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1. 发明专利

TW201807503A 包含萘酚芳烷基樹脂之抗蝕下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：包含萘酚芳烷基树脂之抗蚀下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201807503A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106112943
申请日：2017-04-18
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/04 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要：本發明之課題為，提供不會與抗蝕層發生雜混，具有較高耐乾蝕性及較高耐熱性，減少高溫下質量減少，具有平坦之段差基板被覆性的微影用抗蝕下層膜，及形成該抗蝕下層膜用之抗蝕下層膜形成組成物。解決方法為含有具有下述式(1)：之單位結構之聚合物的抗蝕下層膜形成組成物。式(1)之單位結構為式(2)：之單位結構。又為包含藉由抗蝕下層膜形成組成物於半導體基板上形成抗蝕下層膜之步驟、於該抗蝕下層膜上方形成硬遮罩之步驟、再於該硬遮罩上方形成抗蝕膜之步驟、藉由照射光或電子線與顯像於該抗蝕膜上形成抗蝕圖型之步驟、藉由該抗蝕圖型蝕刻該硬遮罩而形成圖型之步驟、藉由該圖型化之硬罩蝕刻該下層膜而形成圖型之步驟，及藉由該圖型化之抗蝕下層膜加工該半導體基板的半導體裝置之製造方法。
简体摘要：本发明之课题为，提供不会与抗蚀层发生杂混，具有较高耐干蚀性及较高耐热性，减少高温下质量减少，具有平坦之段差基板被覆性的微影用抗蚀下层膜，及形成该抗蚀下层膜用之抗蚀下层膜形成组成物。解决方法为含有具有下述式(1)：之单位结构之聚合物的抗蚀下层膜形成组成物。式(1)之单位结构为式(2)：之单位结构。又为包含借由抗蚀下层膜形成组成物于半导体基板上形成抗蚀下层膜之步骤、于该抗蚀下层膜上方形成硬遮罩之步骤、再于该硬遮罩上方形成抗蚀膜之步骤、借由照射光或电子线与显像于该抗蚀膜上形成抗蚀图型之步骤、借由该抗蚀图型蚀刻该硬遮罩而形成图型之步骤、借由该图型化之硬罩蚀刻该下层膜而形成图型之步骤，及借由该图型化之抗蚀下层膜加工该半导体基板的半导体设备之制造方法。

2. 发明专利

TWI553035B 含有含脂環式骨架之咔唑樹脂之光阻下層膜形成組成物有权
简体标题：含有含脂环式骨架之咔唑树脂之光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI553035B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW101124441
申请日：2012-07-06
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 柄澤涼 , KARASAWA, RYO
IPC分类号： C08G61/12 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , C08F26/12 , C08F226/06 , C08G61/124 , C08G2261/3241 , C08G2261/3325 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/30604

3. 发明专利

TW201305238A 含有含脂環式骨架之咔唑樹脂之光阻下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有含脂环式骨架之咔唑树脂之光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201305238A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101124441
申请日：2012-07-06
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 柄澤涼 , KARASAWA, RYO
IPC分类号： C08G61/12 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , C08F26/12 , C08F226/06 , C08G61/124 , C08G2261/3241 , C08G2261/3325 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/30604
摘要：本發明之課題為提供一種微影術制程用之光阻下層膜，其特徵為高n質低k質，在與含有矽的中間層組合所用之三層的製程中可以使從基板來之波長193nm之光反射有減低的效果。解決課題之技術手段為提供一種含有具縮合雜環化合物與雙環化合物之反應物之單位構造之聚合物之用在微影術步驟之光阻下層膜形成組成物。縮合雜環化合物為咔唑，或是取代咔唑。雙環化合物為雙環戊二烯、取代雙環戊二烯、四環〔4.4.0.12,5.17,10〕十二烷基-3,8-二烯、或是取代四環〔4.4.0.12,5.17,10〕十二烷基-3,8-二烯。
简体摘要：本发明之课题为提供一种微影术制程用之光阻下层膜，其特征为高n质低k质，在与含有硅的中间层组合所用之三层的制程中可以使从基板来之波长193nm之光反射有减低的效果。解决课题之技术手段为提供一种含有具缩合杂环化合物与双环化合物之反应物之单位构造之聚合物之用在微影术步骤之光阻下层膜形成组成物。缩合杂环化合物为咔唑，或是取代咔唑。双环化合物为双环戊二烯、取代双环戊二烯、四环〔4.4.0.12,5.17,10〕十二烷基-3,8-二烯、或是取代四环〔4.4.0.12,5.17,10〕十二烷基-3,8-二烯。

4. 发明专利

TW201704881A 阻劑下層膜之形成方法审中-公开
简体标题：阻剂下层膜之形成方法
公开(公告)号：TW201704881A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105104770
申请日：2016-02-18
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE
IPC分类号： G03F7/16 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0046 , C07C67/347 , C07C69/753 , C07C2601/02 , C07C2604/00 , C08F20/36 , C09D133/14 , G03F7/0752 , G03F7/0757 , G03F7/094 , G03F7/168 , H01L21/3086
摘要：本發明提供一種阻劑下層膜之形成方法，該阻劑下層膜對於含氟碳之氣體具有高的乾蝕刻耐性。該阻劑下層膜之形成方法係於基板上塗佈阻劑下層膜形成組成物，該組成物含有對富勒烯(fullerene)1分子加成1至6分子之以下述式(1)表示之丙二酸二酯之富勒烯衍生物、至少具有2個環氧基之化合物及溶劑： (式中，2個R分別獨立表示碳原子數1至10之烷基)，將塗佈有前述阻劑下層膜形成組成物之基板，於氮氣、氬氣或該等之混合物之氛圍下於240℃以上之溫度烘烤至少1次。
简体摘要：本发明提供一种阻剂下层膜之形成方法，该阻剂下层膜对于含氟碳之气体具有高的干蚀刻耐性。该阻剂下层膜之形成方法系于基板上涂布阻剂下层膜形成组成物，该组成物含有对富勒烯(fullerene)1分子加成1至6分子之以下述式(1)表示之丙二酸二酯之富勒烯衍生物、至少具有2个环氧基之化合物及溶剂： (式中，2个R分别独立表示碳原子数1至10之烷基)，将涂布有前述阻剂下层膜形成组成物之基板，于氮气、氩气或该等之混合物之氛围下于240℃以上之温度烘烤至少1次。

5. 发明专利

TW201610593A 含有具丙烯醯胺構造與丙烯酸酯構造之聚合物的微影用阻劑下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有具丙烯酰胺构造与丙烯酸酯构造之聚合物的微影用阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201610593A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104116261
申请日：2015-05-21
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 西田登喜雄 , NISHITA, TOKIO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08F220/54 , C08F220/10 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08F220/14 , C08F220/58 , C09D133/26 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2002 , G03F7/2037 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L21/3086
摘要：本發明之課題在於提供一種阻劑下層膜形成組成物，其係可自上層轉印圖型或於基板的加工時進行乾式蝕刻，基板加工後用以形成可以鹼水溶液去除之阻劑下層膜的阻劑下層膜形成組成物。本發明之阻劑下層膜形成組成物係含有具有以下述式(1)所示之單位構造與以下述式(2)所示之單位構造的聚合物(A)、具有由封端異氰酸酯基、羥甲基或碳原子數1~5之烷氧基甲基選出的至少2種基之交聯性化合物(B)、及溶劑(C)之阻劑下層膜形成組成物，其特徵為該聚合物(A)係該式(1)所示之單位構造與該式(2)所示之單位構造以莫耳%計為式(1)所示之單位構造：式(2)所示之單位構造=25~60：75~40的比例共聚合之聚合物。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种阻剂下层膜形成组成物，其系可自上层转印图型或于基板的加工时进行干式蚀刻，基板加工后用以形成可以碱水溶液去除之阻剂下层膜的阻剂下层膜形成组成物。本发明之阻剂下层膜形成组成物系含有具有以下述式(1)所示之单位构造与以下述式(2)所示之单位构造的聚合物(A)、具有由封端异氰酸酯基、羟甲基或碳原子数1~5之烷氧基甲基选出的至少2种基之交联性化合物(B)、及溶剂(C)之阻剂下层膜形成组成物，其特征为该聚合物(A)系该式(1)所示之单位构造与该式(2)所示之单位构造以莫耳%计为式(1)所示之单位构造：式(2)所示之单位构造=25~60：75~40的比例共聚合之聚合物。

6. 发明专利

TW201407290A 含有含苯基吲哚之酚醛清漆樹脂的阻劑底層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有含苯基吲哚之酚醛清漆树脂的阻剂底层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201407290A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102110905
申请日：2013-03-27
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：西卷裕和 , NISHIMAKI, HIROKAZU , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 柄澤涼 , KARASAWA, RYO
IPC分类号： G03F7/11 , C08G12/26
CPC分类号： H01L21/0271 , C08G12/26 , C08G12/40 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/168 , G03F7/2037 , G03F7/2059 , H01L21/31133
摘要：本發明提供一種用於半導體裝置製造之微影製程中之具備耐熱性之阻劑底層膜形成組成物。本發明之阻劑底層膜形成組成物含有具有以下述式(1)表示之單位構造之聚合物，環A及環B均為苯環，n1、n2及n3為0，R4及R6為氫原子，R5為萘基。本發明之半導體裝置之製造方法包含下列步驟：以上述阻劑底層膜形成組成物，於半導體基板上形成底層膜之步驟，於其上形成硬遮罩之步驟，進而於其上形成阻劑膜之步驟，藉由以光或電子束之照射及顯像形成阻劑圖型之步驟，藉由阻劑圖型蝕刻硬遮罩之步驟，藉由圖型化之硬遮罩蝕刻該底層膜之步驟，以及藉由經圖型化之底層膜加工半導體基板之步驟。
简体摘要：本发明提供一种用于半导体设备制造之微影制程中之具备耐热性之阻剂底层膜形成组成物。本发明之阻剂底层膜形成组成物含有具有以下述式(1)表示之单位构造之聚合物，环A及环B均为苯环，n1、n2及n3为0，R4及R6为氢原子，R5为萘基。本发明之半导体设备之制造方法包含下列步骤：以上述阻剂底层膜形成组成物，于半导体基板上形成底层膜之步骤，于其上形成硬遮罩之步骤，进而于其上形成阻剂膜之步骤，借由以光或电子束之照射及显像形成阻剂图型之步骤，借由阻剂图型蚀刻硬遮罩之步骤，借由图型化之硬遮罩蚀刻该底层膜之步骤，以及借由经图型化之底层膜加工半导体基板之步骤。

7. 发明专利

TWI671598B 含有具丙烯醯胺構造與丙烯酸酯構造之聚合物的微影用阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：含有具丙烯酰胺构造与丙烯酸酯构造之聚合物的微影用阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI671598B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW104116261
申请日：2015-05-21
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 西田登喜雄 , NISHITA, TOKIO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08F220/54 , C08F220/10 , G03F7/40 , H01L21/027

8. 发明专利

TWI579647B 包含含雜環共聚合樹脂之光阻下層膜形成組成物有权
简体标题：包含含杂环共聚合树脂之光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI579647B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW102103980
申请日：2013-02-01
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 西卷裕和 , NISHIMAKI, HIROKAZU , 柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08G61/12 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08G12/26 , C08G16/0275 , C08G73/06 , C08G73/0627 , C09D161/26 , C09D179/04 , G03F7/094 , H01L21/3088

9. 发明专利

TW201512304A 含有吡咯酚醛清漆樹脂之光阻下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有吡咯酚醛清漆树脂之光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201512304A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103121880
申请日：2014-06-25
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 西卷裕和 , NISHIMAKI, HIROKAZU , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE
IPC分类号： C08L79/04 , C08G73/06 , G03F7/09 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08G12/26 , C08G16/0268 , C09D161/00 , C09D161/26 , C09D179/04 , G03F7/091 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/02271 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/3081
摘要：本發明之課題係可提供一種優異的光阻下層膜，其具有：接近光阻之乾蝕刻速度之選擇比、較光阻小之乾蝕刻速度之選擇比或較半導體基板小之乾蝕刻速度之選擇比。解決課題之手段為一種光阻下層膜形成組成物，其包含含有下述式(1)之單位構造之聚合物： (式(1)中，R3為氫原子、或可經鹵基、硝基、胺基、羰基、碳數6~40之芳基、或羥基所取代的碳數6~40之芳基、或雜環基；R4為氫原子、或可經鹵基、硝基、胺基、或羥基所取代的碳數1~10之烷基、碳數6~40之芳基、或雜環基；R3及R4可與此等所鍵結之碳原子一起形成環；n表示0至2之整數)。式(1)的R3為苯環、萘環、蒽環或芘環，R4為氫原子。
简体摘要：本发明之课题系可提供一种优异的光阻下层膜，其具有：接近光阻之干蚀刻速度之选择比、较光阻小之干蚀刻速度之选择比或较半导体基板小之干蚀刻速度之选择比。解决课题之手段为一种光阻下层膜形成组成物，其包含含有下述式(1)之单位构造之聚合物： (式(1)中，R3为氢原子、或可经卤基、硝基、胺基、羰基、碳数6~40之芳基、或羟基所取代的碳数6~40之芳基、或杂环基；R4为氢原子、或可经卤基、硝基、胺基、或羟基所取代的碳数1~10之烷基、碳数6~40之芳基、或杂环基；R3及R4可与此等所键结之碳原子一起形成环；n表示0至2之整数)。式(1)的R3为苯环、萘环、蒽环或芘环，R4为氢原子。

10. 发明专利

TW201504766A 光阻下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201504766A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103113545
申请日：2014-04-14
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 西卷裕和 , NISHIMAKI, HIROKAZU , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , C08G61/10
CPC分类号： C08G61/02 , C08G61/124 , C08G73/026 , C08G2261/1422 , C08G2261/3241 , C08G2261/3424 , C08L65/00 , C08L79/02 , G03F7/091
摘要：本發明的課題係提供一新穎光阻下層膜形成組成物。解決課題之手段為一種包含聚合物及溶劑的光阻下層膜形成組成物，其中所述聚合物係具有下述式(1)所表示的結構單元， (式中，X1係表示可經鹵素基、硝基、胺基或羥基取代的具有至少1個芳香環的碳原子數6至20的二價有機基，X2係表示可經鹵素基、硝基、胺基或羥基取代的具有至少1個芳香環的碳原子數6至20的有機基、或甲氧基)。
简体摘要：本发明的课题系提供一新颖光阻下层膜形成组成物。解决课题之手段为一种包含聚合物及溶剂的光阻下层膜形成组成物，其中所述聚合物系具有下述式(1)所表示的结构单元， (式中，X1系表示可经卤素基、硝基、胺基或羟基取代的具有至少1个芳香环的碳原子数6至20的二价有机基，X2系表示可经卤素基、硝基、胺基或羟基取代的具有至少1个芳香环的碳原子数6至20的有机基、或甲氧基)。

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