將基板暴露於含有氟化氫氣體之氣體環境；氧電漿處理步驟，於第1處理步驟後，一面加熱基板一面將其暴露於氧電漿；以及第2處理步驟，於氧電漿處理步驟後，將基板暴露於含有氟化氫氣體之氣體環境。
简体摘要：本发明提供一种沉积物移除方法，移除沉积物，此沉积物沉积在借由蚀刻而形成于基板上的图案之表面；其特征为包含如下步骤：第1处理步骤，将基板暴露于含有氟化氢气体之气体环境；氧等离子处理步骤，于第1处理步骤后，一面加热基板一面将其暴露于氧等离子；以及第2处理步骤，于氧等离子处理步骤后，将基板暴露于含有氟化氢气体之气体环境。

10. 发明专利

TW201030842A 半導體裝置之製造方法及半導體裝置之製造裝置审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体设备之制造设备
公开(公告)号：TW201030842A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098135381
申请日：2009-10-20
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：淺子龍一 , 白石豪介 , 田原慈
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31058 , H01L21/3105 , H01L21/67115 , H01L21/76808 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76826
摘要：本發明係關於一種半導體裝置之製造方法及半導體裝置之製造裝置,係提供一種可修復曝露在CO2電漿之低介電率絕緣膜所受到的損傷而可使低介電率絕緣膜為良好的狀態,並提高半導體裝置之性能與可靠度的半導體裝置之製造方法以及半導體裝置之製造裝置。其中該半導體裝置之製造方法係具有:對形成於基板之低介電率絕緣膜進行蝕刻之蝕刻處理步驟;於該蝕刻處理步驟後,將基板曝露在CO2電漿之CO2電漿處理步驟;以及於CO2電漿處理步驟後,對低介電率絕緣膜照射紫外線之紫外線處理步驟。
简体摘要：本发明系关于一种半导体设备之制造方法及半导体设备之制造设备,系提供一种可修复曝露在CO2等离子之低介电率绝缘膜所受到的损伤而可使低介电率绝缘膜为良好的状态,并提高半导体设备之性能与可靠度的半导体设备之制造方法以及半导体设备之制造设备。其中该半导体设备之制造方法系具有:对形成于基板之低介电率绝缘膜进行蚀刻之蚀刻处理步骤;于该蚀刻处理步骤后,将基板曝露在CO2等离子之CO2等离子处理步骤;以及于CO2等离子处理步骤后,对低介电率绝缘膜照射紫外线之紫外线处理步骤。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式