专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201618342A 光電元件與其製造方法审中-公开
简体标题：光电组件与其制造方法
公开(公告)号：TW201618342A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW105101646
申请日：2012-05-02
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：韓政男 , HAN,CHENG-NAN , 李宗憲 , LEE,TSUNG-XIAN , 謝明勳 , HSIEH,MIN-HSUN , 陳宏萱 , CHEN,HON-SHENG , 劉欣茂 , LIU,HSIN-MAO , 陳星兆 , CHEN,HSING-CHAO , 陶青山 , TAO,CHING-SAN , 倪志鵬 , NI,CHIH-PENG , 陳澤澎 , CHEN,TZER-PERNG , 吳仁釗 , WU,JEN-CHAU , 佐野雅文 , SANO,MASAFUMI , 王志銘 , WANG,CHIH-MING
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要：一光電元件具有一光電單元，光電單元具有一第一上表面、與第一上表面相對的一第一下表面以及介於第一上表面與第一下表面之間的一側面；一第一透明結構，覆蓋光電單元的側面與曝露第一上表面；一第一絕緣層，位於第一上表面與第一透明結構之上；一第二絕緣層位於第一絕緣層之上；一第一開口穿過第一絕緣層與第二絕緣層；以及一第一導電層，位於第二絕緣層之上，並經由第一開口與光電單元電連接。
简体摘要：一光电组件具有一光电单元，光电单元具有一第一上表面、与第一上表面相对的一第一下表面以及介于第一上表面与第一下表面之间的一侧面；一第一透明结构，覆盖光电单元的侧面与曝露第一上表面；一第一绝缘层，位于第一上表面与第一透明结构之上；一第二绝缘层位于第一绝缘层之上；一第一开口穿过第一绝缘层与第二绝缘层；以及一第一导电层，位于第二绝缘层之上，并经由第一开口与光电单元电连接。

2. 发明专利

TWI515925B 光電元件與其製造方法有权
简体标题：光电组件与其制造方法
公开(公告)号：TWI515925B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW101128707
申请日：2012-08-08
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：韓政男 , HAN, CHENG NAN , 李宗憲 , LEE, TSUNG XIAN , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN , 陳宏萱 , CHEN, HUNG HSUAN , 劉欣茂 , LIU, HSIN MAO , 陳星兆 , CHEN, HSING CHAO , 陶青山 , TAO, CHING SAN , 倪志鵬 , NI, CHIH PENG , 陳澤澎 , CHEN, TZER PERNG , 吳仁釗 , WU, JEN CHAU , 佐野雅文 , SANO, MASAFUMI , 王志銘 , WANG, CHIH MING
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00

3. 发明专利

TWI475716B 光電元件有权
简体标题：光电组件
公开(公告)号：TWI475716B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW097104776
申请日：2008-02-05
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：林錦源 , 吳仁釗 , 呂志強 , 彭韋智 , 戴菁甫 , 陳世益
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

4. 发明专利

TWI555239B 光電元件與其製造方法有权
简体标题：光电组件与其制造方法
公开(公告)号：TWI555239B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW101115716
申请日：2012-05-02
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：韓政男 , HAN, CHENG NAN , 李宗憲 , LEE, TSUNG XIAN , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN , 陳宏萱 , CHEN, HUNG HSUAN , 劉欣茂 , LIU, HSIN MAO , 陳星兆 , CHEN, HSING CHAO , 陶青山 , TAO, CHING SAN , 倪志鵬 , NI, CHIH PENG , 陳澤澎 , CHEN, TZER PERNG , 吳仁釗 , WU, JEN CHAU , 佐野雅文 , SANO, MASAFUMI , 王志銘 , WANG, CHIH MING
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00

5. 发明专利

TW200845430A 光電元件 OPTOELECTRIC DEVICE 审中-公开
简体标题：光电组件 OPTOELECTRIC DEVICE
公开(公告)号：TW200845430A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097104776
申请日：2008-02-05
申请人：晶元光電股份有限公司 EPISTAR CORPORATION
发明人：林錦源 , 吳仁釗 , 呂志强 , 彭韋智 , 戴菁甫 , 陳世益
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一光電元件,特別是一種發光二極體晶粒之光電元件。此發光二極體晶粒具有一基板,此基板之上有一多層磊晶層結構;其包括一第一導電性半導體層,一活性層及一第二導電性半導體層,多層磊晶層結構之上有一第一歐姆接點金屬電極層、一第二歐姆接點金屬電極層、一第一釘線電極及一第二釘線電極;且此二釘線電極位於同一水平面。或者,第一歐姆接點金屬電極層更具有一圖案,用以使電流均勻分散至晶粒整體。
简体摘要：本发明揭示一光电组件,特别是一种发光二极管晶粒之光电组件。此发光二极管晶粒具有一基板,此基板之上有一多层磊晶层结构;其包括一第一导电性半导体层,一活性层及一第二导电性半导体层,多层磊晶层结构之上有一第一欧姆接点金属电极层、一第二欧姆接点金属电极层、一第一钉线电极及一第二钉线电极;且此二钉线电极位于同一水平面。或者,第一欧姆接点金属电极层更具有一图案,用以使电流均匀分散至晶粒整体。

6. 发明专利

TWI681575B 光電元件與其製造方法有权
简体标题：光电组件与其制造方法
公开(公告)号：TWI681575B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW105101646
申请日：2012-05-02
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：韓政男 , HAN,CHENG-NAN , 李宗憲 , LEE,TSUNG-XIAN , 謝明勳 , HSIEH,MIN-HSUN , 陳宏萱 , CHEN,HON-SHENG , 劉欣茂 , LIU,HSIN-MAO , 陳星兆 , CHEN,HSING-CHAO , 陶青山 , TAO,CHING-SAN , 倪志鵬 , NI,CHIH-PENG , 陳澤澎 , CHEN,TZER-PERNG , 吳仁釗 , WU,JEN-CHAU , 佐野雅文 , SANO,MASAFUMI , 王志銘 , WANG,CHIH-MING
IPC分类号： H01L33/62

7. 发明专利

TW201308674A 光電元件與其製造方法审中-公开
简体标题：光电组件与其制造方法
公开(公告)号：TW201308674A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101128707
申请日：2012-08-08
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：韓政男 , HAN, CHENG NAN , 李宗憲 , LEE, TSUNG XIAN , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN , 陳宏萱 , CHEN, HUNG HSUAN , 劉欣茂 , LIU, HSIN MAO , 陳星兆 , CHEN, HSING CHAO , 陶青山 , TAO, CHING SAN , 倪志鵬 , NI, CHIH PENG , 陳澤澎 , CHEN, TZER PERNG , 吳仁釗 , WU, JEN CHAU , 佐野雅文 , SANO, MASAFUMI , 王志銘 , WANG, CHIH MING
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要：一光電元件，具有一光電單元，具有一第一上表面；一第一金屬層，位於該第一上表面；一第一透明結構，圍繞該光電單元並曝露該第一上表面；以及一第一接觸層，位於該第一透明結構之上，具有一連接部與該第一金屬層電連接。
简体摘要：一光电组件，具有一光电单元，具有一第一上表面；一第一金属层，位于该第一上表面；一第一透明结构，围绕该光电单元并曝露该第一上表面；以及一第一接触层，位于该第一透明结构之上，具有一连接部与该第一金属层电连接。

8. 发明专利

TW201308700A 光電元件與其製造方法审中-公开
简体标题：光电组件与其制造方法
公开(公告)号：TW201308700A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101115716
申请日：2012-05-02
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：韓政男 , HAN, CHENG NAN , 李宗憲 , LEE, TSUNG XIAN , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN , 陳宏萱 , CHEN, HUNG HSUAN , 劉欣茂 , LIU, HSIN MAO , 陳星兆 , CHEN, HSING CHAO , 陶青山 , TAO, CHING SAN , 倪志鵬 , NI, CHIH PENG , 陳澤澎 , CHEN, TZER PERNG , 吳仁釗 , WU, JEN CHAU , 佐野雅文 , SANO, MASAFUMI , 王志銘 , WANG, CHIH MING
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要：一光電元件具有一光電單元，光電單元具有一第一上表面、與第一上表面相對的一第一下表面以及介於第一上表面與第一下表面之間的一側面；一第一透明結構，覆蓋光電單元的側面與曝露第一上表面；一第一絕緣層，位於第一上表面與第一透明結構之上；一第二絕緣層位於第一絕緣層之上；一第一開口穿過第一絕緣層與第二絕緣層；以及一第一導電層，位於第二絕緣層之上，並經由第一開口與光電單元電連接。
简体摘要：一光电组件具有一光电单元，光电单元具有一第一上表面、与第一上表面相对的一第一下表面以及介于第一上表面与第一下表面之间的一侧面；一第一透明结构，覆盖光电单元的侧面与曝露第一上表面；一第一绝缘层，位于第一上表面与第一透明结构之上；一第二绝缘层位于第一绝缘层之上；一第一开口穿过第一绝缘层与第二绝缘层；以及一第一导电层，位于第二绝缘层之上，并经由第一开口与光电单元电连接。

9. 发明专利

TWI352441B 一發光元件 LIGHT EMITTING DEVICE 有权
简体标题：一发光组件 LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TWI352441B
公开(公告)日：2011-11-11
申请号：TW096138803
申请日：2007-10-16
申请人：晶元光電股份有限公司
发明人：林錦源 , 陳澤澎 , 王百祥 , 吳仁釗
IPC分类号： H01L
摘要：一種發光元件結構，包含一永久基板，其一表面同時具有n電路圖案與p電路圖案；一發光疊層，其一表面同時具有n電極與p電極，並與永久基板對位連結，使得n電極電性連結n電路圖案，p電極電性連結p電路圖案；其中上述發光疊層具有兩個打線開口，分別露出n電路圖案與p電路圖案之兩個打線區域，以提供後續打線工程之導線連接位置。相較於傳統之覆晶式發光二極體元件，此結構可以簡化晶粒製程，並大幅提高生產效率。
简体摘要：一种发光组件结构，包含一永久基板，其一表面同时具有n电路图案与p电路图案；一发光叠层，其一表面同时具有n电极与p电极，并与永久基板对位链接，使得n电极电性链接n电路图案，p电极电性链接p电路图案；其中上述发光叠层具有两个打线开口，分别露出n电路图案与p电路图案之两个打线区域，以提供后续打线工程之导线连接位置。相较于传统之覆晶式发光二极管组件，此结构可以简化晶粒制程，并大幅提高生产效率。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式