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1. 发明专利

TW201842147A 研磨用組成物审中-公开
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TW201842147A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107110252
申请日：2018-03-26
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED , 日商東亞合成股份有限公司 , TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：沼田圭祐 , NUMATA, KEISUKE , 土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 谷口 , TANIGUCHI, MEGUMI , 竹本貴之 , TAKEMOTO, TAKAYUKI
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/00 , H01L21/304
摘要：本發明係提供一種可有效地降低邊緣滑離(edge roll off)量的研磨用組成物。藉由本發明而提供的研磨用組成物係包含研磨粒、與鹼性化合物、與含氮水溶性高分子、與水。含氮水溶性高分子係於分子內不具有N-H鍵。
简体摘要：本发明系提供一种可有效地降低边缘滑离(edge roll off)量的研磨用组成物。借由本发明而提供的研磨用组成物系包含研磨粒、与碱性化合物、与含氮水溶性高分子、与水。含氮水溶性高分子系于分子内不具有N-H键。

2. 发明专利

TW201920587A 研磨用組成物审中-公开
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TW201920587A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107133952
申请日：2018-09-27
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：谷口恵 , TANIGUCHI, MEGUMI , 向井貴俊 , MUKAI, TAKATOSHI , 土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00
摘要：本發明提供消除硬質雷射標記周緣隆起之性能優異的研磨用組成物。本發明所提供之研磨用組成物包含研磨粒及鹼性化合物及水。上述鹼性化合物包含組合2種以上之四級銨化合物。上述2種以上之四級銨化合物包含氫氧化四甲基銨與選自以下通式(1)表示之化合物之1種以上。 (式中之X-為一價陰離子，R1、R2、R3、R4分別獨立選自碳原子數1~4之烴基所成之群中，但，R1、R2、R3、R4中之至少一個為碳原子數2~4之烴基)。
简体摘要：本发明提供消除硬质激光标记周缘隆起之性能优异的研磨用组成物。本发明所提供之研磨用组成物包含研磨粒及碱性化合物及水。上述碱性化合物包含组合2种以上之四级铵化合物。上述2种以上之四级铵化合物包含氢氧化四甲基铵与选自以下通式(1)表示之化合物之1种以上。 (式中之X-为一价阴离子，R1、R2、R3、R4分别独立选自碳原子数1~4之烃基所成之群中，但，R1、R2、R3、R4中之至少一个为碳原子数2~4之烃基)。

3. 发明专利

TW201815906A 矽晶圓粗研磨用組成物之製造方法、矽晶圓粗研磨用組成物套組及矽晶圓之研磨方法审中-公开
简体标题：硅晶圆粗研磨用组成物之制造方法、硅晶圆粗研磨用组成物套组及硅晶圆之研磨方法
公开(公告)号：TW201815906A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106126001
申请日：2017-08-02
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：村瀬雄彦 , MURASE, TAKEHIKO , 田畑誠 , TABATA, MAKOTO , 谷口恵 , TANIGUCHI, MEGUMI , 土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE
IPC分类号： C08J3/205 , C09K3/14 , C09C1/02 , H01L21/304 , B24B37/00
摘要：本發明提供可兼具濃縮液之優點與優異安定性且可改善邊緣滑離(edge roll off)之矽晶圓粗研磨用組成物之製造方法。本發明提供之矽晶圓粗研磨用組成物之製造方法係包含研磨粒、鹼性化合物及水溶性高分子之矽晶圓粗研磨用組成物之製造方法。該製造方法包含：調製包含前述研磨粒及前述鹼性化合物之A液之步驟；及調製包含慣性半徑為100nm以上之水溶性高分子P1作為前述水溶性高分子之B液之步驟；及使前述A液與前述B液混合之步驟。
简体摘要：本发明提供可兼具浓缩液之优点与优异安定性且可改善边缘滑离(edge roll off)之硅晶圆粗研磨用组成物之制造方法。本发明提供之硅晶圆粗研磨用组成物之制造方法系包含研磨粒、碱性化合物及水溶性高分子之硅晶圆粗研磨用组成物之制造方法。该制造方法包含：调制包含前述研磨粒及前述碱性化合物之A液之步骤；及调制包含惯性半径为100nm以上之水溶性高分子P1作为前述水溶性高分子之B液之步骤；及使前述A液与前述B液混合之步骤。

4. 发明专利

TW201842145A 研磨用組成物及研磨方法审中-公开
简体标题：研磨用组成物及研磨方法
公开(公告)号：TW201842145A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107109012
申请日：2018-03-16
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 谷口 , TANIGUCHI, MEGUMI , 沼田圭祐 , NUMATA, KEISUKE
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/00 , H01L21/304
摘要：本發明提供一種研磨用組成物，其在粗研磨矽晶圓時，可獲得端部之塌邊經減低且全體平坦性提高之矽晶圓。　　本發明係一種研磨用組成物，其係用於粗研磨矽晶圓之用途者，其包含研磨粒、水溶性高分子、鹼性化合物及水，前述水溶性高分子包含對於矽的蝕刻抑制能不同之2種以上。
简体摘要：本发明提供一种研磨用组成物，其在粗研磨硅晶圆时，可获得端部之塌边经减低且全体平坦性提高之硅晶圆。　　本发明系一种研磨用组成物，其系用于粗研磨硅晶圆之用途者，其包含研磨粒、水溶性高分子、碱性化合物及水，前述水溶性高分子包含对于硅的蚀刻抑制能不同之2种以上。

5. 发明专利

TW201811975A 矽晶圓粗研磨用組成物之濃縮液审中-公开
简体标题：硅晶圆粗研磨用组成物之浓缩液
公开(公告)号：TW201811975A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106126003
申请日：2017-08-02
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：村瀬雄彦 , MURASE, TAKEHIKO , 谷口 , TANIGUCHI, MEGUMI , 沼田圭祐 , NUMATA, KEISUKE , 秋月麗子 , AKIZUKI, REIKO , 土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE
IPC分类号： C09K3/14 , C09C1/02 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明提供稀釋後可發揮良好研磨性能且安定性優異之矽晶圓粗研磨用組成物之濃縮液。本發明所提供之矽晶圓粗研磨用組成物之濃縮液包含研磨粒、鹼性化合物及水溶性高分子。前述濃縮液中之前述水溶性高分子之慣性半徑rg[nm]相對於前述研磨粒之粒子間距離d[nm]之比[rg/d]為4.7以下。
简体摘要：本发明提供稀释后可发挥良好研磨性能且安定性优异之硅晶圆粗研磨用组成物之浓缩液。本发明所提供之硅晶圆粗研磨用组成物之浓缩液包含研磨粒、碱性化合物及水溶性高分子。前述浓缩液中之前述水溶性高分子之惯性半径rg[nm]相对于前述研磨粒之粒子间距离d[nm]之比[rg/d]为4.7以下。

6. 发明专利

TW201835285A 研磨用組成物、其製造方法及使用研磨用組成物之研磨方法审中-公开
简体标题：研磨用组成物、其制造方法及使用研磨用组成物之研磨方法
公开(公告)号：TW201835285A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107105147
申请日：2018-02-13
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：森嘉男 , MORI, YOSHIO , 谷口恵 , TANIGUCHI, MEGUMI , 向井貴俊 , MUKAI, TAKATOSHI , 土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/00 , H01L21/304
摘要：本發明之課題為，提供消除硬雷射標記周緣之隆起的性能優異之研磨用組成物。　　本發明之解決手段為，一種研磨用組成物，其係包含研磨粒、水溶性高分子、鹼性化合物、與水，前述水溶性高分子係包含來自苯乙烯或其衍生物之構造單位、與來自其以外之單體之構造單位的共聚物。
简体摘要：本发明之课题为，提供消除硬激光标记周缘之隆起的性能优异之研磨用组成物。　　本发明之解决手段为，一种研磨用组成物，其系包含研磨粒、水溶性高分子、碱性化合物、与水，前述水溶性高分子系包含来自苯乙烯或其衍生物之构造单位、与来自其以外之单体之构造单位的共聚物。

7. 发明专利

TW201835284A 研磨用組成物审中-公开
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TW201835284A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107104256
申请日：2018-02-07
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：今宏樹 , KON, HIROKI , 谷口恵 , TANIGUCHI, MEGUMI , 土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 向井貴俊 , MUKAI, TAKATOSHI , 沼田圭祐 , NUMATA, KEISUKE
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304 , B24B37/00
摘要：提供一種能抑制降低磨粒之含量，且使高研磨速率與邊緣轉降(edge roll off)量減少併存之研磨用組成物，及，提供能實現研磨物之邊緣附近與中央部之厚度差少且平坦性佳之研磨後表面之研磨用組成物。在此提供之研磨用組成物包含磨粒、水，及不含醚鍵之胺化合物，且磨粒之含量為2重量%以下；該不含醚鍵之胺化合物滿足以下之條件之至少一者：(1)分子內之2個1級胺基間具有碳原子數3以上之烴基，且，不具有醚鍵；及、(2)具有1級胺基，與2級胺基及3級胺基之至少一者之胺基，且，不具有醚鍵。或，在此提供之研磨用組成物包含磨粒、水、轉起(roll-up)胺化合物A，及轉降(roll-off)化合物B。
简体摘要：提供一种能抑制降低磨粒之含量，且使高研磨速率与边缘转降(edge roll off)量减少并存之研磨用组成物，及，提供能实现研磨物之边缘附近与中央部之厚度差少且平坦性佳之研磨后表面之研磨用组成物。在此提供之研磨用组成物包含磨粒、水，及不含醚键之胺化合物，且磨粒之含量为2重量%以下；该不含醚键之胺化合物满足以下之条件之至少一者：(1)分子内之2个1级胺基间具有碳原子数3以上之烃基，且，不具有醚键；及、(2)具有1级胺基，与2级胺基及3级胺基之至少一者之胺基，且，不具有醚键。或，在此提供之研磨用组成物包含磨粒、水、转起(roll-up)胺化合物A，及转降(roll-off)化合物B。

8. 发明专利

TW201829715A 研磨用組成物及矽晶圓之研磨方法审中-公开
简体标题：研磨用组成物及硅晶圆之研磨方法
公开(公告)号：TW201829715A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106138556
申请日：2017-11-08
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：秋月麗子 , AKIZUKI, REIKO , 土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 谷口□ , TANIGUCHI, MEGUMI
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明係提供一種可實現高平坦性之研磨用組成物及矽晶圓之研磨方法。研磨用組成物，其係含有研磨粒與鹼性化合物，研磨粒之異形度參數與粒徑分布寬度的乘積為4以上。研磨粒之異形度參數，係從構成研磨粒之各粒子的投影面積Sr與各粒子之虛擬投影面積Si的比Sr/Si減除1之值的絕對值|Sr/Si-1|之平均值，虛擬投影面積Si為將各粒子之垂直費雷特徑(Feret diameter)作為直徑之虛擬圓的面積。研磨粒之粒徑分布寬度係在研磨粒之體積基準的積算粒徑分布之90%粒徑與10%粒徑的差。90%粒徑與10%粒徑的單位為nm。
简体摘要：本发明系提供一种可实现高平坦性之研磨用组成物及硅晶圆之研磨方法。研磨用组成物，其系含有研磨粒与碱性化合物，研磨粒之异形度参数与粒径分布宽度的乘积为4以上。研磨粒之异形度参数，系从构成研磨粒之各粒子的投影面积Sr与各粒子之虚拟投影面积Si的比Sr/Si减除1之值的绝对值|Sr/Si-1|之平均值，虚拟投影面积Si为将各粒子之垂直费雷特径(Feret diameter)作为直径之虚拟圆的面积。研磨粒之粒径分布宽度系在研磨粒之体积基准的积算粒径分布之90%粒径与10%粒径的差。90%粒径与10%粒径的单位为nm。

9. 发明专利

TW201821582A 研磨用組成物及矽晶圓之研磨方法审中-公开
简体标题：研磨用组成物及硅晶圆之研磨方法
公开(公告)号：TW201821582A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106138560
申请日：2017-11-08
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：秋月麗子 , AKIZUKI, REIKO , 土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 谷口恵 , TANIGUCHI, MEGUMI
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/11 , H01L21/304
摘要：本發明係提供一種可實現高平坦性之研磨用組成物及矽晶圓之研磨方法。研磨用組成物係含有研磨粒與鹼性化合物。而且此研磨粒，係以17質量%的濃度含有研磨粒，同時含有四甲基氫氧化銨，且pH為11.3之剪斷黏度測定用液在剪斷速度1000/s之剪斷黏度成為1.3mPa･s以上者。
简体摘要：本发明系提供一种可实现高平坦性之研磨用组成物及硅晶圆之研磨方法。研磨用组成物系含有研磨粒与碱性化合物。而且此研磨粒，系以17质量%的浓度含有研磨粒，同时含有四甲基氢氧化铵，且pH为11.3之剪断黏度测定用液在剪断速度1000/s之剪断黏度成为1.3mPa･s以上者。

10. 发明专利

TWI591168B 硏磨用組成物及使用該組成物之基板的製造方法有权
简体标题：研磨用组成物及使用该组成物之基板的制造方法
公开(公告)号：TWI591168B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW102121556
申请日：2013-06-18
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：谷口恵 , TANIGUCHI, MEGUMI , 森永均 , MORINAGA, HITOSHI , 芹川雅之 , SERIKAWA, MASAYUKI
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1409 , C09K3/1436 , C09K3/1463

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