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1. 发明专利

JP2015021172A スパッタ装置审中-公开
标题翻译：喷射装置
公开(公告)号：JP2015021172A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：JP2013150739
申请日：2013-07-19
申请人：日東電工株式会社 , Nitto Denko Corp
发明人： NASHIKI TOMOTAKE , HAMADA AKIRA
IPC分类号： C23C14/56
CPC分类号： H01J37/32733 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/3277 , H01J37/34 , H01J2237/332
摘要：【課題】成膜ロールから離脱し下流側搬送ロールまで送られる長尺フィルム基材が急激な冷却によって変形することのないスパッタ装置を提供する。【解決手段】真空チャンバー14と、成膜ロール18と、ターゲット材20と、ガス供給機構24と、3個の駆動ロール(下流側搬送ロール)26(1)、26(2)、26(3)と、各駆動ロール26(1)、26(2)、26(3)の温度を、80?C以下で真空チャンバー14内の最低温度よりも高い範囲で、略一定に維持する3個の温度調節機構30(1)、30(2)、30(3)と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种溅射装置，其能够防止长时间的薄膜基材离开成膜辊并送到下游侧输送辊，以免由于突然的冷却而变形。溅射装置包括真空室14，膜沉积辊18，目标材料20，气体供给机构24，三个驱动辊（下游侧输送辊）26（1），26（2），26（3）和三个温度调节机构30（1） 30（2），30（3），用于在80℃以下维持各驱动辊26（1），26（2），26（3）的温度大致恒定在比真空中的最低温度高的范围内室14。

2. 发明专利

JP2015021160A スパッタ装置および薄膜付長尺フィルム基材の製造方法审中-公开
标题翻译：用于制造具有薄膜的长膜基片的溅射装置和方法
公开(公告)号：JP2015021160A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：JP2013150055
申请日：2013-07-19
申请人：日東電工株式会社 , Nitto Denko Corp
发明人： NASHIKI TOMOTAKE , HAMADA AKIRA
IPC分类号： C23C14/56
CPC分类号： H01J37/32733 , C23C14/34 , C23C14/562 , H01J37/32715 , H01J37/3277 , H01J37/34
摘要：【課題】絶縁性の高分子材料からなる長尺フィルム基材を供給ロールから繰り出すとき、長尺フィルム基材に静電気が帯電する。ガイドロールが真空チャンバーと導通していると、長尺フィルム基材がガイドロールに触れた瞬間、長尺フィルム基材に帯電していた静電気がガイドロールに放電して長尺フィルム基材に傷がつく。【解決手段】ガイドロール軸24とガイドロール軸24を軸支するベアリング25との間がドーナツ形の絶縁体26により絶縁され、絶縁性の長尺フィルム基材17との接触面28が浮遊電位にある絶縁ガイドロール14aを用いる。または、絶縁性の長尺フィルム基材17との接触面33が絶縁体32により被覆されて浮遊電位にある絶縁ガイドロール14bを用いる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：为了解决当由进料辊供给由绝缘聚合物材料制成的长膜基底时长静电电荷充电的问题，并且当用真空室进行引导辊时，在长膜基座与导向辊接触的时候，在长膜基底上充填的静电被排出到导辊，以刮擦长膜基底。解决方案：引导辊轴线24与轴承25之间的空间，用于导向辊轴线24的枢转支承由环形绝缘体26绝缘。作为绝缘引导辊14a，绝缘长膜基座17的接触面28处于浮动电位，或使用绝缘引导辊 14b，其中具有绝缘长膜基底17的接触表面33被绝缘体32覆盖并处于浮动电位。

3. 发明专利

JP2014111843A Production method of transparent conductive thin film 有权
标题翻译：透明导电薄膜的生产方法
公开(公告)号：JP2014111843A
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：JP2014014312
申请日：2014-01-29
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： HAISHI MOTOKI , NASHIKI TOMOTAKE
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34 , H01B13/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a production method of a transparent conductive thin film capable of stable production by reducing dispersion of a resistance value of an obtained crystalline transparent conductive film.SOLUTION: In a production method of a transparent conductive thin film for forming a transparent conductive thin film on a transparent film base by a gas phase method by using a target mainly composed of indium oxide and tin oxide, a film is deposited in an argon atmosphere in which argon gas, nitrogen gas and steam gas are included, and the content of the nitrogen gas is in the range of 2,500 ppm-8,500 ppm to the argon gas, and the content of the steam gas is in the range of 1,450 ppm-13,500 ppm to the argon gas.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过减小所获得的结晶透明导电膜的电阻值的分散而稳定生产的透明导电薄膜的制造方法。在一种用于形成透明导电薄膜的透明导电薄膜的制造方法中，通过使用主要由氧化铟和氧化锡组成的靶，通过气相法在透明膜基底上的透明导电薄膜在包含氩气，氮气和蒸汽气体的氩气气氛中沉积膜，氮气的含量相对于氩气在2500ppm-8,500ppm的范围内，并且蒸汽气体的含量在氩气的范围内在1,450ppm -13500ppm的范围内。

4. 发明专利

JP2013093310A Transparent conductive film 有权
标题翻译：透明导电膜
公开(公告)号：JP2013093310A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：JP2012189458
申请日：2012-08-30
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： NASHIKI TOMOTAKE , NOGUCHI TOMOISA , HAISHI MOTOKI , ISHIBASHI KUNIAKI
IPC分类号： H01B5/14 , B32B7/02 , B32B9/00
CPC分类号： H01B5/14 , B32B7/02 , C23C14/086 , C23C14/3492 , C23C14/5806 , G06F3/044 , H01L31/022475 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/266 , Y10T428/31507 , Y10T428/31786 , Y10T428/31855
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent conductive film having an indium tin oxide film formed on a film base material and a low surface resistance value by performing crystallization processing of the indium tin oxide in a short time under a low temperature equal to or lower than the heat resistant temperature of the film base material.SOLUTION: A transparent conductive film 10 includes a film base material 11 having two principal surfaces, and a transparent conductive film 12 formed on one principal surface of the film base material 11. The transparent conductive film 12 is a three-layer film where a first indium tin oxide layer 13, a second indium tin oxide layer 14, and a third indium tin oxide layer 15 are laminated in this order from the film base material 11 side. Content of tin oxide of the first indium tin oxide layer 13 is smaller than that of the second indium tin oxide layer 14. Content of tin oxide of the third indium tin oxide layer 15 is smaller than that of the second indium tin oxide layer 14.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种透明导电膜，其具有通过在短时间内在低温下进行铟锡氧化物的结晶处理而在膜基材上形成的氧化铟锡膜和低表面电阻值相等达到或低于膜基材的耐热温度。
解决方案：透明导电膜10包括具有两个主表面的膜基材11和形成在膜基材11的一个主表面上的透明导电膜12.透明导电膜12是三层膜其中第一氧化铟锡层13，第二氧化铟锡层14和第三氧化铟锡层15依次从膜基材11侧层叠。第一铟锡氧化物层13的氧化锡含量小于第二氧化铟锡层14的含量。第三铟锡氧化物层15的氧化锡含量小于第二氧化铟锡层14的含量。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2013069679A Method for manufacturing transparent conductive film 审中-公开
标题翻译：制造透明导电膜的方法
公开(公告)号：JP2013069679A
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：JP2012194616
申请日：2012-09-04
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： YAMAZAKI YUKA , NASHIKI TOMOTAKE
IPC分类号： H01B13/00 , B32B9/00 , B32B37/00 , C23C14/58
CPC分类号： H01L31/1884 , G06F2203/04103 , Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a transparent conductive film, capable of shortening a heating time for crystallizing an amorphous layer including indium based composite oxide.SOLUTION: A method for manufacturing a transparent conductive film according to the present invention includes: a first step of laminating an amorphous layer formed of indium based composite oxide on a first face of a film base material having a thickness of 10-50 μm; a second step of, during transporting the film base material having the amorphous layer laminated thereon by means of a supply roller to wind around a take-up roller, heating the film base material up to 160°C or above and crystallizing the amorphous layer to form a transparent conductive layer; and a third step of forming an adhesive layer on a second face of the film base material.
摘要翻译：解决的问题：提供一种能够缩短包含铟系复合氧化物的非晶层结晶的加热时间的透明导电膜的制造方法。解决方案：根据本发明的制造透明导电膜的方法包括：将由铟基复合氧化物形成的非晶层层压在厚度为10-50的膜基材的第一面上的第一步骤 μm; 在通过供给辊在其上层压具有非晶层的膜基材输送卷绕在卷取辊周围的第二步骤中，将膜基材加热至160℃以上并使无定形层结晶为形成透明导电层; 以及在所述膜基材的第二面上形成粘合剂层的第三工序。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2012199215A Transparent conductive film and method of producing the same 有权
标题翻译：透明导电薄膜及其制造方法
公开(公告)号：JP2012199215A
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：JP2011150223
申请日：2011-07-06
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： YAMAZAKI YUKA , NASHIKI TOMOTAKE , SUGAWARA HIDEO , MACHINAGA HIRONOBU , SASAKI ERI
IPC分类号： H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/58 , H01B5/14
CPC分类号： H01B5/14 , C08J7/045 , C08J7/08 , C08J2323/06 , C08J2483/04 , C23C14/086 , C23C14/562 , C23C14/5806
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To produce a long transparent conductive film comprising a crystalline indium composite oxide film formed on a transparent film base material.SOLUTION: A production method according to the present invention includes: an amorphous laminate formation step in which an amorphous film of indium composite oxide containing indium and a tetravalent metal is formed on the long transparent film base material by a sputtering method; and a crystallization step in which the long transparent film base material including the amorphous film formed thereon is continuously transported into a furnace and the amorphous film is crystallized. Temperature at an inside of the furnace in the crystallization step is preferably 170-220°C, and a rate of change of a film length in the crystallization step is preferably +2.5% or lower.
摘要翻译：解决的问题：制造包含在透明膜基材上形成的结晶铟复合氧化物膜的长透明导电膜。解决方案：根据本发明的制造方法包括：通过溅射法在所述长透明膜基材上形成含有铟和四价金属的铟复合氧化物的非晶膜的无定形层叠体形成工序; 以及结晶步骤，其中包括形成在其上的非晶膜的长透明膜基材连续输送到炉中，并且非晶膜结晶。在结晶步骤中的炉内部的温度优选为170〜220℃，结晶化步骤中的膜长度的变化率优选为+ 2.5％以下。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2009104842A Transparent conductive film, manufacturing method therefor, and touch panel having the transparent conductive film 有权
标题翻译：透明导电膜，其制造方法和具有透明导电膜的触控面板
公开(公告)号：JP2009104842A
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：JP2007274045
申请日：2007-10-22
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： NASHIKI TOMOTAKE , SUGAWARA HIDEO
IPC分类号： H01B5/14 , B32B7/02 , C23C14/08 , G06F3/041 , H01B13/00
CPC分类号： C08J7/045 , G02F1/13338 , G02F2001/133331 , G02F2202/022 , G02F2202/09 , G02F2202/16 , G06F3/045 , Y10T428/265
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent conductive film having a transparent conductive layer having superior durability against pen-using input and offers high reliability under a high-temperature/high humidity environment. SOLUTION: The transparent conductive film includes a transparent film base layer and the transparent conductive layer that is formed on one surface of the film base material via at least one undercoat layer. The transparent conductive layer is 15 to 35 nm in thickness d, and has an average surface roughness Ra of 0.37 to 1 nm. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有透明导电层的透明导电膜，该透明导电层对使用笔的输入具有优异的耐久性，并且在高温/高湿度环境下提供高可靠性。透明导电膜包括通过至少一个底涂层形成在膜基材的一个表面上的透明膜基底层和透明导电层。透明导电层的厚度为15〜35nm，平均表面粗糙度Ra为0.37〜1nm。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2007293777A Touch panel 有权
标题翻译：触控面板
公开(公告)号：JP2007293777A
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：JP2006123689
申请日：2006-04-27
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： NASHIKI TOMOTAKE , SUGAWARA HIDEO
IPC分类号： G06F3/041 , C23C14/08 , G06F3/045 , H01H11/00 , H01H13/712
CPC分类号： G06F3/045 , H01H13/704 , H01H2201/00 , H01H2201/016 , H01H2227/002 , H01H2227/004 , H01H2227/006 , H01H2227/008 , H01H2227/01 , H01H2227/03 , H01H2227/034 , Y10T428/24355 , Y10T428/24372
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a touch panel excellent in durability of a conductive thin film, in the touch panel using a panel which is provided with the conductive thin film on a film base material. SOLUTION: The touch panel is provided with a first transparent film base material, a first panel having a first transparent conductive thin film provided on one side of the first film base material, a second transparent film base material, and a second panel having a second transparent conductive thin film provided on the one side of the second film base material. In the touch panel that the first panel and the second panel are counter arranged so that the first conductive thin film and the second conductive thin film face each other via a spacer. In the surface of the first conductive thin film, the hardness is 1 GPa or more and the elastic modulus is 5 GPa or more. In the surface of the second conductive thin film, the center-line average roughness (Ra) is 0.3-1.0 nm. The value of the center-line average roughness (Ra) of the surface of the second conductive thin film is smaller than the center-line average roughness (Ra) of the surface of the first conductive thin film. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种在导电薄膜的耐久性方面优异的触摸面板，使用在薄膜基材上设置有导电薄膜的面板。解决方案：触摸面板设置有第一透明膜基材，第一面板，具有设置在第一薄膜基材的一侧上的第一透明导电薄膜，第二透明薄膜基材和第二面板具有设置在第二膜基材的一侧的第二透明导电薄膜。在触摸面板中，第一面板和第二面板相对配置，使得第一导电薄膜和第二导电薄膜经由间隔件彼此面对。在第一导电性薄膜的表面，硬度为1GPa以上，弹性模量为5GPa以上。在第二导电薄膜的表面，中心线平均粗糙度（Ra）为0.3-1.0nm。第二导电薄膜的表面的中心线平均粗糙度（Ra）的值小于第一导电薄膜的表面的中心线平均粗糙度（Ra）。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2007103348A Transparent conductive film, electrode plate for touch panel, and the touch panel 有权
标题翻译：透明导电膜，触控面板电极板和触控面板
公开(公告)号：JP2007103348A
公开(公告)日：2007-04-19
申请号：JP2006225493
申请日：2006-08-22
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： NASHIKI TOMOTAKE , YOSHITAKE HIDETOSHI , SUGAWARA HIDEO
IPC分类号： H01B5/14 , B32B7/02 , G06F3/041 , G06F3/045
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent conductive film in which transparent conductive thin films are laminated on one face of a transparent film base via a resin layer having a fine concavo-convex shape, and which can suppress generation of Newton rings and can satisfy durability, especially, pen input durability, and further can display characteristics, such as glare. SOLUTION: This is a transparent conductive film in which transparent conductive thin films are laminated on one face of a transparent film base via a resin layer having fine concavo-convex shape. The surface of the transparent conductive thin film has a center line of average roughness (Ra) of 0.11-0.18 μm, a maximum height (Ry) 0.9-1.6 μm, and an average spacing (S) at local crest 0.05-0.11 mm. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种透明导电膜，其中透明导电薄膜经由具有微小凹凸形状的树脂层层压在透明膜基底的一个面上，并且可以抑制牛顿环的产生并且可以满足耐用性，特别是笔输入耐久性，并且还可以显示诸如眩光的特性。解决方案：这是一种透明导电膜，其中透明导电薄膜通过具有微小凹凸形状的树脂层层压在透明膜基底的一个面上。透明导电性薄膜的表面的平均粗糙度（Ra）为0.11〜0.18μm，最大高度（Ry）为0.9〜1.6μm，局部峰的平均间隔（S）为0.05〜0.11mm。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2006019239A Transparent conductive film 有权
标题翻译：透明导电膜
公开(公告)号：JP2006019239A
公开(公告)日：2006-01-19
申请号：JP2005031577
申请日：2005-02-08
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： NASHIKI TOMOTAKE , SUGAWARA HIDEO
IPC分类号： H01B5/14 , G06F3/041 , G06F3/045 , H01B1/08 , H01B13/00 , H01L21/4763 , H01L23/48
CPC分类号： H01B1/08 , G06F3/045
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent conductive film which has a surface resistance suitable for applications such as touch panels, and excels in the reliability under a high temperature and humidity, i.e. moisture and heat resistive performance. SOLUTION: On one surface of a transparent film substrate 1, by the dry type thin film forming method, a transparent SiOx (x=1.0 to 2.0) thin film 2 is formed which has a thickness of 10 to 100 nm, a light refractive index of 1.40 to 1.80, and an average surface roughness [Ra] of 0.8 to 3.0 nm. On the thin film 2, a transparent conductive thin film 3 composed of an indium-tin compound oxide which has a SnO 2 /(In 2 O 3 +SnO 2 ) ratio of 3 to 15 wt.% is formed to manufacture the transparent conductive film which has a surface resistivity of 250 to 500 Ω/sq., and a resistance variation rate of 1.5 times or less after allowed to stand at 85°C and 85%RH for 500 to 1,000 h. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供具有适合于诸如触摸面板的应用的表面电阻的透明导电膜，并且在高温和高湿度下的可靠性，即耐湿性和耐热性能方面优异。解决方案：在透明膜基板1的一个表面上，通过干式薄膜形成方法，形成厚度为10至100nm的透明SiO x（x = 1.0至2.0）薄膜2，光折射率为1.40〜1.80，平均表面粗糙度[Ra]为0.8〜3.0nm。在薄膜2上，由SnO 2 /（In 2 O 3 的铟 - 锡复合氧化物构成的透明导电薄膜3，形成3〜15重量％的SB> SnO 2 比，制造表面电阻率为250〜500Ω/ sq的透明导电膜，电阻变化率为1.5 在85℃和85％RH下静置500至1000小时后，再次或更少。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

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