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1. 发明专利

TW201840038A 蓄電裝置及固體電解質層的製造方法审中-公开
简体标题：蓄电设备及固体电解质层的制造方法
公开(公告)号：TW201840038A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107108265
申请日：2018-03-12
申请人：日商日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS
发明人：殿川孝司 , TONOKAWA, TAKASHI , 津國和之 , TSUNOKUNI, KAZUYUKI , 小笠原樹理 , OGASAWARA, JURI , 佐藤祐樹 , SATO, YUKI
IPC分类号： H01M2/14 , H01M2/16 , H01M10/38
摘要：本發明係提供一種即使增大蓄電容量且增加充電電壓也不會劣化而能夠充電之可靠性提高的蓄電裝置。本發明之蓄電裝置30係具備：第1導電型的第1氧化物半導體層14、配置在第1氧化物半導體層14上且包含質子能夠移動之固體電解質的固體電解質層18K、配置在固體電解質層18K和第1氧化物半導體層14之間且具備絕緣體的絕緣體層18N、以及配置在固體電解質層18K上之第2導電型的第2氧化物半導體層24。
简体摘要：本发明系提供一种即使增大蓄电容量且增加充电电压也不会劣化而能够充电之可靠性提高的蓄电设备。本发明之蓄电设备30系具备：第1导电型的第1氧化物半导体层14、配置在第1氧化物半导体层14上且包含质子能够移动之固体电解质的固体电解质层18K、配置在固体电解质层18K和第1氧化物半导体层14之间且具备绝缘体的绝缘体层18N、以及配置在固体电解质层18K上之第2导电型的第2氧化物半导体层24。

2. 发明专利

TWI613853B 電池以及電池的充放電方法有权
简体标题：电池以及电池的充放电方法
公开(公告)号：TWI613853B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105110539
申请日：2016-04-01
申请人：日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS
发明人：小笠原樹理 , OGASAWARA, JURI , 檜皮清康 , HIWADA, KIYOYASU
IPC分类号： H01M14/00
CPC分类号： H01L49/006 , H01L43/10 , H01L49/00 , H02J7/14

3. 发明专利

TW201717415A 氧化物半導體二次電池及其製造方法审中-公开
简体标题：氧化物半导体二次电池及其制造方法
公开(公告)号：TW201717415A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105127690
申请日：2016-08-29
申请人：日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS
发明人：津國和之 , TSUNOKUNI, KAZUYUKI , 工藤拓夫 , KUDOH, TAKUO , 高野光 , TAKANO, HIKARU , 小笠原樹理 , OGASAWARA, JURI
IPC分类号： H01L31/04 , H01M10/38
CPC分类号： H01L31/0256 , H01L49/00 , Y02E10/50
摘要：本發明提供一種氧化物半導體二次電池及其製造方法。本實施形態的氧化物半導體二次電池係具備：第一電極(14)；n型金屬氧化物半導體層(16)，其形成於第一電極(14)的上方；充電層(18)，其形成於n型金屬氧化物半導體層(16)的上方，且由含有n型金屬氧化物半導體和絕緣性物質的物質所構成；p型金屬氧化物半導體層(20)，其形成於充電層(18)的上方；以及第二電極(22)，其形成於p型金屬氧化物半導體層(20)的上方。n型金屬氧化物半導體層(16)係含有銳鈦礦結構、或非晶質結構的二氧化鈦。
简体摘要：本发明提供一种氧化物半导体二次电池及其制造方法。本实施形态的氧化物半导体二次电池系具备：第一电极(14)；n型金属氧化物半导体层(16)，其形成于第一电极(14)的上方；充电层(18)，其形成于n型金属氧化物半导体层(16)的上方，且由含有n型金属氧化物半导体和绝缘性物质的物质所构成；p型金属氧化物半导体层(20)，其形成于充电层(18)的上方；以及第二电极(22)，其形成于p型金属氧化物半导体层(20)的上方。n型金属氧化物半导体层(16)系含有锐钛矿结构、或非晶质结构的二氧化钛。

4. 发明专利

TW201703344A 電池以及電池的充放電方法审中-公开
简体标题：电池以及电池的充放电方法
公开(公告)号：TW201703344A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105110539
申请日：2016-04-01
申请人：日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS
发明人：小笠原樹理 , OGASAWARA, JURI , 檜皮清康 , HIWADA, KIYOYASU
IPC分类号： H01M14/00
CPC分类号： H01L49/006 , H01L43/10 , H01L49/00 , H02J7/14
摘要：本發明提供一種具有所期望之特性的電池以及電池的充放電方法。本發明之實施形態的電池係具備：第一電極層(6)；第二電極層(7)；以及充電層(3)，藉由於第一電極層(6)與第二電極層(7)之間施加有充電電壓，且使由絕緣性物質所覆蓋的n型金屬氧化物半導體進行光激發結構變化，藉此在能帶隙中形成能階以捕獲電子；在充電層(3)之表面上，設置有第二電極層(7)的區域係由未設置有第二電極層(7)的區域所夾。
简体摘要：本发明提供一种具有所期望之特性的电池以及电池的充放电方法。本发明之实施形态的电池系具备：第一电极层(6)；第二电极层(7)；以及充电层(3)，借由于第一电极层(6)与第二电极层(7)之间施加有充电电压，且使由绝缘性物质所覆盖的n型金属氧化物半导体进行光激发结构变化，借此在能带隙中形成能阶以捕获电子；在充电层(3)之表面上，设置有第二电极层(7)的区域系由未设置有第二电极层(7)的区域所夹。

5. 发明专利

TWI434045B 探針組裝體有权
简体标题：探针组装体
公开(公告)号：TWI434045B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW100141024
申请日：2011-11-10
申请人：日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS
发明人：久我智昭 , KUGA, TOMOAKI , 廣田英輝 , HIROTA, HIDEKI , 小笠原樹理 , OGASAWARA, JURI
IPC分类号： G01R1/073

6. 发明专利

TWI603492B 氧化物半導體二次電池及其製造方法有权
简体标题：氧化物半导体二次电池及其制造方法
公开(公告)号：TWI603492B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW105127690
申请日：2016-08-29
申请人：日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS
发明人：津國和之 , TSUNOKUNI, KAZUYUKI , 工藤拓夫 , KUDOH, TAKUO , 高野光 , TAKANO, HIKARU , 小笠原樹理 , OGASAWARA, JURI
IPC分类号： H01L31/04 , H01M10/38
CPC分类号： H01L31/0256 , H01L49/00 , Y02E10/50

7. 发明专利

TWI568043B 電池有权
简体标题：电池
公开(公告)号：TWI568043B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW104102283
申请日：2015-01-23
申请人：日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS , 古俄拉科技股份有限公司 , GUALA TECHNOLOGY CO. LTD.
发明人：小笠原樹理 , JURI, OGASAWARA , 檜皮清康 , KIYOYASU, HIWADA , 中澤明 , AKIRA, NAKAZAWA
IPC分类号： H01L49/00
CPC分类号： H01M10/465 , H01G9/20 , H01M4/38

8. 发明专利

TW201603343A 電池审中-公开
简体标题：电池
公开(公告)号：TW201603343A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104102283
申请日：2015-01-23
申请人：日本麥克隆尼股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA NIHON MICRONICS , 古俄拉科技股份有限公司 , GUALA TECHNOLOGY CO. LTD.
发明人：小笠原樹理 , JURI, OGASAWARA , 檜皮清康 , KIYOYASU, HIWADA , 中澤明 , AKIRA, NAKAZAWA
IPC分类号： H01L49/00
CPC分类号： H01M10/465 , H01G9/20 , H01M4/38
摘要：根據本發明，係提供一優異的電池，根據本發明的一實施例的電池包括一第一電極層6、一第二電極層7、以及該第一電極層與該第二電極層之間的一充電電壓作用於其上的一充電元件3，該充電元件經設置而藉由被一絕緣性物質所覆蓋的一N型金屬氧化半導體的一光激勵結構性改變，而在一能帶隙中形成一能階，並藉此捕抓電子，例如，該電池具有一設置其中該充電元件3係形成為一三維形狀。
简体摘要：根据本发明，系提供一优异的电池，根据本发明的一实施例的电池包括一第一电极层6、一第二电极层7、以及该第一电极层与该第二电极层之间的一充电电压作用于其上的一充电组件3，该充电组件经设置而借由被一绝缘性物质所覆盖的一N型金属氧化半导体的一光激励结构性改变，而在一能带隙中形成一能阶，并借此捕抓电子，例如，该电池具有一设置其中该充电组件3系形成为一三维形状。

9. 发明专利

TW201229520A 探針組裝體审中-公开
简体标题：探针组装体
公开(公告)号：TW201229520A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100141024
申请日：2011-11-10
申请人：日本麥克隆尼股份有限公司
发明人：久我智昭 , 廣田英輝 , 小笠原樹理
IPC分类号： G01R
摘要：可於不使狹縫條之狹縫之間距變小，而以狹窄間距配置探針。探針組裝體包含：支承片；複數個探針，其係具備帶狀之安裝區域、自該安裝區域向前方延伸之前部區域、及自該前部區域向下方突出之前端針尖者，且於該安裝區域之寬度方向為上下方向之狀態下於該支承片之下側使該安裝區域相對向而並列地配置；及狹縫條，其係配置於該支承片之前端部下側者，且具備於左右方向隔著間隔且於下方開放之複數條狹縫。於左右方向相鄰之至少2個探針之前部區域之至少一部分收納於共通之狹縫。
简体摘要：可于不使狭缝条之狭缝之间距变小，而以狭窄间距配置探针。探针组装体包含：支承片；复数个探针，其系具备带状之安装区域、自该安装区域向前方延伸之前部区域、及自该前部区域向下方突出之前端针尖者，且于该安装区域之宽度方向为上下方向之状态下于该支承片之下侧使该安装区域相对向而并列地配置；及狭缝条，其系配置于该支承片之前端部下侧者，且具备于左右方向隔着间隔且于下方开放之复数条狭缝。于左右方向相邻之至少2个探针之前部区域之至少一部分收纳于共通之狭缝。

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