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1. 发明专利

TWI697955B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI697955B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW106130920
申请日：2017-09-11
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：福島講平 , FUKUSHIMA, KOHEI , 似鳥弘彌 , NITADORI, HIROMI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/316 , C23C16/455

2. 发明专利

TWI697956B 氣體導入機構及處理裝置有权
简体标题：气体导入机构及处理设备
公开(公告)号：TWI697956B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW106132741
申请日：2017-09-25
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：福島講平 , FUKUSHIMA, KOHEI , 似鳥弘彌 , NITADORI, HIROMI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455

3. 发明专利

TWI693631B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI693631B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW103122442
申请日：2014-06-30
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：福島講平 , FUKUSHIMA, KOHEI , 松浦廣行 , MATSUURA, HIROYUKI , 本山豐 , MOTOYAMA, YUTAKA , 島田光一 , SHIMADA, KOICHI , 安藤武 , ANDO, TAKESHI
IPC分类号： H01L21/205

4. 发明专利

TWI675937B 基板處理裝置、氣體供給方法、基板處理方法及成膜方法有权
简体标题：基板处理设备、气体供给方法、基板处理方法及成膜方法
公开(公告)号：TWI675937B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW106109622
申请日：2017-03-23
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：菊池一行 , KIKUCHI, KAZUYUKI , 岡部庸之 , OKABE, TSUNEYUKI , 福島講平 , FUKUSHIMA, KOHEI
IPC分类号： C23C16/455

5. 发明专利

TW201820470A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201820470A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106130920
申请日：2017-09-11
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：福島講平 , FUKUSHIMA, KOHEI , 似鳥弘彌 , NITADORI, HIROMI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/316 , C23C16/455
摘要：本發明提供一種可控制面間均勻性之基板處理裝置。一實施型態之基板處理裝置具有：收納複數片基板之內管、圍繞該內管之外管、可移動地設置於該內管的內部或該內管與該外管之間之可動壁、對該基板供應處理氣體之氣體供應機構、以及將被供應至該基板之該處理氣體排氣之排氣機構；該內管的側壁係形成有第1開口部，該可動壁係形成有第2開口部，該排氣機構係透過該第1開口部及該第2開口部來將被供應至該基板之該處理氣體加以排氣。
简体摘要：本发明提供一种可控制面间均匀性之基板处理设备。一实施型态之基板处理设备具有：收纳复数片基板之内管、围绕该内管之外管、可移动地设置于该内管的内部或该内管与该外管之间之可动壁、对该基板供应处理气体之气体供应机构、以及将被供应至该基板之该处理气体排气之排气机构；该内管的侧壁系形成有第1开口部，该可动壁系形成有第2开口部，该排气机构系透过该第1开口部及该第2开口部来将被供应至该基板之该处理气体加以排气。

6. 发明专利

TW201818469A 氣體導入機構及處理裝置审中-公开
简体标题：气体导入机构及处理设备
公开(公告)号：TW201818469A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106132741
申请日：2017-09-25
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：福島講平 , FUKUSHIMA, KOHEI , 似鳥弘彌 , NITADORI, HIROMI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455
摘要：本發明係提供一種可控制對基板所施予之處理的面內分佈之氣體導入機構。一實施型態之氣體導入機構係為了在處理容器內使用特定氣體來對基板施予特定處理而設置於該處理容器之氣體導入機構；具有：分歧管，係配置於該處理容器的下端部之分歧管，其具有沿該處理容器的內壁面而上下延伸，且具有可供管狀組件插入並外嵌支撐該管狀組件的插入孔之注入器支撐部，以及，從該注入器支撐部伸出至外側，且於內部具有連通該插入孔與該處理容器的外部而可供氣體流通的氣體流道之氣體導入部；注入器，係插入至該插入孔，且沿著該內壁面而整體為直線狀地延伸，並且在插入至該插入孔之位置處具有與該氣體流道連通之開口；以及旋轉機構，係連接於該注入器的下端部來使該注入器旋轉。
简体摘要：本发明系提供一种可控制对基板所施予之处理的面内分布之气体导入机构。一实施型态之气体导入机构系为了在处理容器内使用特定气体来对基板施予特定处理而设置于该处理容器之气体导入机构；具有：分歧管，系配置于该处理容器的下端部之分歧管，其具有沿该处理容器的内壁面而上下延伸，且具有可供管状组件插入并外嵌支撑该管状组件的插入孔之注入器支撑部，以及，从该注入器支撑部伸出至外侧，且于内部具有连通该插入孔与该处理容器的外部而可供气体流通的气体流道之气体导入部；注入器，系插入至该插入孔，且沿着该内壁面而整体为直线状地延伸，并且在插入至该插入孔之位置处具有与该气体流道连通之开口；以及旋转机构，系连接于该注入器的下端部来使该注入器旋转。

7. 发明专利

TW201617474A 成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TW201617474A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104123806
申请日：2015-07-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：福島講平 , FUKUSHIMA, KOHEI , 本山豊 , MOTOYAMA, YUTAKA , 周保華 , CHOU, PAO-HWA
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/4583 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45544
摘要：一種成膜裝置，其係在縱型之反應容器內配置有以棚架狀存放複數基板的基板存放架的狀態下，向該反應容器內交互供給原料氣體、及與該原料氣體反應而產生反應生成物之反應氣體，以在基板上成膜；該成膜裝置包括：第1原料氣體供給部及第2原料氣體供給部，對於沿著該基板存放架中之基板配列方向的第1基板存放區域及第2基板存放區域，該第1原料氣體供給部只限定於對其中的第1基板存放區域供給該原料氣體，該第2原料氣體供給部只限定於對其中的第2基板存放區域供給該原料氣體；反應氣體供給部，對該第1基板存放區域及第2基板存放區域供給反應氣體；吹淨氣體供給部，在該第1基板存放區域及該第2基板存放區域中之任一方接受該原料氣體之供給時，對另一方供給吹淨氣體，以避免該原料氣體供給到該另一方；區劃用基板，在該基板存放架中存放於該第1基板存放區域及該第2基板存放區域之間，以區劃出該第1基板存放區域與該第2基板存放區域；以及控制部，輸出控制訊號，以分別進行數次下述之循環：對該第1基板存放區域之原料氣體供給及反應氣體供給所構成之循環，以及對該第2基板存放區域之原料氣體供給及反應氣體供給所構成之循環。
简体摘要：一种成膜设备，其系在纵型之反应容器内配置有以棚架状存放复数基板的基板存放架的状态下，向该反应容器内交互供给原料气体、及与该原料气体反应而产生反应生成物之反应气体，以在基板上成膜；该成膜设备包括：第1原料气体供给部及第2原料气体供给部，对于沿着该基板存放架中之基板配列方向的第1基板存放区域及第2基板存放区域，该第1原料气体供给部只限定于对其中的第1基板存放区域供给该原料气体，该第2原料气体供给部只限定于对其中的第2基板存放区域供给该原料气体；反应气体供给部，对该第1基板存放区域及第2基板存放区域供给反应气体；吹净气体供给部，在该第1基板存放区域及该第2基板存放区域中之任一方接受该原料气体之供给时，对另一方供给吹净气体，以避免该原料气体供给到该另一方；区划用基板，在该基板存放架中存放于该第1基板存放区域及该第2基板存放区域之间，以区划出该第1基板存放区域与该第2基板存放区域；以及控制部，输出控制信号，以分别进行数次下述之循环：对该第1基板存放区域之原料气体供给及反应气体供给所构成之循环，以及对该第2基板存放区域之原料气体供给及反应气体供给所构成之循环。

8. 发明专利

TWI583823B 立式熱處理裝置、立式熱處理裝置之運轉方法及記錄媒體有权
简体标题：立式热处理设备、立式热处理设备之运转方法及记录媒体
公开(公告)号：TWI583823B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW104107351
申请日：2015-03-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本山豊 , MOTOYAMA, YUTAKA , 福島講平 , FUKUSHIMA, KOHEI , 松永正信 , MATSUNAGA, MASANOBU , 周保華 , CHOU, PAO-HWA
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228

9. 发明专利

TW201604960A 使用氣體噴嘴之成膜裝置审中-公开
简体标题：使用气体喷嘴之成膜设备
公开(公告)号：TW201604960A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104108714
申请日：2015-03-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本山豊 , MOTOYAMA, YUTAKA , 福島講平 , FUKUSHIMA, KOHEI , 松永正信 , MATSUNAGA, MASANOBU , 戶根川大和 , TONEGAWA, YAMATO , 鈴木啟介 , SUZUKI, KEISUKE
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45563 , C23C16/4412 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/458
摘要：本發明提供一種成膜裝置，在呈真空氣體環境之縱型的反應容器內，以配置有成棚架狀地保持複數片基板之基板保持具的狀態，對該反應容器內交互地供給原料氣體、及與該原料氣體反應而生成反應生成物的反應氣體，以於該基板上成膜，具備：第1原料氣體噴嘴與第2原料氣體噴嘴，沿著該基板之配置方向延伸設置，在與各該基板彼此間的間隙分別對應之高度位置，形成朝向該基板的中央部噴吐該原料氣體之複數之氣體噴吐孔；反應氣體供給部，供對該反應容器內供給該反應氣體所用；第1原料氣體供給路與第2原料氣體供給路，分別和該第1原料氣體噴嘴與第2原料氣體噴嘴連接；第1槽與第2槽，分別設置於該第1原料氣體供給路之中途與第2原料氣體供給路之中途，供在將該原料氣體升壓的狀態下儲存該原料氣體所用；閥，分別設置於該第1槽之上游側與下游側、該第2槽之上游側與下游側；以及排氣口，供將該反應容器內真空排氣所用；在配置該基板之高度區域裡，於配置方向的中央之高度區域，配置該第1原料氣體噴嘴及該第2原料氣體噴嘴雙方之氣體噴吐孔，於該中央之高度區域以外，配置該第1原料氣體噴嘴及該第2原料氣體噴嘴中至少任一方之氣體噴吐孔。
简体摘要：本发明提供一种成膜设备，在呈真空气体环境之纵型的反应容器内，以配置有成棚架状地保持复数片基板之基板保持具的状态，对该反应容器内交互地供给原料气体、及与该原料气体反应而生成反应生成物的反应气体，以于该基板上成膜，具备：第1原料气体喷嘴与第2原料气体喷嘴，沿着该基板之配置方向延伸设置，在与各该基板彼此间的间隙分别对应之高度位置，形成朝向该基板的中央部喷吐该原料气体之复数之气体喷吐孔；反应气体供给部，供对该反应容器内供给该反应气体所用；第1原料气体供给路与第2原料气体供给路，分别和该第1原料气体喷嘴与第2原料气体喷嘴连接；第1槽与第2槽，分别设置于该第1原料气体供给路之中途与第2原料气体供给路之中途，供在将该原料气体升压的状态下存储该原料气体所用；阀，分别设置于该第1槽之上游侧与下游侧、该第2槽之上游侧与下游侧；以及排气口，供将该反应容器内真空排气所用；在配置该基板之高度区域里，于配置方向的中央之高度区域，配置该第1原料气体喷嘴及该第2原料气体喷嘴双方之气体喷吐孔，于该中央之高度区域以外，配置该第1原料气体喷嘴及该第2原料气体喷嘴中至少任一方之气体喷吐孔。

10. 发明专利

TW201604312A 立式熱處理裝置、立式熱處理裝置之運轉方法及記錄媒體审中-公开
简体标题：立式热处理设备、立式热处理设备之运转方法及记录媒体
公开(公告)号：TW201604312A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104107351
申请日：2015-03-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本山豊 , MOTOYAMA, YUTAKA , 福島講平 , FUKUSHIMA, KOHEI , 松永正信 , MATSUNAGA, MASANOBU , 周保華 , CHOU, PAO-HWA
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要：一種立式熱處理裝置，在立式反應容器内，將表面形成有凹凸的複數之被處理基板保持於基板保持具之狀態下，由加熱部進行加熱，來對該被處理基板進行成膜處理；該立式熱處理裝置具備：氣體供給部，用以對該反應容器内供給成膜氣體；及氣體分布調整構件，係由石英構成，分別設於該基板保持具所保持的該複數之被處理基板之配置區域的更上方及下方；若令該氣體分布調整構件中的每單位區域之表面積為S，且令該被處理基板之表面積除以依被處理基板的外形尺寸所計算之表面積而得到的每單位區域之表面積為S0，則S除以S0之値(S/S0)係設定為0.8以上。
简体摘要：一种立式热处理设备，在立式反应容器内，将表面形成有凹凸的复数之被处理基板保持于基板保持具之状态下，由加热部进行加热，来对该被处理基板进行成膜处理；该立式热处理设备具备：气体供给部，用以对该反应容器内供给成膜气体；及气体分布调整构件，系由石英构成，分别设于该基板保持具所保持的该复数之被处理基板之配置区域的更上方及下方；若令该气体分布调整构件中的每单位区域之表面积为S，且令该被处理基板之表面积除以依被处理基板的外形尺寸所计算之表面积而得到的每单位区域之表面积为S0，则S除以S0之値(S/S0)系设置为0.8以上。

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