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1. 发明专利

TW201829715A 研磨用組成物及矽晶圓之研磨方法审中-公开
简体标题：研磨用组成物及硅晶圆之研磨方法
公开(公告)号：TW201829715A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106138556
申请日：2017-11-08
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：秋月麗子 , AKIZUKI, REIKO , 土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 谷口□ , TANIGUCHI, MEGUMI
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明係提供一種可實現高平坦性之研磨用組成物及矽晶圓之研磨方法。研磨用組成物，其係含有研磨粒與鹼性化合物，研磨粒之異形度參數與粒徑分布寬度的乘積為4以上。研磨粒之異形度參數，係從構成研磨粒之各粒子的投影面積Sr與各粒子之虛擬投影面積Si的比Sr/Si減除1之值的絕對值|Sr/Si-1|之平均值，虛擬投影面積Si為將各粒子之垂直費雷特徑(Feret diameter)作為直徑之虛擬圓的面積。研磨粒之粒徑分布寬度係在研磨粒之體積基準的積算粒徑分布之90%粒徑與10%粒徑的差。90%粒徑與10%粒徑的單位為nm。
简体摘要：本发明系提供一种可实现高平坦性之研磨用组成物及硅晶圆之研磨方法。研磨用组成物，其系含有研磨粒与碱性化合物，研磨粒之异形度参数与粒径分布宽度的乘积为4以上。研磨粒之异形度参数，系从构成研磨粒之各粒子的投影面积Sr与各粒子之虚拟投影面积Si的比Sr/Si减除1之值的绝对值|Sr/Si-1|之平均值，虚拟投影面积Si为将各粒子之垂直费雷特径(Feret diameter)作为直径之虚拟圆的面积。研磨粒之粒径分布宽度系在研磨粒之体积基准的积算粒径分布之90%粒径与10%粒径的差。90%粒径与10%粒径的单位为nm。

2. 发明专利

TW201821582A 研磨用組成物及矽晶圓之研磨方法审中-公开
简体标题：研磨用组成物及硅晶圆之研磨方法
公开(公告)号：TW201821582A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106138560
申请日：2017-11-08
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：秋月麗子 , AKIZUKI, REIKO , 土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE , 谷口恵 , TANIGUCHI, MEGUMI
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/11 , H01L21/304
摘要：本發明係提供一種可實現高平坦性之研磨用組成物及矽晶圓之研磨方法。研磨用組成物係含有研磨粒與鹼性化合物。而且此研磨粒，係以17質量%的濃度含有研磨粒，同時含有四甲基氫氧化銨，且pH為11.3之剪斷黏度測定用液在剪斷速度1000/s之剪斷黏度成為1.3mPa･s以上者。
简体摘要：本发明系提供一种可实现高平坦性之研磨用组成物及硅晶圆之研磨方法。研磨用组成物系含有研磨粒与碱性化合物。而且此研磨粒，系以17质量%的浓度含有研磨粒，同时含有四甲基氢氧化铵，且pH为11.3之剪断黏度测定用液在剪断速度1000/s之剪断黏度成为1.3mPa･s以上者。

3. 发明专利

TW201811975A 矽晶圓粗研磨用組成物之濃縮液审中-公开
简体标题：硅晶圆粗研磨用组成物之浓缩液
公开(公告)号：TW201811975A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106126003
申请日：2017-08-02
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：村瀬雄彦 , MURASE, TAKEHIKO , 谷口 , TANIGUCHI, MEGUMI , 沼田圭祐 , NUMATA, KEISUKE , 秋月麗子 , AKIZUKI, REIKO , 土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE
IPC分类号： C09K3/14 , C09C1/02 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明提供稀釋後可發揮良好研磨性能且安定性優異之矽晶圓粗研磨用組成物之濃縮液。本發明所提供之矽晶圓粗研磨用組成物之濃縮液包含研磨粒、鹼性化合物及水溶性高分子。前述濃縮液中之前述水溶性高分子之慣性半徑rg[nm]相對於前述研磨粒之粒子間距離d[nm]之比[rg/d]為4.7以下。
简体摘要：本发明提供稀释后可发挥良好研磨性能且安定性优异之硅晶圆粗研磨用组成物之浓缩液。本发明所提供之硅晶圆粗研磨用组成物之浓缩液包含研磨粒、碱性化合物及水溶性高分子。前述浓缩液中之前述水溶性高分子之惯性半径rg[nm]相对于前述研磨粒之粒子间距离d[nm]之比[rg/d]为4.7以下。

4. 发明专利

TW201730299A 研磨用組成物及矽基板之研磨方法审中-公开
简体标题：研磨用组成物及硅基板之研磨方法
公开(公告)号：TW201730299A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105139487
申请日：2016-11-30
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：秋月麗子 , AKIZUKI, REIKO , 高見信一郎 , TAKAMI, SHINICHIRO , 田畑誠 , TABATA, MAKOTO
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明提供能實現具有高的平坦性之被研磨面的研磨用組成物及矽基板之研磨方法。研磨用組成物含有包含矽石(silica)的磨粒。矽石包含2個以上的一次粒子直接或通過以與一次粒子相同的材質所構成之結合子進行結合而成的結合粒子。結合粒子中所含有的全部一次粒子之個數係磨粒中所含有的全部一次粒子之個數的10%以上。構成結合粒子的一次粒子之結合部分之面積的平均值，係自構成結合粒子的一次粒子之平均一次粒徑所算出的一次粒子之表面積的12%以下。
简体摘要：本发明提供能实现具有高的平坦性之被研磨面的研磨用组成物及硅基板之研磨方法。研磨用组成物含有包含硅石(silica)的磨粒。硅石包含2个以上的一次粒子直接或通过以与一次粒子相同的材质所构成之结合子进行结合而成的结合粒子。结合粒子中所含有的全部一次粒子之个数系磨粒中所含有的全部一次粒子之个数的10%以上。构成结合粒子的一次粒子之结合部分之面积的平均值，系自构成结合粒子的一次粒子之平均一次粒径所算出的一次粒子之表面积的12%以下。

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