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1. 发明专利

TWI650890B 二次電池有权
简体标题：二次电池
公开(公告)号：TWI650890B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106125722
申请日：2017-07-31
申请人：日商日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS
发明人：工藤拓夫 , KUDOH, TAKUO , 出羽晴匡 , DEWA, HARUTADA , 高野光 , TAKANO, HIKARU , 齋藤友和 , SAITO, TOMOKAZU , 殿川孝司 , TONOKAWA, TAKASHI
IPC分类号： H01M10/04 , H01M10/38

2. 发明专利

TW201717415A 氧化物半導體二次電池及其製造方法审中-公开
简体标题：氧化物半导体二次电池及其制造方法
公开(公告)号：TW201717415A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105127690
申请日：2016-08-29
申请人：日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS
发明人：津國和之 , TSUNOKUNI, KAZUYUKI , 工藤拓夫 , KUDOH, TAKUO , 高野光 , TAKANO, HIKARU , 小笠原樹理 , OGASAWARA, JURI
IPC分类号： H01L31/04 , H01M10/38
CPC分类号： H01L31/0256 , H01L49/00 , Y02E10/50
摘要：本發明提供一種氧化物半導體二次電池及其製造方法。本實施形態的氧化物半導體二次電池係具備：第一電極(14)；n型金屬氧化物半導體層(16)，其形成於第一電極(14)的上方；充電層(18)，其形成於n型金屬氧化物半導體層(16)的上方，且由含有n型金屬氧化物半導體和絕緣性物質的物質所構成；p型金屬氧化物半導體層(20)，其形成於充電層(18)的上方；以及第二電極(22)，其形成於p型金屬氧化物半導體層(20)的上方。n型金屬氧化物半導體層(16)係含有銳鈦礦結構、或非晶質結構的二氧化鈦。
简体摘要：本发明提供一种氧化物半导体二次电池及其制造方法。本实施形态的氧化物半导体二次电池系具备：第一电极(14)；n型金属氧化物半导体层(16)，其形成于第一电极(14)的上方；充电层(18)，其形成于n型金属氧化物半导体层(16)的上方，且由含有n型金属氧化物半导体和绝缘性物质的物质所构成；p型金属氧化物半导体层(20)，其形成于充电层(18)的上方；以及第二电极(22)，其形成于p型金属氧化物半导体层(20)的上方。n型金属氧化物半导体层(16)系含有锐钛矿结构、或非晶质结构的二氧化钛。

3. 发明专利

TW201721805A 安裝次級電池之晶片的製造方法审中-公开
简体标题：安装次级电池之芯片的制造方法
公开(公告)号：TW201721805A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105120308
申请日：2016-06-28
申请人：日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS
发明人：津國和之 , TSUNOKUNI, KAZUYUKI , 井上龍雄 , INOUE, TATSUO , 齋藤友和 , SAITOH, TOMOKAZU , 殿川孝司 , TONOKAWA, TAKASHI , 小笠原樹里 , OGASAWARA, JURI , 工藤拓夫 , KUDOH, TAKUO
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/04
CPC分类号： H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06
摘要：〔主題〕提供一種用於在複數個晶片上同時及均勻地製造氧化物半導體次級電池的方法。〔解決方案〕提供一種用於製造氧化物半導體次級電池安裝於其上之晶片的方法，該氧化物半導體次級電池係藉由層疊第一電極(52)、充電功能層(54、56、58)、及層疊在電路上的第二電極(60)而形成。該方法包括層疊處理，以將該等氧化物半導體次級電池積集地層疊及形成在對應於形成在晶圓(20)上的複數個晶片(22)的區域，而非將該等氧化物半導體次級電池分別形成在對應於該等個別晶片(22)的區域；及分割處理，藉由在該等積集形成的氧化物半導體次級電池上實施圖案蝕刻以消除對應於該等個別晶片(22)的區域以外之未對應於該等個別晶片的區域而實施對應於該等個別晶片(22)之獨立氧化物半導體次級電池(50-1、50-2)的分割。
简体摘要：〔主题〕提供一种用于在复数个芯片上同时及均匀地制造氧化物半导体次级电池的方法。〔解决方案〕提供一种用于制造氧化物半导体次级电池安装于其上之芯片的方法，该氧化物半导体次级电池系借由层叠第一电极(52)、充电功能层(54、56、58)、及层叠在电路上的第二电极(60)而形成。该方法包括层叠处理，以将该等氧化物半导体次级电池积集地层叠及形成在对应于形成在晶圆(20)上的复数个芯片(22)的区域，而非将该等氧化物半导体次级电池分别形成在对应于该等个别芯片(22)的区域；及分割处理，借由在该等积集形成的氧化物半导体次级电池上实施图案蚀刻以消除对应于该等个别芯片(22)的区域以外之未对应于该等个别芯片的区域而实施对应于该等个别芯片(22)之独立氧化物半导体次级电池(50-1、50-2)的分割。

4. 发明专利

TWI481099B 固體型二次電池之電極構造有权
简体标题：固体型二次电池之电极构造
公开(公告)号：TWI481099B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW102110733
申请日：2013-03-26
申请人：日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS , 刮拉技術有限公司 , GUALA TECHNOLOGY CO., LTD
发明人：工藤拓夫 , KUDOH, TAKUO , 檜皮清康 , HIWADA, KIYOYASU , 中澤明 , NAKAZAWA, AKIRA
IPC分类号： H01M4/00 , H01M10/42 , H01M10/46 , H01M14/00
CPC分类号： H01M14/005 , H01L31/022425 , H01L49/006 , H01M10/425 , H01M10/465 , H02J7/324

5. 发明专利

TW202005160A 二次電池以及二次電池的製造方法审中-公开
简体标题：二次电池以及二次电池的制造方法
公开(公告)号：TW202005160A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108117941
申请日：2019-05-24
申请人：日商日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS
发明人：工藤拓夫 , KUDOH, TAKUO , 齋藤友和 , SAITO, TOMOKAZU
IPC分类号： H01M10/42 , H01L31/0256
摘要：本發明提供一種用以提高二次電池之性能之技術。本發明之二次電池係具備：基材(11)；n型氧化物半導體層(13)，係由形成在基材(11)上的二氧化鈦所構成；充電層(14)，係形成於n型氧化物半導體層(13)上，且包含n型氧化物半導體材料以及絕緣材料；p型氧化物半導體層(16)，係形成於充電層(14)上；以及第二電極(17)，係形成於p型氧化物半導體層(16)上；n型氧化物半導體層(13)係含有銳鈦礦結構的二氧化鈦以及金紅石結構的二氧化鈦。
简体摘要：本发明提供一种用以提高二次电池之性能之技术。本发明之二次电池系具备：基材(11)；n型氧化物半导体层(13)，系由形成在基材(11)上的二氧化钛所构成；充电层(14)，系形成于n型氧化物半导体层(13)上，且包含n型氧化物半导体材料以及绝缘材料；p型氧化物半导体层(16)，系形成于充电层(14)上；以及第二电极(17)，系形成于p型氧化物半导体层(16)上；n型氧化物半导体层(13)系含有锐钛矿结构的二氧化钛以及金红石结构的二氧化钛。

6. 发明专利

TWI603492B 氧化物半導體二次電池及其製造方法有权
简体标题：氧化物半导体二次电池及其制造方法
公开(公告)号：TWI603492B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW105127690
申请日：2016-08-29
申请人：日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS
发明人：津國和之 , TSUNOKUNI, KAZUYUKI , 工藤拓夫 , KUDOH, TAKUO , 高野光 , TAKANO, HIKARU , 小笠原樹理 , OGASAWARA, JURI
IPC分类号： H01L31/04 , H01M10/38
CPC分类号： H01L31/0256 , H01L49/00 , Y02E10/50

7. 发明专利

TWI504035B 二次電池有权
简体标题：二次电池
公开(公告)号：TWI504035B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW102115047
申请日：2013-04-26
申请人：日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS , 刮拉技術有限公司 , GUALA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：工藤拓夫 , KUDOH, TAKUO , 檜皮清康 , HIWADA, KIYOYASU , 出雲省三 , IZUMO, SHOZO , 斉藤友和 , SAITO, TOMOKAZU , 中澤明 , NAKAZAWA, AKIRA
IPC分类号： H01M10/04 , H01M10/0583
CPC分类号： H01M10/0431 , H01M2/263 , H01M10/045 , H01M10/0454 , H01M10/0459 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/0583

8. 发明专利

TWI489673B 二次電池有权
简体标题：二次电池
公开(公告)号：TWI489673B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW102115048
申请日：2013-04-26
申请人：日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS , 刮拉技術有限公司 , GUALA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：工藤拓夫 , KUDOH, TAKUO , 檜皮清康 , HIWADA, KIYOYASU , 出雲省三 , IZUMO, SHOZO , 藤友和 , SAITO, TOMOKAZU , 中澤明 , NAKAZAWA, AKIRA
IPC分类号： H01M10/0583
CPC分类号： H01M10/0431 , H01M2/263 , H01M10/045 , H01M10/0454 , H01M10/0459 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/0583 , H01M14/005 , Y02E60/122 , Y02P70/54

9. 发明专利

TW201409802A 二次電池审中-公开
简体标题：二次电池
公开(公告)号：TW201409802A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102115048
申请日：2013-04-26
申请人：日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS , 刮拉技術有限公司 , GUALA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：工藤拓夫 , KUDOH, TAKUO , 檜皮清康 , HIWADA, KIYOYASU , 出雲省三 , IZUMO, SHOZO , 藤友和 , SAITO, TOMOKAZU , 中澤明 , NAKAZAWA, AKIRA
IPC分类号： H01M10/0583
CPC分类号： H01M10/0431 , H01M2/263 , H01M10/045 , H01M10/0454 , H01M10/0459 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/0583 , H01M14/005 , Y02E60/122 , Y02P70/54
摘要：提供一種：適用有藉由正極層和負極層來包夾蓄電層之全固體型的二次電池構造之從容積上、作業上、定位上等之1以上的觀點而言為較先前技術而更為良好之二次電池。本發明之二次電池，其特徵為：係將藉由正電極層以及負電極層來包夾蓄電層的薄片狀之單層二次電池，適用為作對折或者是作二次對折之折疊的折曲構造之單層二次電池。於此，較理想，係將折曲構造之單層二次電池作並排設置，並在相鄰接之折曲構造的單層二次電池間，使其作電性之直接接觸，或者是經由正極端子構件或負極端子構件來作接觸，以達成電流容量之增大化以及端子電壓之高壓化的至少其中一者。
简体摘要：提供一种：适用有借由正极层和负极层来包夹蓄电层之全固体型的二次电池构造之从容积上、作业上、定位上等之1以上的观点而言为较先前技术而更为良好之二次电池。本发明之二次电池，其特征为：系将借由正电极层以及负电极层来包夹蓄电层的薄片状之单层二次电池，适用为作对折或者是作二次对折之折叠的折曲构造之单层二次电池。于此，较理想，系将折曲构造之单层二次电池作并排设置，并在相邻接之折曲构造的单层二次电池间，使其作电性之直接接触，或者是经由正极端子构件或负极端子构件来作接触，以达成电流容量之增大化以及端子电压之高压化的至少其中一者。

10. 发明专利

TWI698041B 二次電池以及二次電池的製造方法有权
简体标题：二次电池以及二次电池的制造方法
公开(公告)号：TWI698041B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW108117941
申请日：2019-05-24
申请人：日商日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS
发明人：工藤拓夫 , KUDOH, TAKUO , 齋藤友和 , SAITO, TOMOKAZU
IPC分类号： H01M10/42 , H01L31/0256

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