专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

TW201841384A 半導體發光元件审中-公开
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TW201841384A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107129078
申请日：2015-01-16
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：邱新智 , CHIU,HSIN CHIH , 陳世益 , CHEN,SHIH I , 呂志強 , LU,CHIH CHIANG
IPC分类号： H01L33/08 , H01L33/22
摘要：一種半導體發光元件，包含一磊晶疊層具有一第一半導體層、一第二半導體層以及一主動層位於該第一半導體層以及該第二半導體層之間用以產生一光波；以及一主要出光面位於該第一半導體層之上，該光波穿透過該主要出光面；其中，該主要出光面包含一第一出光區域、一第二出光區域以及一最大近場發光強度，該第一出光區域內的近場發光強度分佈介於該最大近場發光強度的70%到100%之間，該第二出光區域內的近場發光強度分佈介於該最大近場發光強度的0%到70%之間。
简体摘要：一种半导体发光组件，包含一磊晶叠层具有一第一半导体层、一第二半导体层以及一主动层位于该第一半导体层以及该第二半导体层之间用以产生一光波；以及一主要出光面位于该第一半导体层之上，该光波穿透过该主要出光面；其中，该主要出光面包含一第一出光区域、一第二出光区域以及一最大近场发光强度，该第一出光区域内的近场发光强度分布介于该最大近场发光强度的70%到100%之间，该第二出光区域内的近场发光强度分布介于该最大近场发光强度的0%到70%之间。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式