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1. 发明申请

WO2003015149A1 熱処理方法および熱処理装置审中-公开
标题翻译：热处理方法和热处理装置
公开(公告)号：WO2003015149A1
公开(公告)日：2003-02-20
申请号：PCT/JP2002/007974
申请日：2002-08-05
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 坂本浩一 , 竹永裕一 , 横田隆 , 川村和広
发明人：坂本浩一 , 竹永裕一 , 横田隆 , 川村和広
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67253 , F27D19/00 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , Y10T29/41
摘要： A heat treatment method and a heat treatment device, the method comprising the steps of, when treated bodies of less quantity than the maximum treatable quantity thereof in a treated body holder are heat treated, specifying a heat treated body quantity range having the quantity of the treated bodies belonging thereto selectively from one or more treated body quantity ranges having a standard quantity less than the maximum treatable quantity in the treated body holder set as the maximum value, placing the treated bodies according to a placing pattern set in correspondence to the specified treated body quantity range, and heat−treating the treated bodies under the treating conditions pre−set according to the placing pattern; the heat treatment device comprising a controller for implementing the heat treatment method.
摘要翻译：一种热处理方法和热处理装置，所述方法包括以下步骤：当处理体保持器中经过处理体的最大可处理量少的处理体进行热处理时，指定具有处理过的物体选择性地从一个或多个经处理的身体量范围，其处理体数范围小于被处理体保持器中的最大可处理量设定为最大值，将处理体根据对应于指定处理的放置图案放置根据放置图案预处理的处理条件对被处理体进行热处理; 所述热处理装置包括用于实施所述热处理方法的控制器。

2. 发明申请

WO2005004214A1 熱処理装置及びその校正方法审中-公开
标题翻译：热处理装置和校准装置的方法
公开(公告)号：WO2005004214A1
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：PCT/JP2004/009326
申请日：2004-07-01
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 朴永哲 , 川村和広 , 竹永裕一
发明人：朴永哲 , 川村和広 , 竹永裕一
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/46 , H01L21/67103 , H01L21/67248
摘要：　本発明は、熱モデルを用いて被処理体の温度を予想し、予想した温度に基づいて温度制御を行いつつ熱処理を行う熱処理装置において、正確な温度予想を可能とすることを目的としている。熱処理装置１は、複数のウエハＷを収容する処理容器１１と複数のヒータ３１～３３と複数の温度センサＳ１～Ｓ５とを備え、熱モデルを記憶する。熱処理装置１は、温度センサＳ１～Ｓ５の出力から熱モデルを用いてウエハＷの温度を予想し、予想した温度に基づいてヒータ３１～３３を制御することにより、ウエハＷに熱処理を施す。個々の装置における熱モデルは、基本装置に基づいて設計された基準熱モデルを個々の装置用に校正して生成される。処理容器１１内を加熱し、処理容器１１内のウエハＷの温度をセンサで測定し、熱モデルを用いてウエハＷの温度を予想し、実測温度と予想温度とを比較し、実測温度が予想温度に実質的に一致するように基準熱モデルが校正される。
摘要翻译： 1.一种热处理装置（1），其能够通过使用热模型来精确地预测被处理体的温度，并且在基于预测温度进行温度控制的同时进行热处理，所述热处理装置包括：容纳多个晶片的处理容器（11）），多个加热器（31）至（33），以及多个温度传感器（S1）至（S5），并存储热模型。热处理装置（1）通过使用热模型，基于来自温度传感器（S1）〜（S5）的输出来预测晶片的温度（W），并且基于预测温度，将加热器（31）控制为（33）对晶片（W）进行热处理。每个设备的热模型通过将基于基本设备设计的参考热模型校准为每个设备一个来生成。处理容器（11）的内部被加热，用传感器测量处理容器（11）中的晶片（W）的温度，通过使用热模型来预测晶片的温度（W），将实际测量的温度与预测温度进行比较，并校准参考热模型，使得实际测量的温度与预测温度基本相同。

3. 发明申请

WO2003021646A1 処理システム审中-公开
标题翻译：治疗系统
公开(公告)号：WO2003021646A1
公开(公告)日：2003-03-13
申请号：PCT/JP2002/008687
申请日：2002-08-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 小原浅己 , 竹永裕一
发明人：小原浅己 , 竹永裕一
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67276 , C23C16/52 , G05B19/4099 , G05B2219/32182 , G05B2219/45031 , H01L21/67253 , H01L22/20 , Y02P90/22
摘要： A plurality of treatment apparatuses (3) such as a CVD apparatus (31) and a diffusion apparatus (33), a measurement apparatus (5), and a control computer (7) for management are connected via the LAN (9). The treatment apparatuses (3) store control information for executing treatment. The control computer (7) also stores control information of the treatment apparatuses (3). The control computer (7) receives a treatment result of a treatment apparatus (3) to be calibrated and calibrates the control information stored according to the treatment result. After the calibration is complete, the control computer (7) transmits the calibrated control information to the treatment apparatus (3). The treatment apparatus (3) stores the calibrated control information and uses it for the next treatment.
摘要翻译：通过LAN（9）连接多个处理装置（3），例如CVD装置（31）和扩散装置（33），测量装置（5）和用于管理的控制计算机（7）。处理装置（3）存储用于执行处理的控制信息。控制计算机（7）还存储处理装置（3）的控制信息。控制计算机（7）接收要校准的处理装置（3）的处理结果，并根据处理结果校准存储的控制信息。在校准完成之后，控制计算机（7）将校准的控制信息传送到处理装置（3）。治疗装置（3）存储校准的控制信息并将其用于下一次治疗。

4. 发明专利

JP2018170466A 基板処理システム、制御装置、群コントローラ及びホストコンピュータ审中-公开
公开(公告)号：JP2018170466A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：JP2017068410
申请日：2017-03-30
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：竹永裕一
IPC分类号： C23C16/52 , C23C14/54 , H01L21/02
CPC分类号： G05B19/188 , G05B19/406 , G05B2219/45031
摘要：【課題】入力ミスを高い精度で検出することが可能な基板処理システムを提供すること。【解決手段】一実施形態の基板処理システムは、処理容器内に収容された基板に対し、所定の処理を実行することが可能な基板処理装置を備える基板処理システムであって、前記所定の処理を実行するための設定値の入力を受け付ける入力受付部と、前記入力受付部が受け付けた前記設定値と、前記基板処理装置の特性とに基づいて、前記入力受付部が受け付けた前記設定値が妥当であるか否かを判定する判定部と、を有する。【選択図】図10

5. 发明专利

JP6378639B2 処理システム、処理方法、及び、プログラム审中-公开
公开(公告)号：JP6378639B2
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：JP2015061610
申请日：2015-03-24
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：竹永裕一 , 山地要 , 大田拓市
IPC分类号： C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/31

6. 发明专利

JP2016181622A 処理システム、処理方法、及び、プログラム有权
标题翻译：处理系统，处理方法和程序
公开(公告)号：JP2016181622A
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：JP2015061538
申请日：2015-03-24
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：竹永裕一 , 笠井隆人
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/22 , H01L21/324 , H01L21/31
摘要：【課題】精度良く、使いやすい処理システム、処理方法、及び、プログラムを提供する。【解決手段】熱処理装置の制御部50は、処理条件を記憶するレシピ記憶部52と、学習履歴ファイルを記憶する学習履歴ファイル記憶部53と、処理変化モデルを記憶するモデル記憶部51と、処理結果に関する情報を受信する処理情報受信部と、処理条件を特定する処理条件特定手段と、処理結果が許容範囲内か否かを判別する処理結果判別手段と、同一の処理条件が記憶された学習履歴ファイルが作成された時から、装置コンディションが変化しているか否かにより、学習履歴ファイルを使用するか否かを判別する使用判別手段と、記憶された学習履歴ファイルから特定した学習履歴ファイルを決定する学習履歴ファイル決定手段と、特定された処理条件と、決定された学習履歴ファイルと、処理変化モデルとに基づいて、目標とする処理結果に近い処理条件を算出する処理条件算出手段と、算出された処理条件を特定された処理条件に更新する処理条件更新手段と、を備えている。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供高精度和用户友好的处理系统，处理方法和程序。解决方案：热处理装置的控制单元50包括：存储处理条件的食谱存储单元52; 存储学习历史文件的学习历史文件存储单元53; 存储处理变更模型的模型存储单元51; 处理信息接收单元，其接收与处理结果相关的信息; 处理条件识别装置，用于识别处理条件; 处理结果确定装置，用于确定处理结果是否在容许范围内; 使用确定装置，用于根据在创建学习历史文件之后是否改变设备条件来确定是否使用存储相同处理条件的学习历史文件; 学习历史文件确定装置，用于从存储的学习历史文件中确定所识别的学习历史文件; 处理条件计算装置，用于基于所识别的处理条件，所确定的学习历史文件和处理变化模型来计算接近目标处理结果的处理条件; 以及处理条件更新装置，用于将所计算的处理条件更新为所识别的处理条件。选择图：图3

7. 发明专利

JP2016136598A 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム有权
标题翻译：热处理系统，热处理方法和程序
公开(公告)号：JP2016136598A
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：JP2015011678
申请日：2015-01-23
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：竹永裕一 , 笠井隆人
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/22 , H01L21/324 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/31
摘要：【課題】熱処理結果の精度低下を防止することができる熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラムを提供する。【解決手段】熱処理装置1は、複数枚の半導体ウエハWおよびモニタウエハを収容した反応管2を加熱するヒータ部10により半導体ウエハWを熱処理する。熱処理装置1の制御部50は、反応管2に収容されたモニタウエハの位置が妥当であるか否かを判別する判別手段と、判別手段により反応管2に収容されたモニタウエハの位置が妥当でないと判別されると、モニタウエハの位置が妥当でない旨の情報を表示手段に表示させて警告する警告手段とを備えている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够防止热处理结果的精度降低的热处理系统，热处理方法和程序。热处理装置1通过使用加热器对半导体晶片W进行热处理用于加热容纳多个半导体晶片W的反应管2和监视晶片的单元10。热处理装置1包括：控制单元50，包括：确定装置，用于确定容纳在反应管2中的监视器晶片的位置是否合适; 以及警告装置，用于当由确定装置确定容纳在反应管2中的监视器晶片的位置不适当时，通过使显示装置显示表示监视器晶片的位置不适当的信息来发出警告。选择的图示：图1

8. 发明专利

JP2015176903A 制御装置、基板処理装置及び基板処理システム有权
标题翻译：控制装置，基板处理装置和基板处理系统
公开(公告)号：JP2015176903A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014050318
申请日：2014-03-13
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：竹永裕一 , 齋藤孝規
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/52 , H01L21/31
CPC分类号： G05B19/41865 , G05B2219/45032 , H01L21/67253 , Y02P90/04 , Y02P90/20
摘要：【課題】モニタウエハの投入頻度を最適化できる制御装置を提供すること。【解決手段】少なくともモニタ基板を載置可能である基板処理装置の作動を制御する制御装置であって、前記制御装置は、前記基板処理装置で処理された前記モニタ基板の処理結果と予測結果との間のずれに基づいて、前記モニタ基板の投入頻度を最適化するように前記基板処理装置の作動を制御する、制御装置。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够优化监视器晶片的馈送频率的控制装置。解决方案：控制装置控制可以至少安装监视器基板的基板处理装置的操作。控制装置基于在基板处理装置中处理的监视基板的处理结果与预测结果之间的偏差，来控制基板处理装置的动作，从而优化监视基板的供给频率。

9. 发明专利

JP6771418B2 基板処理システム、制御装置、群コントローラ及びホストコンピュータ有权
公开(公告)号：JP6771418B2
公开(公告)日：2020-10-21
申请号：JP2017068410
申请日：2017-03-30
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：竹永裕一
IPC分类号： C23C16/52 , C23C14/54 , H01L21/02

10. 发明专利

JP6578101B2 処理システム及び処理方法有权
公开(公告)号：JP6578101B2
公开(公告)日：2019-09-18
申请号：JP2015019319
申请日：2015-02-03
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：竹永裕一
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/324 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/31

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