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1. 发明专利

TW201142951A 熱處理裝置及半導體裝置之製造方法 HEAT TREATMENT APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：热处理设备及半导体设备之制造方法 HEAT TREATMENT APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201142951A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW100104543
申请日：2011-02-11
申请人：日立國際電氣股份有限公司
发明人：山崎惠信 , 林田晃 , 上野正昭 , 泉學 , 野上克明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67109
摘要： [課題]提供可實現高精度的製程處理及高安全性之熱處理裝置及基板之製造方法。[解決手段]熱處理裝置10具有:處理基板之反應管42、支撐反應管42之歧管44、設置在反應管42的周圍用以對反應管42內加熱之加熱器46、以包覆比加熱器46還要下方之反應管42的側方的方式設置之包覆部500、對包覆部500與反應管42之間的間隙506進行强制排氣之排氣裝置301、及設置在反應管42與歧管44之間的抵接部之密閉構件150;其中包覆部500設有吸氣口501供排氣裝置將包覆部500之外側的環境氣體朝間隙506吸進。
简体摘要： [课题]提供可实现高精度的制程处理及高安全性之热处理设备及基板之制造方法。[解决手段]热处理设备10具有:处理基板之反应管42、支撑反应管42之歧管44、设置在反应管42的周围用以对反应管42内加热之加热器46、以包覆比加热器46还要下方之反应管42的侧方的方式设置之包覆部500、对包覆部500与反应管42之间的间隙506进行强制排气之排气设备301、及设置在反应管42与歧管44之间的抵接部之密闭构件150;其中包覆部500设有吸气口501供排气设备将包覆部500之外侧的环境气体朝间隙506吸进。

2. 发明专利

TWI437641B 熱處理裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：热处理设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI437641B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW100104543
申请日：2011-02-11
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI-KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：山崎惠信 , YAMAZAKI, KEISHIN , 林田晃 , HAYASHIDA, AKIRA , 上野正昭 , UENO, MASAAKI , 泉學 , IZUMI, MANABU , 野上克明 , NOGAMI, KATSUAKI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67109

3. 发明专利

TWI349968B 基板處理裝置及基板處理方法 SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD THEREOF 有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法 SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI349968B
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW096107629
申请日：2007-03-06
申请人：日立國際電氣股份有限公司
发明人：上野正昭 , 島田真一 , 花島建夫 , 森川晴夫 , 林田晃
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/46 , H01L21/67248
摘要：一種基板處理裝置，其具備：處理基板的處理室；從基板之外周側對收容於該處理室內之基板進行光加熱之加熱裝置；藉由使流體流動於該加熱裝置進行光加熱之基板的外周附近，以冷卻基板之外周側的冷卻裝置；感測該處理室內之溫度的溫度感測部；及加熱控制部，係根據該溫度感測部所感測之溫度，一面將該基板之中心部的溫度維持在指定溫度，一面以在該中心部與該基板之端部設置溫度差的方式來控制該加熱裝置及該冷卻裝置。
简体摘要：一种基板处理设备，其具备：处理基板的处理室；从基板之外周侧对收容于该处理室内之基板进行光加热之加热设备；借由使流体流动于该加热设备进行光加热之基板的外周附近，以冷却基板之外周侧的冷却设备；传感该处理室内之温度的温度传感部；及加热控制部，系根据该温度传感部所传感之温度，一面将该基板之中心部的温度维持在指定温度，一面以在该中心部与该基板之端部设置温度差的方式来控制该加热设备及该冷却设备。

4. 发明专利

TWI505366B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI505366B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW100117140
申请日：2007-03-06
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：上野正昭 , UENO, MASAAKI , 島田真一 , SHIMADA, MASAKAZU , 花島建夫 , HANASHIMA, TAKEO , 森川晴夫 , MORIKAWA, HARUO , 林田晃 , HAYASHIDA, AKIRA
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/46 , H01L21/67248

5. 发明专利

TW201140699A 基板處理裝置及基板處理方法 SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法 SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201140699A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100117140
申请日：2007-03-06
申请人：日立國際電氣股份有限公司
发明人：上野正昭 , 島田真一 , 花島建夫 , 森川晴夫 , 林田晃
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/46 , H01L21/67248
摘要：一種基板處理裝置，其具備：處理基板的處理室；從基板之外周側對收容於該處理室內之基板進行光加熱之加熱裝置；藉由使流體流動於該加熱裝置進行光加熱之基板的外周附近，以冷卻基板之外周側的冷卻裝置；感測該處理室內之溫度的溫度感測部；及加熱控制部，係根據該溫度感測部所感測之溫度，一面將該基板之中心部的溫度維持在指定溫度，一面以在該中心部與該基板之端部設置溫度差的方式來控制該加熱裝置及該冷卻裝置。
简体摘要：一种基板处理设备，其具备：处理基板的处理室；从基板之外周侧对收容于该处理室内之基板进行光加热之加热设备；借由使流体流动于该加热设备进行光加热之基板的外周附近，以冷却基板之外周侧的冷却设备；传感该处理室内之温度的温度传感部；及加热控制部，系根据该温度传感部所传感之温度，一面将该基板之中心部的温度维持在指定温度，一面以在该中心部与该基板之端部设置温度差的方式来控制该加热设备及该冷却设备。

6. 发明专利

TWI324806B 基板處理裝置、冷卻氣體供給噴嘴、及半導體裝置之製造方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, COOLING GAS FEED NOZZLE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题：基板处理设备、冷却气体供给喷嘴、及半导体设备之制造方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, COOLING GAS FEED NOZZLE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI324806B
公开(公告)日：2010-05-11
申请号：TW095128191
申请日：2006-08-01
申请人：日立國際電氣股份有限公司
发明人：上野正昭 , 林田晃 , 島田真一 , 岡威憲
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67769 , C23C16/463 , C23C16/54 , H01L21/67109
摘要：具備：收容保持了複數片的基板的舟皿(boat)而處理複數片的基板之處理室、和設置於處理室周圍而加熱基板的加熱單元、和在對於保持在收容於處理室內的舟皿的基板之主面而伸延於垂直方向的管部，形成了至少跨過2片複數片的基板而噴出冷卻氣體的噴出孔之冷卻氣體供給噴嘴；前述冷卻氣體供給噴嘴係形成如：形成噴出孔的範圍的管部的剖面積變得比噴出孔的總開口面積大。【創作特點】然而，在迄今的此種熱處理裝置，因為藉由噴出口位於比舟皿下方之氣體供給管供給氮氣氣體於處理室，而有晶圓群的降溫變為不均勻的問題點。
也就是，氣體供給管係因為如於處理室的舟皿的下方的一處所設置噴出口般地配置，所以氮氣氣體不能對晶圓群而具有均勻的流動而接觸。總之，因為氮氣氣體的流動變得不均勻，所以晶圓變為在範圍或晶圓面內不均勻地冷卻的狀況，只冷卻氮氣氣體的流速大的範圍之晶圓或晶圓面內。
本發明的目的係在提供：可使降溫速度提高、同時可防止基板間及基板面內的溫度偏差之基板處理裝置。
用以解決前述課題的手段係按照以下說明。
一種特徵為：具備了收容保持了複數片的基板的舟皿(boat)而處理複數片的基板之處理室、和設置於前述處理室周圍而加熱前述基板的加熱單元、和在對於保持在容納於前述處理室內的前述舟皿的前述基板之主面而伸延於垂直方向的管部，形成至少跨過2片前述複數片的基板而噴出冷卻氣體的噴出孔之冷卻氣體供給噴嘴；前述冷卻氣體供給噴嘴係形成如：形成前述噴出孔的範圍的前述管部的剖面積變得比前述噴出孔的總開口面積大之基板處理裝置。
如由前述的手段，則藉由從冷卻氣體供給噴嘴噴出冷卻氣體，可使處理完的基板急速且均勻地降溫。
在前述的手段，因為：被形成在冷卻氣體供給噴嘴的噴出孔之範圍的管部的剖面積變得比噴出孔的總開口面積大般地設定，所以可防止從噴出孔噴出時的冷卻氣體產生壓力差。
简体摘要：具备：收容保持了复数片的基板的舟皿(boat)而处理复数片的基板之处理室、和设置于处理室周围而加热基板的加热单元、和在对于保持在收容于处理室内的舟皿的基板之主面而伸延于垂直方向的管部，形成了至少跨过2片复数片的基板而喷出冷却气体的喷出孔之冷却气体供给喷嘴；前述冷却气体供给喷嘴系形成如：形成喷出孔的范围的管部的剖面积变得比喷出孔的总开口面积大。【创作特点】然而，在迄今的此种热处理设备，因为借由喷出口位于比舟皿下方之气体供给管供给氮气气体于处理室，而有晶圆群的降温变为不均匀的问题点。也就是，气体供给管系因为如于处理室的舟皿的下方的一处所设置喷出口般地配置，所以氮气气体不能对晶圆群而具有均匀的流动而接触。总之，因为氮气气体的流动变得不均匀，所以晶圆变为在范围或晶圆面内不均匀地冷却的状况，只冷却氮气气体的流速大的范围之晶圆或晶圆面内。本发明的目的系在提供：可使降温速度提高、同时可防止基板间及基板面内的温度偏差之基板处理设备。用以解决前述课题的手段系按照以下说明。一种特征为：具备了收容保持了复数片的基板的舟皿(boat)而处理复数片的基板之处理室、和设置于前述处理室周围而加热前述基板的加热单元、和在对于保持在容纳于前述处理室内的前述舟皿的前述基板之主面而伸延于垂直方向的管部，形成至少跨过2片前述复数片的基板而喷出冷却气体的喷出孔之冷却气体供给喷嘴；前述冷却气体供给喷嘴系形成如：形成前述喷出孔的范围的前述管部的剖面积变得比前述喷出孔的总开口面积大之基板处理设备。如由前述的手段，则借由从冷却气体供给喷嘴喷出冷却气体，可使处理完的基板急速且均匀地降温。在前述的手段，因为：被形成在冷却气体供给喷嘴的喷出孔之范围的管部的剖面积变得比喷出孔的总开口面积大般地设置，所以可防止从喷出孔喷出时的冷却气体产生压力差。

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