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1. 发明专利

TW201446387A 雷射光遮蔽部材、雷射處理裝置以及雷射光照射方法审中-公开
简体标题：激光光屏蔽部材、激光处理设备以及激光光照射方法
公开(公告)号：TW201446387A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103113957
申请日：2014-04-17
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：鄭石煥 , CHUNG, SUK-HWAN , 澤井美喜 , SAWAI, MIKI , 次田純一 , SHIDA, JUNICHI
IPC分类号： B23K26/70
CPC分类号： H01L21/268 , B23K26/706
摘要：本發明以能夠對被處理體確保避開照射的部分的方式將線光束分割，且能夠將經分割的線光束照射至被處理體。本發明將遮蔽部材的一部分或全部設置成相對於線光束形狀的雷射光的光路能夠進行相對移動，且伴隨移動，能夠進行經分割的線光束的形狀調整，藉此獲得線光束，該線光束是以根據遮蔽部材的移動位置而決定的形狀將線光束分割所得，並能夠將該線光束照射至被處理體，而不需要光學系統的更換或調整時間等，且不會將雷射光照射至對照射造成障礙的部位或不想進行照射的部位等，從而可生產性佳且品質佳地進行所需的加工。
简体摘要：本发明以能够对被处理体确保避开照射的部分的方式将线光束分割，且能够将经分割的线光束照射至被处理体。本发明将屏蔽部材的一部分或全部设置成相对于线光束形状的激光光的光路能够进行相对移动，且伴随移动，能够进行经分割的线光束的形状调整，借此获得线光束，该线光束是以根据屏蔽部材的移动位置而决定的形状将线光束分割所得，并能够将该线光束照射至被处理体，而不需要光学系统的更换或调整时间等，且不会将激光光照射至对照射造成障碍的部位或不想进行照射的部位等，从而可生产性佳且品质佳地进行所需的加工。

2. 发明专利

TWI692811B 雷射退火裝置、雷射退火處理用連續搬運路徑、雷射光照射手段以及雷射退火處理方法有权
简体标题：激光退火设备、激光退火处理用连续搬运路径、激光光照射手段以及激光退火处理方法
公开(公告)号：TWI692811B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW104114881
申请日：2015-05-11
申请人：日商日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：谷川貞夫 , TANIGAWA, SADAO , 澤井美喜 , SAWAI, MIKI
IPC分类号： H01L21/324

3. 发明专利

TWI606493B 結晶半導體膜的製造方法有权
简体标题：结晶半导体膜的制造方法
公开(公告)号：TWI606493B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW102143352
申请日：2013-11-28
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：次田純一 , SHIDA, JUNICHI , 澤井美喜 , SAWAI, MIKI , 町田政志 , MACHIDA, MASASHI , 鄭石煥 , CHUNG, SUK-HWAN
IPC分类号： H01L21/26 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/1285 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02686 , H01L21/02691

4. 发明专利

TW201546904A 雷射退火裝置、雷射退火處理用連續搬運路徑、雷射光照射手段以及雷射退火處理方法审中-公开
简体标题：激光退火设备、激光退火处理用连续搬运路径、激光光照射手段以及激光退火处理方法
公开(公告)号：TW201546904A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104114881
申请日：2015-05-11
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：谷川貞夫 , TANIGAWA, SADAO , 澤井美喜 , SAWAI, MIKI
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： B65G49/06 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/677
摘要：在對被處理體100照射雷射光42而進行退火處理的雷射退火裝置1中，包括：連續搬運路徑2，將被處理體100在固定的方向上連續地進行搬運；以及雷射光照射手段，對由連續搬運路徑2搬運的被處理體100照射雷射光42，所述連續搬運路徑2包括：搬入搬運搬運路徑2a，向連續搬運路徑2的一部分且連續搬運路徑2的上游側搬入被處理體100並進行搬運；照射區域搬運路徑2b，為連續搬運路徑2的一部分且搬入搬運搬運路徑2a的下游側，一邊搬運被處理體100一邊對被處理體100照射雷射光42而進行退火處理；及搬出搬運路徑2c，為連續搬運路徑2的一部分且照射區域搬運路徑2b的下游側，搬運並搬出經過退火處理的被處理體100。
简体摘要：在对被处理体100照射激光光42而进行退火处理的激光退火设备1中，包括：连续搬运路径2，将被处理体100在固定的方向上连续地进行搬运；以及激光光照射手段，对由连续搬运路径2搬运的被处理体100照射激光光42，所述连续搬运路径2包括：搬入搬运搬运路径2a，向连续搬运路径2的一部分且连续搬运路径2的上游侧搬入被处理体100并进行搬运；照射区域搬运路径2b，为连续搬运路径2的一部分且搬入搬运搬运路径2a的下游侧，一边搬运被处理体100一边对被处理体100照射激光光42而进行退火处理；及搬出搬运路径2c，为连续搬运路径2的一部分且照射区域搬运路径2b的下游侧，搬运并搬出经过退火处理的被处理体100。

5. 发明专利

TWI647046B 雷射光遮蔽部材、雷射處理裝置以及雷射光照射方法有权
简体标题：激光光屏蔽部材、激光处理设备以及激光光照射方法
公开(公告)号：TWI647046B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW103113957
申请日：2014-04-17
申请人：日商日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：鄭石煥 , CHUNG, SUK-HWAN , 澤井美喜 , SAWAI, MIKI , 次田純一 , SHIDA, JUNICHI
IPC分类号： B23K26/70

6. 发明专利

TW201727715A 被處理體搬送裝置、半導體製造裝置及被處理體搬送方法审中-公开
简体标题：被处理体搬送设备、半导体制造设备及被处理体搬送方法
公开(公告)号：TW201727715A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134466
申请日：2016-10-26
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：清水良 , SHIMIZU, RYO , 澤井美喜 , SAWAI, MIKI , 佐塚祐貴 , SAZUKA, HIROTAKA , 伊藤大介 , ITO, DAISUKE
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/677
摘要：本發明在搬送被處理體而在搬送中進行處理時，防止處理不均等的發生。一種被處理體搬送裝置，其搬送被處理體，包括：搬送路徑，供被處理體移動；氣體浮起部，在搬送路徑上利用氣體來使被處理體浮起；移動保持部，保持利用氣體浮起部而浮起的被處理體，與被處理體一同於搬送路徑上移動；以及處理區域搬送路徑，位於搬送路徑上且具有進行針對被處理體的規定處理的處理區域，移動保持部至少沿著搬送路徑的移動方向而具有二個以上的保持部，各保持部可在被處理體的移動中進行被處理體的保持解除與保持的切換，且進行下述動作，即，在處理區域搬送路徑上解除保持部對被處理體的保持，而在處理區域搬送路徑以外的搬送路徑上進行保持。
简体摘要：本发明在搬送被处理体而在搬送中进行处理时，防止处理不均等的发生。一种被处理体搬送设备，其搬送被处理体，包括：搬送路径，供被处理体移动；气体浮起部，在搬送路径上利用气体来使被处理体浮起；移动保持部，保持利用气体浮起部而浮起的被处理体，与被处理体一同于搬送路径上移动；以及处理区域搬送路径，位于搬送路径上且具有进行针对被处理体的规定处理的处理区域，移动保持部至少沿着搬送路径的移动方向而具有二个以上的保持部，各保持部可在被处理体的移动中进行被处理体的保持解除与保持的切换，且进行下述动作，即，在处理区域搬送路径上解除保持部对被处理体的保持，而在处理区域搬送路径以外的搬送路径上进行保持。

7. 发明专利

TWI457989B 結晶半導體膜的製造方法有权
简体标题：结晶半导体膜的制造方法
公开(公告)号：TWI457989B
公开(公告)日：2014-10-21
申请号：TW099127594
申请日：2010-08-18
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：次田純一 , SHIDA, JUNICHI , 町田政志 , MACHIDA, MASASHI , 澤井美喜 , SAWAI, MIKI
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/02691 , H01L21/268 , H01L27/1285

8. 发明专利

TW201430914A 結晶半導體膜的製造方法审中-公开
简体标题：结晶半导体膜的制造方法
公开(公告)号：TW201430914A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102143352
申请日：2013-11-28
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：次田純一 , SHIDA, JUNICHI , 澤井美喜 , SAWAI, MIKI , 町田政志 , MACHIDA, MASASHI , 鄭石煥 , CHUNG, SUK-HWAN
IPC分类号： H01L21/26 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/1285 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02686 , H01L21/02691
摘要：在非單結晶半導體膜進行雷射退火時，藉由適當之掃描間距及照射次數而結晶化半導體膜。本發明的製造方法為對非單結晶半導體膜，以短軸寬100~500μm、在短軸方向上的光束截面形狀具有平坦部的線形光束形狀的脈衝雷射相對地掃描而使每個脈衝移動，以照射次數為n重疊照射，電晶體的通道長為b，脈衝雷射具有低於藉由脈衝雷射的照射而在非單結晶半導體膜上產生微晶化之照射脈衝能量密度，且藉由多次的照射使結晶粒徑成長飽和的照射脈衝能量密度E，藉由照射脈衝能量密度E的脈衝雷射的照射而使結晶粒徑成長飽和的照射次數為n0，脈衝雷射的照射次數n為(n0-1)以上，脈衝雷射的掃描方向為上述電晶體的通道的長方向，且上述每個脈衝的移動量c小於b。
简体摘要：在非单结晶半导体膜进行激光退火时，借由适当之扫描间距及照射次数而结晶化半导体膜。本发明的制造方法为对非单结晶半导体膜，以短轴宽100~500μm、在短轴方向上的光束截面形状具有平坦部的线形光束形状的脉冲激光相对地扫描而使每个脉冲移动，以照射次数为n重叠照射，晶体管的信道长为b，脉冲激光具有低于借由脉冲激光的照射而在非单结晶半导体膜上产生微晶化之照射脉冲能量密度，且借由多次的照射使结晶粒径成长饱和的照射脉冲能量密度E，借由照射脉冲能量密度E的脉冲激光的照射而使结晶粒径成长饱和的照射次数为n0，脉冲激光的照射次数n为(n0-1)以上，脉冲激光的扫描方向为上述晶体管的信道的长方向，且上述每个脉冲的移动量c小于b。

9. 发明专利

TW201133572A 結晶半導體膜的製造方法 FABRICATING METHOD OF CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR FILM 有权
简体标题：结晶半导体膜的制造方法 FABRICATING METHOD OF CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR FILM
公开(公告)号：TW201133572A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099127594
申请日：2010-08-18
申请人：日本製鋼所股份有限公司
发明人：次田純一 , 町田政志 , 澤井美喜
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/02691 , H01L21/268 , H01L27/1285
摘要：一種結晶半導體膜的製造方法，其對非單晶半導體膜進行雷射退火時，能夠藉由適當的掃描間距與照射次數而使上述半導體膜結晶化。該結晶半導體膜的製造方法是於非單晶半導體膜上照射線束形狀的脈衝雷射而進行結晶化的結晶半導體膜的製造方法；其中脈衝雷射於掃描方向的光束剖面形狀中具有強度均勻的平坦部(光束寬度a)，將藉由脈衝雷射照射而結晶化的半導體膜所形成的電晶體的通道區域寬度設為b；脈衝雷射具有低於在非單晶半導體膜上產生微結晶化的照射脈衝能量密度的照射脈衝能量密度E；將藉由照射脈衝能量密度E的脈衝雷射照射而結晶粒徑成長達到飽和的照射次數設為n0，使脈衝雷射的照射次數n為(n0-1)以上；使脈衝雷射的掃描方向上的移動量c為b/2以下。
简体摘要：一种结晶半导体膜的制造方法，其对非单晶半导体膜进行激光退火时，能够借由适当的扫描间距与照射次数而使上述半导体膜结晶化。该结晶半导体膜的制造方法是于非单晶半导体膜上照射线束形状的脉冲激光而进行结晶化的结晶半导体膜的制造方法；其中脉冲激光于扫描方向的光束剖面形状中具有强度均匀的平坦部(光束宽度a)，将借由脉冲激光照射而结晶化的半导体膜所形成的晶体管的信道区域宽度设为b；脉冲激光具有低于在非单晶半导体膜上产生微结晶化的照射脉冲能量密度的照射脉冲能量密度E；将借由照射脉冲能量密度E的脉冲激光照射而结晶粒径成长达到饱和的照射次数设为n0，使脉冲激光的照射次数n为(n0-1)以上；使脉冲激光的扫描方向上的移动量c为b/2以下。

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