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1. 外观设计

TWD186028S 熱電偶用保護管之部分有权
简体标题：热电偶用保护管之部分
公开(公告)号：TWD186028S
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW106300153
申请日：2017-01-10
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
设计人：赤尾徳信 , AKAO, TOKUNOBU , 梅川純史 , UMEKAWA, ATSUSHI , 上野正昭 , UENO, MASAAKI , 小杉哲也 , KOSUGI, TETSUYA , 村田等 , MURATA, HITOSHI , 杉下雅士 , SUGISHITA, MASASHI , 篠崎賢次 , SHINOZAKI, KENJI

2. 发明专利

TWI526566B 基板處理裝置、頂部及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：基板处理设备、顶部及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI526566B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW104108955
申请日：2015-03-20
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：竹脇基哉 , TAKEWAKI, MOTOYA , 小杉哲也 , KOSUGI, TETSUYA , 上野正昭 , UENO, MASAAKI
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/22 , H01L21/31 , H01L21/316
CPC分类号： C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/466 , H01L21/67109

3. 发明专利

TW201546905A 熱電偶支撐體、基板處理裝置、溫度檢測方法及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：热电偶支撑体、基板处理设备、温度检测方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201546905A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104129332
申请日：2013-09-09
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：山口英人 , YAMAGUCHI, HIDETO , 小杉哲也 , KOSUGI, TETSUYA , 上野正昭 , UENO, MASAAKI
IPC分类号： H01L21/324 , F27D19/00
CPC分类号： H01L22/26 , G01K7/02 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係可縮短截至開始熱處理為止之待機時間。本發明的基板處理裝置，係具備有：反應管、加熱部、保護管、絕緣管、熱電偶、氣體供應部、以及排氣部。該反應管係將保持複數片基板的基板保持具加以收容，且對保持於上述基板保持具上的基板進行處理。該加熱部係設置於上述反應管的外部，且對上述反應管內進行加熱。該保護管係以抵接於上述反應管外壁且朝鉛直方向延伸之方式加以設置。該絕緣管係配置於上述保護管內且具有朝鉛直方向延伸的貫通孔。該熱電偶係於上端具有熱電偶接合部，且熱電偶素線插通於上述絕緣管的貫通孔中。該氣體供應部係將對收容於上述反應管內之基板進行處理之氣體，供應至上述反應管內。該排氣部係從上述反應管內將氣體予以排出。
简体摘要：本发明系可缩短截至开始热处理为止之待机时间。本发明的基板处理设备，系具备有：反应管、加热部、保护管、绝缘管、热电偶、气体供应部、以及排气部。该反应管系将保持复数片基板的基板保持具加以收容，且对保持于上述基板保持具上的基板进行处理。该加热部系设置于上述反应管的外部，且对上述反应管内进行加热。该保护管系以抵接于上述反应管外壁且朝铅直方向延伸之方式加以设置。该绝缘管系配置于上述保护管内且具有朝铅直方向延伸的贯通孔。该热电偶系于上端具有热电偶接合部，且热电偶素线插通于上述绝缘管的贯通孔中。该气体供应部系将对收容于上述反应管内之基板进行处理之气体，供应至上述反应管内。该排气部系从上述反应管内将气体予以排出。

4. 发明专利

TW201421585A 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及溫度檢測方法审中-公开
简体标题：基板处理设备、半导体设备之制造方法及温度检测方法
公开(公告)号：TW201421585A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102132387
申请日：2013-09-09
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：山口英人 , YAMAGUCHI, HIDETO , 小杉哲也 , KOSUGI, TETSUYA , 上野正昭 , UENO, MASAAKI
IPC分类号： H01L21/324 , F27D19/00
CPC分类号： H01L22/26 , G01K7/02 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係可縮短截至開始熱處理為止之待機時間。本發明的基板處理裝置，係具備有：反應管、加熱部、保護管、絕緣管、熱電偶、氣體供應部、以及排氣部。該反應管係將保持複數片基板的基板保持具加以收容，且對保持於上述基板保持具上的基板進行處理。該加熱部係設置於上述反應管的外部，且對上述反應管內進行加熱。該保護管係以抵接於上述反應管外壁且朝鉛直方向延伸之方式加以設置。該絕緣管係配置於上述保護管內且具有朝鉛直方向延伸的貫通孔。該熱電偶係於上端具有熱電偶接合部，且熱電偶素線插通於上述絕緣管的貫通孔中。該氣體供應部係將對收容於上述反應管內之基板進行處理之氣體，供應至上述反應管內。該排氣部係從上述反應管內將氣體予以排出。
简体摘要：本发明系可缩短截至开始热处理为止之待机时间。本发明的基板处理设备，系具备有：反应管、加热部、保护管、绝缘管、热电偶、气体供应部、以及排气部。该反应管系将保持复数片基板的基板保持具加以收容，且对保持于上述基板保持具上的基板进行处理。该加热部系设置于上述反应管的外部，且对上述反应管内进行加热。该保护管系以抵接于上述反应管外壁且朝铅直方向延伸之方式加以设置。该绝缘管系配置于上述保护管内且具有朝铅直方向延伸的贯通孔。该热电偶系于上端具有热电偶接合部，且热电偶素线插通于上述绝缘管的贯通孔中。该气体供应部系将对收容于上述反应管内之基板进行处理之气体，供应至上述反应管内。该排气部系从上述反应管内将气体予以排出。

5. 发明专利

TWI584379B 基板處理裝置，加熱裝置，頂部隔熱體及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：基板处理设备，加热设备，顶部隔热体及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI584379B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW104102888
申请日：2015-01-28
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：小杉哲也 , KOSUGI, TETSUYA , 竹脇基哉 , TAKEWAKI, MOTOYA , 上野正昭 , UENO, MASAAKI , 村田等 , MURATA, HITOSHI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67109

6. 外观设计

TWD182149S 基板處理裝置之溫度測定器之部分有权
简体标题：基板处理设备之温度测定器之部分
公开(公告)号：TWD182149S
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105304432
申请日：2016-08-02
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
设计人：赤尾徳信 , AKAO, TOKUNOBU , 竹脇基哉 , TAKEWAKI, MOTOYA , 大坂晃弘 , OSAKA, AKIHIRO , 上野正昭 , UENO, MASAAKI , 小杉哲也 , KOSUGI, TETSUYA , 杉下雅士 , SUGISHITA, MASASHI

7. 发明专利

TWI505366B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI505366B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW100117140
申请日：2007-03-06
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：上野正昭 , UENO, MASAAKI , 島田真一 , SHIMADA, MASAKAZU , 花島建夫 , HANASHIMA, TAKEO , 森川晴夫 , MORIKAWA, HARUO , 林田晃 , HAYASHIDA, AKIRA
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/46 , H01L21/67248

8. 发明专利

TW201326772A 溫度檢測裝置，基板處理裝置，及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：温度检测设备，基板处理设备，及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201326772A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101124779
申请日：2012-07-10
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：小杉哲也 , KOSUGI, TETSUYA , 上野正昭 , UENO, MASAAKI , 山口英人 , YAMAGUCHI, HIDETO
IPC分类号： G01K7/02 , H01L21/67
CPC分类号： H01L22/10 , C23C16/0209 , G01K1/12 , G01K7/026 , G01K7/04 , G01K13/02 , G01K2013/024 , H01L21/67248 , H01L22/30 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明之課題係提供一種溫度檢測裝置，能夠抑制因經時變化造成熱電偶素線斷線，或熱電偶接合部的位置偏離。本發明之解決手段係以具有絕緣管，被設置成於鉛直方向延伸，具有鉛直方向的貫通穴；熱電偶素線，其上端具有熱電偶接合部，插通於前述絕緣管的貫通穴，從前述絕緣管下端伸出的鉛直方向的部分，係朝水平方向改變方向；及緩衝區，係為設於前述絕緣管下方的空間，抑制從前述絕緣管下端伸出的熱電偶素線之熱膨脹受到拘束，並讓前述熱電偶素線的上部或者鉛直方向的中間部被支撐在前述絕緣管之方式構成溫度檢測裝置。
简体摘要：本发明之课题系提供一种温度检测设备，能够抑制因经时变化造成热电偶素线断线，或热电偶接合部的位置偏离。本发明之解决手段系以具有绝缘管，被设置成于铅直方向延伸，具有铅直方向的贯通穴；热电偶素线，其上端具有热电偶接合部，插通于前述绝缘管的贯通穴，从前述绝缘管下端伸出的铅直方向的部分，系朝水平方向改变方向；及缓冲区，系为设于前述绝缘管下方的空间，抑制从前述绝缘管下端伸出的热电偶素线之热膨胀受到拘束，并让前述热电偶素线的上部或者铅直方向的中间部被支撑在前述绝缘管之方式构成温度检测设备。

9. 发明专利

TW201724393A 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄程式之記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备、半导体设备之制造方法及记录进程之记录媒体
公开(公告)号：TW201724393A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105111658
申请日：2016-04-14
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：柳沢愛彥 , YANAGISAWA, YOSHIHIKO , 上野正昭 , UENO, MASAAKI , 大橋直史 , OHASHI, NAOFUMI
IPC分类号： H01L23/34
CPC分类号： H01L21/67196 , C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/45523 , C23C16/45561 , C23C16/45565 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/46 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32467 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32807 , H01J37/32889 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/67103 , H01L21/6719 , H01L21/67742 , H01L21/68785 , H01L21/68792
摘要：提供可以抑制熱導致移載室的伸展之技術。具有處理基板之處理室、設於移載室之軸、被連接於軸而具有加熱部之基板載置台、設於移載室之壁的處理室側之第1絕熱部、以及設於軸的基板載置台側的第2絕熱部。
简体摘要：提供可以抑制热导致移载室的伸展之技术。具有处理基板之处理室、设于移载室之轴、被连接于轴而具有加热部之基板载置台、设于移载室之壁的处理室侧之第1绝热部、以及设于轴的基板载置台侧的第2绝热部。

10. 发明专利

TWI562240B 熱電偶支撐體、基板處理裝置、溫度檢測方法及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：热电偶支撑体、基板处理设备、温度检测方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI562240B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW104129332
申请日：2013-09-09
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：山口英人 , YAMAGUCHI, HIDETO , 小杉哲也 , KOSUGI, TETSUYA , 上野正昭 , UENO, MASAAKI
IPC分类号： H01L21/324 , F27D19/00
CPC分类号： H01L22/26 , G01K7/02 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

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