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1. 发明专利

TWI605493B 雷射回火方法以及雷射回火裝置有权
简体标题：激光回火方法以及激光回火设备
公开(公告)号：TWI605493B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW102140959
申请日：2013-11-12
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：次田純一 , SHIDA, JUNICHI , 町田政志 , MACHIDA, MASASHI , 鄭石煥 , CHUNG, SUK-HWAN
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/02381 , H01L21/02686 , H01L21/268

2. 发明专利

TW201421548A 結晶質半導體的製造方法及結晶質半導體的製造裝置审中-公开
简体标题：结晶质半导体的制造方法及结晶质半导体的制造设备
公开(公告)号：TW201421548A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102135936
申请日：2013-10-04
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：鄭石煥 , CHUNG, SUK-HWAN , 次田純一 , SHIDA, JUNICHI , 町田政志 , MACHIDA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02532 , B23K26/0622 , H01L21/02686 , H01L21/268
摘要：本發明提供可將非晶質半導體更均勻地結晶化的結晶質半導體的製造方法以及結晶質半導體的製造裝置。本發明的結晶質半導體的製造裝置包括：多個脈衝雷射光源2、脈衝雷射光源3，及將多個脈衝雷射光導引至非晶質半導體的光學系統12，各脈衝雷射光在時間性強度變化中的1脈衝中至少具有第1個波峰群、及之後出現的第2個波峰群，且第1個波峰群中的最大波峰強度為1脈衝中的最大高度，將第1個波峰群的最大波峰強度a與第2個波峰群的最大波峰強度b之比b/a設為最大波峰強度比，將成為基準的最大波峰強度比設為基準最大波峰強度比，使多個脈衝雷射光的最大波峰強度比相對於基準最大波峰強度比之差為4%以下。
简体摘要：本发明提供可将非晶质半导体更均匀地结晶化的结晶质半导体的制造方法以及结晶质半导体的制造设备。本发明的结晶质半导体的制造设备包括：多个脉冲激光光源2、脉冲激光光源3，及将多个脉冲激光光导引至非晶质半导体的光学系统12，各脉冲激光光在时间性强度变化中的1脉冲中至少具有第1个波峰群、及之后出现的第2个波峰群，且第1个波峰群中的最大波峰强度为1脉冲中的最大高度，将第1个波峰群的最大波峰强度a与第2个波峰群的最大波峰强度b之比b/a设为最大波峰强度比，将成为基准的最大波峰强度比设为基准最大波峰强度比，使多个脉冲激光光的最大波峰强度比相对于基准最大波峰强度比之差为4%以下。

3. 发明专利

TW201421544A 結晶半導體膜之製造方法以及製造裝置审中-公开
简体标题：结晶半导体膜之制造方法以及制造设备
公开(公告)号：TW201421544A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102135385
申请日：2013-09-30
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：次田純一 , SHIDA, JUNICHI , 町田政志 , MACHIDA, MASASHI , 鄭石煥 , CHUNG, SUK-HWAN
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/268 , B23K26/0622 , H01L21/02532 , H01L21/02686
摘要：本發明課題在於將非單結晶半導體膜藉由脈衝雷射的照射而進行結晶化時，防止照射不均產生。解決方法包括：第1步驟，將相較於藉由脈衝雷射的照射而在非單結晶半導體膜上產生微結晶化的照射脈衝能量密度為低，且藉由照射多次N次而適合結晶化的照射脈衝能量密度設為E0，藉由與照射脈衝能量密度E0相同的照射脈衝能量密度E1來照射脈衝雷射；第2步驟，藉由相較於照射脈衝能量密度E1為低，且成為用以使結晶再熔融的必要的照射能量密度以上的照射脈衝能量密度E2來照射脈衝雷射。將對於相同照射面的第1步驟與第2步驟的合計照射次數設為N次以上。
简体摘要：本发明课题在于将非单结晶半导体膜借由脉冲激光的照射而进行结晶化时，防止照射不均产生。解决方法包括：第1步骤，将相较于借由脉冲激光的照射而在非单结晶半导体膜上产生微结晶化的照射脉冲能量密度为低，且借由照射多次N次而适合结晶化的照射脉冲能量密度设为E0，借由与照射脉冲能量密度E0相同的照射脉冲能量密度E1来照射脉冲激光；第2步骤，借由相较于照射脉冲能量密度E1为低，且成为用以使结晶再熔融的必要的照射能量密度以上的照射脉冲能量密度E2来照射脉冲激光。将对于相同照射面的第1步骤与第2步骤的合计照射次数设为N次以上。

4. 发明专利

TW201248699A 非晶膜結晶化裝置及其方法 CRYSTALLIZATION APPARATUS AND METHOD OF AMORPHOUS FILM 审中-公开
简体标题：非晶膜结晶化设备及其方法 CRYSTALLIZATION APPARATUS AND METHOD OF AMORPHOUS FILM
公开(公告)号：TW201248699A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101113815
申请日：2012-04-18
申请人：日本製鋼所股份有限公司
发明人：鄭石煥 , 次田純一
IPC分类号： H01L , G02B
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/02532 , H01L21/02675
摘要：當進行依序側面結晶化時,抑制使雷射光形成圖案影像的光學構件的加熱升溫。本發明包括:雷射光源10,輸出照射至非晶膜的雷射光10a;光學系統15,引導雷射光至非晶膜;物鏡14,構成光學系統15的一部分,使照射至非晶膜的雷射光進行集光;以及光學構件20,於光學系統15的雷射光的光路上,配置於比物鏡14更靠前段側處,且具有雷射光透射區域、雷射光遮蔽區域。光學構件20於雷射光遮蔽區域中設置有升溫抑制用雷射光透射部,其具有限制尺寸且可使雷射光10透過,此限制尺寸小於物鏡14的解析度與倍率的倒數之乘積的値、且大於雷射光10a的波長。
简体摘要：当进行依序侧面结晶化时,抑制使激光光形成图案影像的光学构件的加热升温。本发明包括:激光光源10,输出照射至非晶膜的激光光10a;光学系统15,引导激光光至非晶膜;物镜14,构成光学系统15的一部分,使照射至非晶膜的激光光进行集光;以及光学构件20,于光学系统15的激光光的光路上,配置于比物镜14更靠前段侧处,且具有激光光透射区域、激光光屏蔽区域。光学构件20于激光光屏蔽区域中设置有升温抑制用激光光透射部,其具有限制尺寸且可使激光光10透过,此限制尺寸小于物镜14的分辨率与倍率的倒数之乘积的値、且大于激光光10a的波长。

5. 发明专利

TW201812867A 雷射加工裝置、半導體裝置的製造方法以及非晶矽的結晶化方法审中-公开
简体标题：激光加工设备、半导体设备的制造方法以及非晶硅的结晶化方法
公开(公告)号：TW201812867A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106123884
申请日：2017-07-18
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：鄭石煥 , CHUNG, SUK-HWAN , 町田政志 , MACHIDA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786 , G02F1/1368
CPC分类号： G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L29/786
摘要：本發明提供一種雷射加工裝置，包括：產生雷射束的雷射光源；所述雷射束入射的第1分束鏡；通過所述第1分束鏡的雷射束入射的第2分束鏡；以及對從所述第2分束鏡出射的雷射束的能量密度進行控制的均質器，理想的是，從所述均質器輸出的雷射束包含p偏光成分與s偏光成分，且p偏光成分與s偏光成分的能量強度之比在所述被處理體面上為0.74以上且1.23以下。
简体摘要：本发明提供一种激光加工设备，包括：产生激光束的激光光源；所述激光束入射的第1分束镜；通过所述第1分束镜的激光束入射的第2分束镜；以及对从所述第2分束镜出射的激光束的能量密度进行控制的均质器，理想的是，从所述均质器输出的激光束包含p偏光成分与s偏光成分，且p偏光成分与s偏光成分的能量强度之比在所述被处理体面上为0.74以上且1.23以下。

6. 发明专利

TWI605499B 結晶質半導體的製造方法及結晶質半導體的製造裝置有权
简体标题：结晶质半导体的制造方法及结晶质半导体的制造设备
公开(公告)号：TWI605499B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW102135936
申请日：2013-10-04
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：鄭石煥 , CHUNG, SUK-HWAN , 次田純一 , SHIDA, JUNICHI , 町田政志 , MACHIDA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02532 , B23K26/0622 , H01L21/02686 , H01L21/268

7. 发明专利

TW201446387A 雷射光遮蔽部材、雷射處理裝置以及雷射光照射方法审中-公开
简体标题：激光光屏蔽部材、激光处理设备以及激光光照射方法
公开(公告)号：TW201446387A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103113957
申请日：2014-04-17
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：鄭石煥 , CHUNG, SUK-HWAN , 澤井美喜 , SAWAI, MIKI , 次田純一 , SHIDA, JUNICHI
IPC分类号： B23K26/70
CPC分类号： H01L21/268 , B23K26/706
摘要：本發明以能夠對被處理體確保避開照射的部分的方式將線光束分割，且能夠將經分割的線光束照射至被處理體。本發明將遮蔽部材的一部分或全部設置成相對於線光束形狀的雷射光的光路能夠進行相對移動，且伴隨移動，能夠進行經分割的線光束的形狀調整，藉此獲得線光束，該線光束是以根據遮蔽部材的移動位置而決定的形狀將線光束分割所得，並能夠將該線光束照射至被處理體，而不需要光學系統的更換或調整時間等，且不會將雷射光照射至對照射造成障礙的部位或不想進行照射的部位等，從而可生產性佳且品質佳地進行所需的加工。
简体摘要：本发明以能够对被处理体确保避开照射的部分的方式将线光束分割，且能够将经分割的线光束照射至被处理体。本发明将屏蔽部材的一部分或全部设置成相对于线光束形状的激光光的光路能够进行相对移动，且伴随移动，能够进行经分割的线光束的形状调整，借此获得线光束，该线光束是以根据屏蔽部材的移动位置而决定的形状将线光束分割所得，并能够将该线光束照射至被处理体，而不需要光学系统的更换或调整时间等，且不会将激光光照射至对照射造成障碍的部位或不想进行照射的部位等，从而可生产性佳且品质佳地进行所需的加工。

8. 发明专利

TW201424903A 雷射處理方法以及雷射處理裝置审中-公开
简体标题：激光处理方法以及激光处理设备
公开(公告)号：TW201424903A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102140957
申请日：2013-11-12
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：次田純一 , SHIDA, JUNICHI , 町田政志 , MACHIDA, MASASHI , 鄭石煥 , CHUNG, SUK-HWAN
IPC分类号： B23K26/04 , B23K26/00
CPC分类号： H01L21/02686 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02691 , H01L21/268
摘要：本發明降低因脈衝雷射的重疊照射而形成於半導體膜的凸起部的不良影響。本發明的雷射處理方法在非單晶半導體膜上一邊掃描具有規定的光束剖面形狀的脈衝雷射一邊以規定的掃描間距重疊照射而形成結晶半導體膜，將凸起部的底邊的掃描方向長度設為b，將掃描間距設為p，其中上述凸起部是藉由對半導體膜的脈衝雷射的照射而形成於在半導體膜上所照射的脈衝雷射光束的掃描方向後端側，將掃描間距設定為滿足式0.75b≧p≧0.25b的範圍而進行脈衝雷射的重疊照射，藉此使凸起部彼此接近地形成而減小凸起部的高低差，從而減少照射不均。
简体摘要：本发明降低因脉冲激光的重叠照射而形成于半导体膜的凸起部的不良影响。本发明的激光处理方法在非单晶半导体膜上一边扫描具有规定的光束剖面形状的脉冲激光一边以规定的扫描间距重叠照射而形成结晶半导体膜，将凸起部的底边的扫描方向长度设为b，将扫描间距设为p，其中上述凸起部是借由对半导体膜的脉冲激光的照射而形成于在半导体膜上所照射的脉冲激光光束的扫描方向后端侧，将扫描间距设置为满足式0.75b≧p≧0.25b的范围而进行脉冲激光的重叠照射，借此使凸起部彼此接近地形成而减小凸起部的高低差，从而减少照射不均。

9. 发明专利

TWI606493B 結晶半導體膜的製造方法有权
简体标题：结晶半导体膜的制造方法
公开(公告)号：TWI606493B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW102143352
申请日：2013-11-28
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：次田純一 , SHIDA, JUNICHI , 澤井美喜 , SAWAI, MIKI , 町田政志 , MACHIDA, MASASHI , 鄭石煥 , CHUNG, SUK-HWAN
IPC分类号： H01L21/26 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/1285 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02686 , H01L21/02691

10. 发明专利

TWI582833B 結晶半導體膜之製造方法以及製造裝置有权
简体标题：结晶半导体膜之制造方法以及制造设备
公开(公告)号：TWI582833B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW102135385
申请日：2013-09-30
申请人：日本製鋼所股份有限公司 , THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.
发明人：次田純一 , SHIDA, JUNICHI , 町田政志 , MACHIDA, MASASHI , 鄭石煥 , CHUNG, SUK-HWAN
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/268 , B23K26/0622 , H01L21/02532 , H01L21/02686

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