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1. 发明申请

WO2006077748A1 保護されたカルボキシル基を有する化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成含有保护性羧酸的化合物的层析膜的组合物
公开(公告)号：WO2006077748A1
公开(公告)日：2006-07-27
申请号：PCT/JP2006/300080
申请日：2006-01-06
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 新城徹也 , 橋本圭祐 , 境田康志
发明人：竹井敏 , 新城徹也 , 橋本圭祐 , 境田康志
IPC分类号： G03F7/11 , C08F20/28 , C08F20/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08F220/28 , C08F220/32 , G03F7/094
摘要：【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用され、フォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、フォトレジストとのインターミキシングを起こさず、アスペクト比が大きいホールを有する半導体基板の表面を平坦化できる下層膜、及び該下層膜を形成するためのリソグラフィー用下層膜形成組成物を提供すること。【解決手段】保護されたカルボキシル基を二個以上有する化合物、エポキシ基を二個以上有する化合物、及び溶剤を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物。
摘要翻译： [问题]提供一种用于半导体器件制造的光刻工艺中使用的下层膜，其表现出比光致抗蚀剂更大的干蚀刻速率，并且不与光致抗蚀剂混合，并且可以平坦化半导体衬底的表面具有高纵横比的孔，并且提供用于形成可以形成上述下层膜的光刻用下层膜的组合物。解决问题的手段提供一种用于形成用于光刻的下层膜的组合物，其包含具有两个以上保护的羧基的化合物，具有两个或多个环氧化合物的化合物和溶剂。

2. 发明申请

WO2005043248A1 デキストリンエステル化合物を含有する下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成含有DEXTRIN酯化合物的膜的组合物
公开(公告)号：WO2005043248A1
公开(公告)日：2005-05-12
申请号：PCT/JP2004/016129
申请日：2004-10-29
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 境田康志 , 新城徹也
发明人：竹井敏 , 境田康志 , 新城徹也
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091
摘要：【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスに使用されるリソグラフィー用下層膜形成組成物、及びフォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、そして、フォトレジストとのインターミキシングを起こさないリソグラフィー用下層膜を提供すること。【解決手段】ヒドロキシル基の少なくとも５０％がエステル基となったデキストリンエステル化合物、架橋性化合物、及び有機溶剤を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物。
摘要翻译： [问题]公开了一种用于形成用于光刻的底膜的组合物，其用于半导体器件生产中的光刻工艺。还公开了一种用于光刻的底膜，其具有比光致抗蚀剂更高的干蚀刻速率，并且不引起与光致抗蚀剂的混合。用于解决问题的手段用于形成用于光刻的底膜的组合物含有其中至少50％的羟基转化成酯基的糊精酯化合物，可交联的化合物和有机溶剂。

3. 发明申请

WO2005013601A1 保護されたカルボキシル基を有する化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成包含保护性羧基的化合物的LITHOGRAPHY的下层膜的组合物
公开(公告)号：WO2005013601A1
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：PCT/JP2004/010939
申请日：2004-07-30
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 岸岡高広 , 境田康志 , 新城徹也
发明人：竹井敏 , 岸岡高広 , 境田康志 , 新城徹也
IPC分类号： H04N1/38
CPC分类号： G03F7/091 , Y10S430/106
摘要：【課題】　半導体装置製造のリソグラフィープロセスに使用される、リソグラフィー用下層膜形成組成物、及びフォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、そして、フォトレジストとのインターミキシングを起こさない下層膜を提供すること。【解決手段】　保護されたカルボキシル基を有する化合物、カルボキシル基と反応可能な基を有する化合物及び溶剤を含む下層膜形成組成物、またはカルボキシル基と反応可能な基と保護されたカルボキシル基とを有する化合物及び溶剤を含む下層膜形成組成物。
摘要翻译： [问题]提供一种用于形成用于制造半导体器件的光刻工艺中的用于光刻的下层膜的组合物，以及下层膜，其表现出比光致抗蚀剂更大的蚀刻速率，并且不会引起与光致抗蚀剂混合。解决问题的手段用于形成下层膜的组合物，其包含具有被保护的羧基的化合物，具有能够与羧基反应的基团的化合物和溶剂，或者包含具有能够与羧基和保护的羧基和溶剂。

5. 发明专利

JP2015124292A イミノスチルベンポリマー及びそれを含むレジスト下層膜形成組成物有权
标题翻译：用于形成含有其的底漆膜的组成聚合物和组合物
公开(公告)号：JP2015124292A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013269766
申请日：2013-12-26
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：橋本圭祐 , 染谷安信 , 新城徹也 , 柄澤涼
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027 , C08G61/00
摘要：【課題】イミノスチルベン重合体、イミノスチルベンとビニル化合物との共重合体、及びそれらポリマーを用いたレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】式(1)で示されるイミノスチルベン構造を単位構造として含むポリマー。 (R 1 及びR 2 はそれぞれ水素原子、ハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数6〜40のアリール基、又はエーテル結合、ケトン結合、若しくはエステル結合を含んでいても良いそれらの組み合わせ、R 3 は水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数6〜40のアリール基、又はエーテル結合、ケトン結合、若しくはエステル結合を含んでいても良いそれらの組み合わせ、n1は1〜3の整数、n2は1〜4の整数) 【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供亚氨基芪烯聚合物，亚氨基芪和乙烯基化合物的共聚物，以及使用该聚合物形成抗蚀剂底层膜的组合物。溶液：聚合物包括由式（1）表示的亚氨基茋结构，为单位结构。式（1）中，Rand Reach表示氢原子，卤素基，硝基，氨基，羟基，碳原子数1〜10的烷基，碳原子数2〜10的烯基，碳原子数为6〜40的芳基原子或这些基团的组合，其可以包括醚键，酮键或酯键; R表示氢原子，碳原子数为1〜10的烷基，碳原子数为2〜10的烯基，碳原子数为6〜40的芳基，或者可以包括醚键，酮键或酯键; n1表示1〜3的整数， n2表示1〜4的整数。

6. 发明专利

JP6191831B2 レジスト下層膜形成組成物有权
公开(公告)号：JP6191831B2
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：JP2014529489
申请日：2013-08-05
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：西巻裕和 , 橋本圭祐 , 新城徹也 , 遠藤貴文 , 坂本力丸
IPC分类号： G03F7/26 , C08G8/00 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , C08G8/04 , C09D161/12 , G03F7/094 , G03F7/16 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/32139 , H01L21/02112 , H01L21/0274

7. 发明专利

JP2016145849A トリヒドロキシナフタレンノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成含有三羟基苯乙烯NOVOLAC树脂的电阻膜的组合物
公开(公告)号：JP2016145849A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：JP2013126459
申请日：2013-06-17
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：柄澤涼 , 高瀬顕司 , 新城徹也
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/3065 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/094 , G03F7/091
摘要：【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いるための耐熱性及びパターンの曲がり耐性を備えたレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】式(1): 【化1】 (式(1)中、Aはポリヒドロキシナフタレンに由来するヒドロキシ基置換ナフチレン基であり3個のヒドロキシ基を有し、Bは2〜4個のベンゼン環が縮合した1価の縮合芳香族炭化水素環基である。)の単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于形成抗蚀剂底层膜的组合物，其具有在制造半导体器件时用于平版印刷工艺的图案的耐热性和抗摆动性。解决方案：用于形成抗蚀剂底层膜的组合物光刻法包括具有式（1）结构单元的聚合物。在式（1）中，A表示衍生自多羟基萘并具有3个羟基的羟基取代的亚萘基; B表示2〜4个苯环稠合的一价稠合芳香族环状基团

8. 发明专利

JP5867732B2 水酸基含有カルバゾールノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物有权
标题翻译：形成含有含羟基咔唑酚醛清漆树脂组合物中的抗蚀剂下层膜
公开(公告)号：JP5867732B2
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：JP2012547847
申请日：2011-12-05
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：新城徹也 , 奥山博明 , 橋本圭祐 , 染谷安信 , 柄澤涼 , 加藤雅一
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： H01L21/3081 , C09D139/04 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0271 , G03F7/0045

10. 发明专利

JP6124025B2 多核フェノール類を有するノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物有权
公开(公告)号：JP6124025B2
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：JP2014531597
申请日：2013-08-13
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：遠藤貴文 , 新城徹也 , 橋本圭祐 , 染谷安信 , 西巻裕和 , 柄澤涼 , 坂本力丸
IPC分类号： G03F7/26 , C08G8/00 , G03F7/11
CPC分类号： C09D161/12 , C07C39/15 , C08G8/02 , C08G8/04 , C09D161/04 , G03F7/038 , G03F7/11 , H01L21/0271 , H01L21/3088 , H01L21/31144 , H01L21/31138

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