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1. 发明专利

TWI493012B 附有黏著層之透明面材、顯示裝置及其等之製造方法有权
简体标题：附有黏着层之透明面材、显示设备及其等之制造方法
公开(公告)号：TWI493012B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW100118431
申请日：2011-05-26
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：新山聰 , NIIYAMA, SATOSHI , 青木直子 , AOKI, NAOKO , 伊藤廣茂 , ITO, HIROSHIGE , 對馬齊 , TSUSHIMA, HITOSHI , 高木悟 , TAKAGI, SATORU
IPC分类号： C09J7/02 , G02F1/13 , G09F9/00
CPC分类号： G02F1/133308 , C09J2201/40 , C09J2203/318 , G02F2001/133331 , G02F2202/28 , Y10T156/10 , Y10T428/1471 , Y10T428/24612 , Y10T428/24777

2. 发明专利

TWI384329B 空白遮光罩有权
公开(公告)号：TWI384329B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW095104416
申请日：2006-02-09
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：菊川信也 , KIKUGAWA, SHINYA , 高田章 , TAKADA, AKIRA , 高木悟 , TAKAKI, SATORU , 佐藤洋介 , SATO, YOSUKE , 赤尾安彥 , AKAO, YASUHIKO
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027 , H01L21/268
CPC分类号： C03C3/06 , C03C17/09 , C03C2201/12 , C03C2201/23 , C03C2217/26 , C03C2218/154 , G03F1/60

3. 发明专利

TW201430160A 基板支持件及使用其之整面成膜基板之製造方法审中-公开
简体标题：基板支持件及使用其之整面成膜基板之制造方法
公开(公告)号：TW201430160A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102147468
申请日：2013-12-20
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：宮澤英明 , MIYAZAWA, HIDEAKI , 赤尾安彥 , AKAO, YASUHIKO , 藤井健輔 , FUJII, KENSUKE , 高木悟 , TAKAKI, SATORU , 藤原晃男 , FUJIWARA, TERUO
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/56
CPC分类号： C23C14/50 , C03C27/10
摘要：本發明係提供一種使整面成膜基板之生產性為良好之基板支持件及使用該基板支持件之整面成膜基板之製造方法。本發明係一種基板支持件及使用其之整面成膜基板之製造方法，該基板支持件為保持第一主面會被整面成膜之基板者，且具備：支持單元，係由單元基體與固定於前述單元基體之第一主面上之密著層所構成，該單元基體為板狀零件，其具有面積較前述基板之主面更小的主面，且該密著層具有對前述基板之第二主面附著的剝離性表面；及載體，具有面積較前述單元基體之主面更大的單元固定面，且複數個前述支持單元係以前述單元固定面與前述單元基體之第二主面呈面對面的方向，固定於前述單元固定面上。
简体摘要：本发明系提供一种使整面成膜基板之生产性为良好之基板支持件及使用该基板支持件之整面成膜基板之制造方法。本发明系一种基板支持件及使用其之整面成膜基板之制造方法，该基板支持件为保持第一主面会被整面成膜之基板者，且具备：支持单元，系由单元基体与固定于前述单元基体之第一主面上之密着层所构成，该单元基体为板状零件，其具有面积较前述基板之主面更小的主面，且该密着层具有对前述基板之第二主面附着的剥离性表面；及载体，具有面积较前述单元基体之主面更大的单元固定面，且复数个前述支持单元系以前述单元固定面与前述单元基体之第二主面呈面对面的方向，固定于前述单元固定面上。

4. 发明专利

TWI406834B 附保護玻璃之玻璃基板及使用附保護玻璃之玻璃基板之顯示裝置的製造方法有权
简体标题：附保护玻璃之玻璃基板及使用附保护玻璃之玻璃基板之显示设备的制造方法
公开(公告)号：TWI406834B
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW097106832
申请日：2008-02-27
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：樋口俊彥 , HIGUCHI, TOSHIHIKO , 高木悟 , TAKAKI, SATORU
IPC分类号： C03C27/12 , B32B17/10 , G02F1/1333
CPC分类号： B32B7/06 , B32B17/064 , B32B27/06 , B32B27/26 , B32B27/283 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/40 , B32B2307/584 , B32B2307/714 , B32B2307/748 , B32B2457/20 , G02F1/1333 , G02F2201/50 , H01L51/0096 , H01L51/52 , Y10T428/14 , Y10T428/1471 , Y10T428/1476 , Y10T428/24942 , Y10T428/28 , Y10T428/31601 , Y10T428/31612

5. 发明专利

TW594041B 紫外線及真空紫外線區域之抗反射基體失效
简体标题：紫外线及真空紫外线区域之抗反射基体
公开(公告)号：TW594041B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW089123296
申请日：2000-11-04
申请人：旭硝子股份有限公司 ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：高木悟 , 岡田要 , 菊川信也
IPC分类号： G02B
CPC分类号： G03F1/62 , G02B1/11 , G02B1/115 , G03F1/46 , G03F1/50 , G03F7/70958 , G03F7/70983
摘要：在波長155nm~200nm之紫外線及真空紫外線區域內，該透明基體之至少一面上具有由1層、2層或3層而成的抗反射膜之抗反射基體，前述抗反射膜係需要抗反射之滿足在紫外線及真空紫外線之波長區域之中心波長λ0的折射率與幾何學的膜厚之特定條件的抗反射基體，及由該抗反射基體而成的半導體裝置用光學構件與低反射膜用基體。
简体摘要：在波长155nm~200nm之紫外线及真空紫外线区域内，该透明基体之至少一面上具有由1层、2层或3层而成的抗反射膜之抗反射基体，前述抗反射膜系需要抗反射之满足在紫外线及真空紫外线之波长区域之中心波长λ0的折射率与几何学的膜厚之特定条件的抗反射基体，及由该抗反射基体而成的半导体设备用光学构件与低反射膜用基体。

6. 发明专利

TW201211196A 附有黏著層之透明面材、顯示裝置及其等之製造方法审中-公开
简体标题：附有黏着层之透明面材、显示设备及其等之制造方法
公开(公告)号：TW201211196A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100118431
申请日：2011-05-26
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：新山聰 , 青木直子 , 伊藤廣茂 , 對馬齊 , 高木悟
IPC分类号： C09J , G02F , G09F
CPC分类号： G02F1/133308 , C09J2201/40 , C09J2203/318 , G02F2001/133331 , G02F2202/28 , Y10T156/10 , Y10T428/1471 , Y10T428/24612 , Y10T428/24777
摘要：本發明係提供一種不易在其他面材與黏著層之界面殘留空隙之附有黏著層之透明面材、可充分抑制空隙在顯示面板與黏著層間之界面以及透明面材與黏著層間之界面產生之顯示裝置及其等之製造方法。本發明係一種附有黏著層之透明面材，其係具有保護板(透明面材)以及形成在前述保護板表面之黏著層者，前述黏著層具有沿著前述保護板表面擴大之層狀部以及包圍層狀部周緣之堰狀部。本發明並是貼合有前述透明面材之顯示裝置及其等之製造方法。
简体摘要：本发明系提供一种不易在其他面材与黏着层之界面残留空隙之附有黏着层之透明面材、可充分抑制空隙在显示皮肤与黏着层间之界面以及透明面材与黏着层间之界面产生之显示设备及其等之制造方法。本发明系一种附有黏着层之透明面材，其系具有保护板(透明面材)以及形成在前述保护板表面之黏着层者，前述黏着层具有沿着前述保护板表面扩大之层状部以及包围层状部周缘之堰状部。本发明并是贴合有前述透明面材之显示设备及其等之制造方法。

7. 发明专利

TW385375B 透明導電膜、及透明電極之形成方法失效
简体标题：透明导电膜、及透明电极之形成方法
公开(公告)号：TW385375B
公开(公告)日：2000-03-21
申请号：TW086110480
申请日：1997-07-23
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：高木悟 , 佐藤一夫 , 宮崎正美 , 河村有紀 , 西村啓道
IPC分类号： G02F
CPC分类号： C23F1/30 , C23C14/086 , G02F1/13439 , H01J2211/225
摘要：從基體側，透明氧化物層及含有Ａｇ的金屬層，依此順序積層(２ｎ＋１)層(ｎ為１以上的整數)；透明氧化物層含有ＺｎＯ，且對於Ｚｎ及Ｉｎ的總和為９～９８原子％的範圍下含有Ｉｎ之氧化物層的透明導電膜及透明電極之形成方法。
简体摘要：从基体侧，透明氧化物层及含有Ａｇ的金属层，依此顺序积层(２ｎ＋１)层(ｎ为１以上的整数)；透明氧化物层含有ＺｎＯ，且对于Ｚｎ及Ｉｎ的总和为９～９８原子％的范围下含有Ｉｎ之氧化物层的透明导电膜及透明电极之形成方法。

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