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1. 发明专利

TW201730299A 研磨用組成物及矽基板之研磨方法审中-公开
简体标题：研磨用组成物及硅基板之研磨方法
公开(公告)号：TW201730299A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105139487
申请日：2016-11-30
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：秋月麗子 , AKIZUKI, REIKO , 高見信一郎 , TAKAMI, SHINICHIRO , 田畑誠 , TABATA, MAKOTO
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明提供能實現具有高的平坦性之被研磨面的研磨用組成物及矽基板之研磨方法。研磨用組成物含有包含矽石(silica)的磨粒。矽石包含2個以上的一次粒子直接或通過以與一次粒子相同的材質所構成之結合子進行結合而成的結合粒子。結合粒子中所含有的全部一次粒子之個數係磨粒中所含有的全部一次粒子之個數的10%以上。構成結合粒子的一次粒子之結合部分之面積的平均值，係自構成結合粒子的一次粒子之平均一次粒徑所算出的一次粒子之表面積的12%以下。
简体摘要：本发明提供能实现具有高的平坦性之被研磨面的研磨用组成物及硅基板之研磨方法。研磨用组成物含有包含硅石(silica)的磨粒。硅石包含2个以上的一次粒子直接或通过以与一次粒子相同的材质所构成之结合子进行结合而成的结合粒子。结合粒子中所含有的全部一次粒子之个数系磨粒中所含有的全部一次粒子之个数的10%以上。构成结合粒子的一次粒子之结合部分之面积的平均值，系自构成结合粒子的一次粒子之平均一次粒径所算出的一次粒子之表面积的12%以下。

2. 发明专利

TW201512381A 已硏磨的硏磨對象物之製造方法及硏磨用組成物套件审中-公开
简体标题：已研磨的研磨对象物之制造方法及研磨用组成物套件
公开(公告)号：TW201512381A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103122261
申请日：2014-06-27
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：田畑誠 , TABATA, MAKOTO , 高見信一郎 , TAKAMI, SHINICHIRO , 井出匠学 , IDE, SHOGAKU
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , C09G1/16 , B24B37/00 , B24B37/08 , B24B37/10 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/30625 , B24B37/28 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/02024
摘要：本發明的課題在於提供可以顯著減低研磨對象物表面的混濁程度，此外，還刻意地減低缺陷的已研磨的研磨對象物之製造方法。本發明之解決手段係包含：使用包含平均一次粒徑為40nm以上的第1磨粒與含氮水溶性高分子的雙面研磨用組成物來雙面研磨研磨對象物，得到已雙面研磨的研磨對象物之雙面研磨步驟；以及使用包含平均一次粒徑為40nm以下的第2磨粒與水溶性高分子的單面研磨用組成物來單面研磨前述已雙面研磨的研磨對象物之單面研磨步驟；前述第1磨粒的平均一次粒徑(A)對前述第2磨粒的平均一次粒徑(B)之比(A)/(B)，超過1而在2.5以下之已研磨的研磨對象物之製造方法。
简体摘要：本发明的课题在于提供可以显着减低研磨对象物表面的混浊程度，此外，还刻意地减低缺陷的已研磨的研磨对象物之制造方法。本发明之解决手段系包含：使用包含平均一次粒径为40nm以上的第1磨粒与含氮水溶性高分子的双面研磨用组成物来双面研磨研磨对象物，得到已双面研磨的研磨对象物之双面研磨步骤；以及使用包含平均一次粒径为40nm以下的第2磨粒与水溶性高分子的单面研磨用组成物来单面研磨前述已双面研磨的研磨对象物之单面研磨步骤；前述第1磨粒的平均一次粒径(A)对前述第2磨粒的平均一次粒径(B)之比(A)/(B)，超过1而在2.5以下之已研磨的研磨对象物之制造方法。

3. 发明专利

TW201737334A 矽基板之研磨方法及研磨用組成物套組审中-公开
简体标题：硅基板之研磨方法及研磨用组成物套组
公开(公告)号：TW201737334A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106106214
申请日：2017-02-23
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：田畑誠 , TABATA, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/304 , C09G1/02
CPC分类号： B24B37/00 , H01L21/304
摘要：本發明提供可減低PID之矽基板研磨方法及該研磨方法中所用之研磨用組成物套組。由本發明所提供之矽基板研磨方法包含預備研磨步驟與精加工研磨步驟。上述預備研磨步驟包含於同一壓盤上進行之複數預備研磨階段。上述複數之預備研磨階段包含對上述矽基板供給最終預備研磨漿料PF而進行之最終預備研磨階段。上述最終預備研磨階段中，供給至上述矽基板之全部最終預備研磨漿料PF中之總Cu重量及總Ni重量之至少一者為1μg以下。
简体摘要：本发明提供可减低PID之硅基板研磨方法及该研磨方法中所用之研磨用组成物套组。由本发明所提供之硅基板研磨方法包含预备研磨步骤与精加工研磨步骤。上述预备研磨步骤包含于同一压盘上进行之复数预备研磨阶段。上述复数之预备研磨阶段包含对上述硅基板供给最终预备研磨浆料PF而进行之最终预备研磨阶段。上述最终预备研磨阶段中，供给至上述硅基板之全部最终预备研磨浆料PF中之总Cu重量及总Ni重量之至少一者为1μg以下。

4. 发明专利

TW201710462A 研磨用組成物审中-公开
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TW201710462A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105114267
申请日：2016-05-06
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：織田博之 , ODA, HIROYUKI , 髙橋修平 , TAKAHASHI, SHUHEI , 森嘉男 , MORI, YOSHIO , 高見信一郎 , TAKAMI, SHINICHIRO , 田畑誠 , TABATA, MAKOTO
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明主要是有關適用於矽晶圓等之半導體基板、其他之研磨對象物之研磨的研磨用組成物，提供得到良好之全體形狀的研磨用組成物。研磨用組成物之對研磨墊的適應性為Wp、對研磨對象物之適應性為Ww、對研磨對象物保持具之適應性為Wc時，滿足Wp≧Wc、或Ww≧Wc≧Wp。
简体摘要：本发明主要是有关适用于硅晶圆等之半导体基板、其他之研磨对象物之研磨的研磨用组成物，提供得到良好之全体形状的研磨用组成物。研磨用组成物之对研磨垫的适应性为Wp、对研磨对象物之适应性为Ww、对研磨对象物保持具之适应性为Wc时，满足Wp≧Wc、或Ww≧Wc≧Wp。

5. 发明专利

TW201710458A 研磨方法及組成調整劑审中-公开
简体标题：研磨方法及组成调整剂
公开(公告)号：TW201710458A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105115551
申请日：2016-05-19
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：織田博之 , ODA, HIROYUKI , 高見信一郎 , TAKAMI, SHINICHIRO , 髙橋修平 , TAKAHASHI, SHUHEI , 田畑誠 , TABATA, MAKOTO
IPC分类号： C09K3/00 , C08F26/10 , C08B11/02 , C08F16/06 , B24B37/00 , B24B57/02 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00 , B24B57/02 , H01L21/304
摘要：本發明提供即使於回收研磨對象物之研磨中使用之研磨用組成物而再使用時亦可獲得優異研磨結果之研磨方法。本發明之研磨方法係使用含有水溶性高分子之研磨用組成物研磨研磨對象物之研磨方法，其具備下述步驟：邊將槽(21)內之研磨用組成物供給至研磨對象物邊研磨研磨對象物之研磨步驟，回收研磨對象物之研磨中使用之研磨用組成物而循環回到槽(21)之回收步驟，及將供給至研磨對象物之研磨用組成物中之水溶性高分子濃度調整為預先設定之範圍內之數值之組成調整步驟。
简体摘要：本发明提供即使于回收研磨对象物之研磨中使用之研磨用组成物而再使用时亦可获得优异研磨结果之研磨方法。本发明之研磨方法系使用含有水溶性高分子之研磨用组成物研磨研磨对象物之研磨方法，其具备下述步骤：边将槽(21)内之研磨用组成物供给至研磨对象物边研磨研磨对象物之研磨步骤，回收研磨对象物之研磨中使用之研磨用组成物而循环回到槽(21)之回收步骤，及将供给至研磨对象物之研磨用组成物中之水溶性高分子浓度调整为预先设置之范围内之数值之组成调整步骤。

6. 发明专利

TW201706373A 研磨用組成物审中-公开
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TW201706373A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105114376
申请日：2016-05-06
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：織田博之 , ODA, HIROYUKI , 髙橋修平 , TAKAHASHI, SHUHEI , 森嘉男 , MORI, YOSHIO , 高見信一郎 , TAKAMI, SHINICHIRO , 田畑誠 , TABATA, MAKOTO
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明主要是有關適用於矽晶圓等之半導體基板、其他之研磨對象物之研磨的研磨用組成物，提供得到良好之平坦度的研磨用組成物。研磨用組成物之對研磨墊的適應性為Wp、對研磨對象物之適應性為Ww、對研磨對象物保持具之適應性為Wc時，Wc之值為最小。
简体摘要：本发明主要是有关适用于硅晶圆等之半导体基板、其他之研磨对象物之研磨的研磨用组成物，提供得到良好之平坦度的研磨用组成物。研磨用组成物之对研磨垫的适应性为Wp、对研磨对象物之适应性为Ww、对研磨对象物保持具之适应性为Wc时，Wc之值为最小。

7. 发明专利

TW201529820A 硏磨用組成物製造用套組及其使用审中-公开
简体标题：研磨用组成物制造用套组及其使用
公开(公告)号：TW201529820A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW104101077
申请日：2015-01-13
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：織田博之 , ODA, HIROYUKI , 高見信一郎 , TAKAMI, SHINICHIRO , 田畑誠 , TABATA, MAKOTO , 森嘉男 , MORI, YOSHIO
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/02024
摘要：本發明提供一種研磨用組成物製造用套組，其可製造pH維持性高之研磨用組成物，且儲存安定性優異。依據本發明，提供一種用於製造研磨用組成物之研磨用組成物製造用套組，該研磨用組成物含有作為研磨粒之二氧化矽粒子與強鹼及弱酸鹽。該研磨用組成物製造用套組具備彼此分開保存之複數藥劑，於將上述複數藥劑合在一起調製混合液時之該混合液之初期pH為8.0以上且11.8以下。
简体摘要：本发明提供一种研磨用组成物制造用套组，其可制造pH维持性高之研磨用组成物，且存储安定性优异。依据本发明，提供一种用于制造研磨用组成物之研磨用组成物制造用套组，该研磨用组成物含有作为研磨粒之二氧化硅粒子与强碱及弱酸盐。该研磨用组成物制造用套组具备彼此分开保存之复数药剂，于将上述复数药剂合在一起调制混合液时之该混合液之初期pH为8.0以上且11.8以下。

8. 发明专利

TW201529819A 硏磨用組成物、及半導體晶圓之製造方法审中-公开
简体标题：研磨用组成物、及半导体晶圆之制造方法
公开(公告)号：TW201529819A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW104100079
申请日：2015-01-05
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：高見信一郎 , TAKAMI, SHINICHIRO , 織田博之 , ODA, HIROYUKI , 村瀬雄彦 , MURASE, TAKEHIKO , 田畑誠 , TABATA, MAKOTO
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/302
CPC分类号： B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/30625
摘要：本發明之課題係提供一種實現充分之研磨速度，且即使重複使用性能變化亦低之安定研磨用組成物。本發明係一種研磨用組成物，其包含膠體二氧化矽、弱酸鹽及4級銨化合物，且係於研磨半導體晶圓之用途中使用之研磨用組成物，前述弱酸鹽之含量相對於膠體二氧化矽之總表面積為1.0×10-7~1.0×10-5mol/m2-SiO2，前述4級銨化合物之含量滿足下述式(1)及(2)之關係，Y0=A ＊ X+B (1) -20≦(Y-Y0)/Y0≦100(%) (2) A：4級銨化合物與弱酸鹽之理論緩衝比 B：4級銨化合物被膠體二氧化矽吸附、未游離於研磨用組成物中之量 Y：4級銨化合物之含量 Y0：4級銨化合物之最適量 X：弱酸鹽之含量。
简体摘要：本发明之课题系提供一种实现充分之研磨速度，且即使重复使用性能变化亦低之安定研磨用组成物。本发明系一种研磨用组成物，其包含胶体二氧化硅、弱酸盐及4级铵化合物，且系于研磨半导体晶圆之用途中使用之研磨用组成物，前述弱酸盐之含量相对于胶体二氧化硅之总表面积为1.0×10-7~1.0×10-5mol/m2-SiO2，前述4级铵化合物之含量满足下述式(1)及(2)之关系，Y0=A ＊ X+B (1) -20≦(Y-Y0)/Y0≦100(%) (2) A：4级铵化合物与弱酸盐之理论缓冲比 B：4级铵化合物被胶体二氧化硅吸附、未游离于研磨用组成物中之量 Y：4级铵化合物之含量 Y0：4级铵化合物之最适量 X：弱酸盐之含量。

9. 发明专利

TWI668301B 研磨用組成物有权
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TWI668301B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW104118489
申请日：2015-06-08
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：井出匠学 , IDE, SHOGAKU , 田畑誠 , TABATA, MAKOTO , 高見信一郎 , TAKAMI, SHINICHIRO
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02

10. 发明专利

TW201815906A 矽晶圓粗研磨用組成物之製造方法、矽晶圓粗研磨用組成物套組及矽晶圓之研磨方法审中-公开
简体标题：硅晶圆粗研磨用组成物之制造方法、硅晶圆粗研磨用组成物套组及硅晶圆之研磨方法
公开(公告)号：TW201815906A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106126001
申请日：2017-08-02
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：村瀬雄彦 , MURASE, TAKEHIKO , 田畑誠 , TABATA, MAKOTO , 谷口恵 , TANIGUCHI, MEGUMI , 土屋公亮 , TSUCHIYA, KOHSUKE
IPC分类号： C08J3/205 , C09K3/14 , C09C1/02 , H01L21/304 , B24B37/00
摘要：本發明提供可兼具濃縮液之優點與優異安定性且可改善邊緣滑離(edge roll off)之矽晶圓粗研磨用組成物之製造方法。本發明提供之矽晶圓粗研磨用組成物之製造方法係包含研磨粒、鹼性化合物及水溶性高分子之矽晶圓粗研磨用組成物之製造方法。該製造方法包含：調製包含前述研磨粒及前述鹼性化合物之A液之步驟；及調製包含慣性半徑為100nm以上之水溶性高分子P1作為前述水溶性高分子之B液之步驟；及使前述A液與前述B液混合之步驟。
简体摘要：本发明提供可兼具浓缩液之优点与优异安定性且可改善边缘滑离(edge roll off)之硅晶圆粗研磨用组成物之制造方法。本发明提供之硅晶圆粗研磨用组成物之制造方法系包含研磨粒、碱性化合物及水溶性高分子之硅晶圆粗研磨用组成物之制造方法。该制造方法包含：调制包含前述研磨粒及前述碱性化合物之A液之步骤；及调制包含惯性半径为100nm以上之水溶性高分子P1作为前述水溶性高分子之B液之步骤；及使前述A液与前述B液混合之步骤。

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