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1. 发明专利

TWI384329B 空白遮光罩有权
公开(公告)号：TWI384329B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW095104416
申请日：2006-02-09
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：菊川信也 , KIKUGAWA, SHINYA , 高田章 , TAKADA, AKIRA , 高木悟 , TAKAKI, SATORU , 佐藤洋介 , SATO, YOSUKE , 赤尾安彥 , AKAO, YASUHIKO
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027 , H01L21/268
CPC分类号： C03C3/06 , C03C17/09 , C03C2201/12 , C03C2201/23 , C03C2217/26 , C03C2218/154 , G03F1/60

2. 发明专利

TW201200284A 半導體裝置貫通電極形成用之玻璃基板之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备贯通电极形成用之玻璃基板之制造方法
公开(公告)号：TW201200284A
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW100113793
申请日：2011-04-20
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：小野元司 , 小池章夫 , 村上亮太 , 菊川信也
IPC分类号： B23K
CPC分类号： H01L23/15 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K2203/50 , H01L21/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種藉由對玻璃基板照射雷射光，可使玻璃基板不產生龜裂或變形等而恰當地形成複數個貫通孔的半導體裝置貫通電極形成用之玻璃基板之製造方法。本發明係關於一種半導體裝置貫通電極形成用之玻璃基板之製造方法，其包含如下步驟：(1)準備厚度為0.01mm~5mm、SiO2含量為50wt%~70wt%、50℃至300℃下之平均熱膨脹係數為10×10 -7 /K~50×10 -7 /K之玻璃基板；(2)將上述玻璃基板配置於來自準分子雷射光產生裝置之準分子雷射光之光程上；(3)於上述準分子雷射光產生裝置與上述玻璃基板之間之上述光程上，配置不包含貫通開口之遮罩；及(4)自上述準分子雷射光產生裝置，沿著上述光程對上述玻璃基板照射上述準分子雷射光，而於上述玻璃基板形成貫通孔。
简体摘要：本发明提供一种借由对玻璃基板照射激光光，可使玻璃基板不产生龟裂或变形等而恰当地形成复数个贯通孔的半导体设备贯通电极形成用之玻璃基板之制造方法。本发明系关于一种半导体设备贯通电极形成用之玻璃基板之制造方法，其包含如下步骤：(1)准备厚度为0.01mm~5mm、SiO2含量为50wt%~70wt%、50℃至300℃下之平均热膨胀系数为10×10 -7 /K~50×10 -7 /K之玻璃基板；(2)将上述玻璃基板配置于来自准分子激光光产生设备之准分子激光光之光程上；(3)于上述准分子激光光产生设备与上述玻璃基板之间之上述光程上，配置不包含贯通开口之遮罩；及(4)自上述准分子激光光产生设备，沿着上述光程对上述玻璃基板照射上述准分子激光光，而于上述玻璃基板形成贯通孔。

3. 发明专利

TW508477B 曝光裝置,半導體裝置及光罩失效
简体标题：曝光设备,半导体设备及光罩
公开(公告)号：TW508477B
公开(公告)日：2002-11-01
申请号：TW089105618
申请日：2000-03-24
申请人：旭硝子股份有限公司 , 半導體先端科技股份有限公司
发明人：菊川信也 , 生田順亮 , 下平憲昭 , 吉澤修平 , 小川透 , 細野秀雄 , 增井曉夫
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/70058 , G03F7/70241 , G03F7/70958
摘要：構成曝光光源系，照明光學系，光罩及投影光學系之光學構件之至少1個為在波長157nm之吸收係數為0.70cm-1以下，並且將SiO伸縮振動之紅外吸收尖峰具有約略3640cm-1之光學構件用合成石英玻璃所構成之曝光裝置。
简体摘要：构成曝光光源系，照明光学系，光罩及投影光学系之光学构件之至少1个为在波长157nm之吸收系数为0.70cm-1以下，并且将SiO伸缩振动之红外吸收尖峰具有约略3640cm-1之光学构件用合成石英玻璃所构成之曝光设备。

4. 发明专利

TW507267B 膠片及其製造方法有权
简体标题：胶片及其制造方法
公开(公告)号：TW507267B
公开(公告)日：2002-10-21
申请号：TW089118736
申请日：2000-09-13
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：松本勝博 , 菊川信也 , 生田順亮 , 岡田要 , 有島浩 , 三代均
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： G03F1/62 , C03B33/082 , C03B2201/04
摘要：一種膠片板，其特徵為：OH基濃度為100ppm以下實質上由不含還原型缺陷之合成石英玻璃所構成。尤其，OH基濃度為10ppm以下，於波長157nm之內部透過率具80%以上較佳。
简体摘要：一种胶片板，其特征为：OH基浓度为100ppm以下实质上由不含还原型缺陷之合成石英玻璃所构成。尤其，OH基浓度为10ppm以下，于波长157nm之内部透过率具80%以上较佳。

5. 发明专利

TWI435855B ＥＵＶＬ用光學元件及其表面處理方法失效
简体标题：ＥＵＶＬ用光学组件及其表面处理方法
公开(公告)号：TWI435855B
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW097137533
申请日：2008-09-30
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：小池章夫 , KOIKE, AKIO , 岩橋康臣 , IWAHASHI, YASUTOMI , 菊川信也 , KIKUGAWA, SHINYA , 岡村研治 , OKAMURA, KENJI
IPC分类号： C03C15/00 , C03C3/06 , C03C23/00 , G03F1/00
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C3/06 , C03C15/02 , C03C2201/11 , C03C2201/12 , C03C2201/23 , C03C2201/42 , C03C2203/54 , C03C2204/08 , G03F7/70958 , H01J2237/0812

6. 发明专利

TW201201334A 半導體裝置貫通電極用之玻璃基板审中-公开
简体标题：半导体设备贯通电极用之玻璃基板
公开(公告)号：TW201201334A
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW100113788
申请日：2011-04-20
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：小池章夫 , 小野元司 , 村上亮太 , 菊川信也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/15 , H01L21/4807 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , Y10T428/24273 , Y10T428/24298 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種具有較先前之半導體裝置貫通電極用之玻璃基板更良好之强度之玻璃基板。本發明係關於一種玻璃基板,其特徵在於:其係包含第1表面與第2表面且包含自上述第1表面延伸至上述第2表面為止之貫通孔之半導體裝置貫通電極用之玻璃基板,上述第1及第2表面之至少一者經化學强化。
简体摘要：本发明提供一种具有较先前之半导体设备贯通电极用之玻璃基板更良好之强度之玻璃基板。本发明系关于一种玻璃基板,其特征在于:其系包含第1表面与第2表面且包含自上述第1表面延伸至上述第2表面为止之贯通孔之半导体设备贯通电极用之玻璃基板,上述第1及第2表面之至少一者经化学强化。

7. 发明专利

TW538302B 薄膜失效
公开(公告)号：TW538302B
公开(公告)日：2003-06-21
申请号：TW091116908
申请日：2002-07-29
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：岡田要 , 菊川信也
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F1/64
摘要：一種包括具有頂端及底部開口之盒子形薄膜框架之薄膜，及一接合至該薄膜框架以蓋住該薄膜框架之一開口之薄膜片，其中該薄膜框架係由石英玻璃製成，複數通氣孔係形成為分佈在該薄膜框架之相向側壁上，且該通氣孔於該薄膜框架高度方向中之尺寸最多為該薄膜框架高度之3/5。
简体摘要：一种包括具有顶端及底部开口之盒子形薄膜框架之薄膜，及一接合至该薄膜框架以盖住该薄膜框架之一开口之薄膜片，其中该薄膜框架系由石英玻璃制成，复数通气孔系形成为分布在该薄膜框架之相向侧壁上，且该通气孔于该薄膜框架高度方向中之尺寸最多为该薄膜框架高度之3/5。

8. 发明专利

TW457560B 碳化矽及其製法失效
简体标题：碳化硅及其制法
公开(公告)号：TW457560B
公开(公告)日：2001-10-01
申请号：TW089115256
申请日：2000-07-29
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：紙透洋一 , 宮川直通 , 菊川信也 , 鈴木克義 , 榎本聰洋
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/325 , C04B35/573 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/6833
摘要：一種碳化矽,其具有從10^3至10^6歐姆‧公分之電阻且由Id1/Id2代表之X一光繞射峰強度比例是至少0.005,其中Id1是2θ在34°附近之峰強度且 Id2是2θ在36°附近之峰強度。
简体摘要：一种碳化硅,其具有从10^3至10^6欧姆‧公分之电阻且由Id1/Id2代表之X一光绕射峰强度比例是至少0.005,其中Id1是2θ在34°附近之峰强度且 Id2是2θ在36°附近之峰强度。

9. 发明专利

TW201732049A 接合用組合物审中-公开
简体标题：接合用组合物
公开(公告)号：TW201732049A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105133048
申请日：2016-10-13
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：山田実 , YAMADA, MINORU , 山田篤 , YAMADA, ATSUSHI , 渋谷幸一 , SHIBUYA, KOICHI , 菊川信也 , KIKUGAWA, SHINYA , 花島圭輔 , HANASHIMA, KEISUKE
IPC分类号： C22C13/00 , B23K35/26 , C03C27/08
CPC分类号： B23K35/26 , C22C13/00
摘要：本發明提供一種接合用組合物，其含有錫、鍺、及鎳，且上述鍺之含量為10質量%以下，上述鍺之含量與上述鎳之含量滿足以下之式(1)。 [Ni]≦2.8×[Ge]0.3… (1) (其中，[Ni]表示以質量%換算之鎳之含量，[Ge]表示以質量%換算之鍺之含量)
简体摘要：本发明提供一种接合用组合物，其含有锡、锗、及镍，且上述锗之含量为10质量%以下，上述锗之含量与上述镍之含量满足以下之式(1)。 [Ni]≦2.8×[Ge]0.3… (1) (其中，[Ni]表示以质量%换算之镍之含量，[Ge]表示以质量%换算之锗之含量)

10. 发明专利

TW201224592A 液晶投影器用液晶面板及液晶投影器审中-公开
简体标题：液晶投影器用液晶皮肤及液晶投影器
公开(公告)号：TW201224592A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100120528
申请日：2011-06-13
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：石川雅仁 , 菊川信也 , 梶谷幸長
IPC分类号： G02F , G03B
CPC分类号： G02B1/115 , G02B5/285 , G02F2001/133521
摘要：本發明提供一種液晶投影器用液晶面板,其具有優異的R(紅)、G(綠)、B(藍)之各色波長的光穿透率,且抑制其變動的同時,具有優異的生產性能。液晶投影器用液晶面板具有:具有第1層積膜之第1基板部;配置成與該第1基板部相對向且具有第2層積膜的第2基板部;以及配置在第1基板部與第2基板部之間的液晶部。第1層積膜、第2層積膜任一者皆為交互層積高折射率膜與低折射率膜共6層,各折射率膜之膜厚係液晶投影器用液晶面板之波長為450nm、550nm、650nm之光的穿透率成為87%以上的特定膜厚。
简体摘要：本发明提供一种液晶投影器用液晶皮肤,其具有优异的R(红)、G(绿)、B(蓝)之各色波长的光穿透率,且抑制其变动的同时,具有优异的生产性能。液晶投影器用液晶皮肤具有:具有第1层积膜之第1基板部;配置成与该第1基板部相对向且具有第2层积膜的第2基板部;以及配置在第1基板部与第2基板部之间的液晶部。第1层积膜、第2层积膜任一者皆为交互层积高折射率膜与低折射率膜共6层,各折射率膜之膜厚系液晶投影器用液晶皮肤之波长为450nm、550nm、650nm之光的穿透率成为87%以上的特定膜厚。

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