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1. 发明专利

TWI500083B 膜形成方法及設備有权
简体标题：膜形成方法及设备
公开(公告)号：TWI500083B
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：TW099139814
申请日：2010-11-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松永正信 , MATSUNAGA, MASANOBU , 鈴木啟介 , SUZUKI, KEISUKE , 張宰赫 , JANG, JAEHYUK , 周保華 , CHOU, PAO HWA , 米澤雅人 , YONEZAWA, MASATO , 長谷川雅之 , HASEGAWA, MASAYUKI , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/4404 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/0228

2. 发明专利

TWI407509B 垂直電漿加工裝置及使用其之方法有权
简体标题：垂直等离子加工设备及使用其之方法
公开(公告)号：TWI407509B
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW097139985
申请日：2008-10-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：野寺伸武 , NODERA, NOBUTAKE , 佐藤潤 , SATO, JUN , 松永正信 , MATSUNAGA, MASANOBU , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE , 井上久司 , INOUE, HISASHI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/509
CPC分类号： C23C16/509 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01J37/32091 , H01J37/32174

3. 发明专利

TWI606513B 使用氣體噴嘴之成膜裝置有权
简体标题：使用气体喷嘴之成膜设备
公开(公告)号：TWI606513B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW104108714
申请日：2015-03-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本山豊 , MOTOYAMA, YUTAKA , 福島講平 , FUKUSHIMA, KOHEI , 松永正信 , MATSUNAGA, MASANOBU , 戶根川大和 , TONEGAWA, YAMATO , 鈴木啟介 , SUZUKI, KEISUKE
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45563 , C23C16/4412 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/458

4. 发明专利

TWI478238B 成膜方法及半導體製程用裝置有权
简体标题：成膜方法及半导体制程用设备
公开(公告)号：TWI478238B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW097121453
申请日：2008-06-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：野寺伸武 , NODERA, NOBUTAKE , 松永正信 , MATSUNAGA, MASANOBU , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE , 梅澤好太 , UMEZAWA, KOTA , 周保華 , CHOU, PAO HWA
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/31 , C23C16/34
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3185

5. 发明专利

TW201705289A 立式熱處理裝置及立式熱處理裝置之運轉方法审中-公开
简体标题：立式热处理设备及立式热处理设备之运转方法
公开(公告)号：TW201705289A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104123808
申请日：2015-07-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本山豊 , MOTOYAMA, YUTAKA , 福島講平 , FUKUSHIMA, KOHEI , 松永正信 , MATSUNAGA, MASANOBU , 田吹圭司 , TABUKI, KEIJI , 戶根川大和 , TONEGAWA, YAMATO
IPC分类号： H01L21/324
摘要：將以棚狀保持複數基板之保持具送入反應容器内，對反應管内供給處理氣體來進行成膜處理時，可提高基板間的膜厚均一性。一種裝置，構成為具備：氣體供給部，用以對該反應容器内供給成膜氣體；及氣體分布調整構件，設置成分別位於該基板保持具所保持的該複數被處理基板之配置區域的更上方及更下方。且該氣體分布調整構件包含第1板狀構件及第2板狀構件，係分別形成有凹凸，設置於該基板保持具之頂板的更下方和該基板保持具之底板的更上方；該第1板狀構件具有第1表面積，該第2板狀構件具有異於該第1表面積之第2表面積。
简体摘要：将以棚状保持复数基板之保持具送入反应容器内，对反应管内供给处理气体来进行成膜处理时，可提高基板间的膜厚均一性。一种设备，构成为具备：气体供给部，用以对该反应容器内供给成膜气体；及气体分布调整构件，设置成分别位于该基板保持具所保持的该复数被处理基板之配置区域的更上方及更下方。且该气体分布调整构件包含第1板状构件及第2板状构件，系分别形成有凹凸，设置于该基板保持具之顶板的更下方和该基板保持具之底板的更上方；该第1板状构件具有第1表面积，该第2板状构件具有异于该第1表面积之第2表面积。

6. 发明专利

TWI445837B 立式薄膜形成設備及其使用方法有权
简体标题：立式薄膜形成设备及其使用方法
公开(公告)号：TWI445837B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW099139809
申请日：2010-11-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松永正信 , MATSUNAGA, MASANOBU , 周保華 , CHOU, PAO HWA , 米澤雅人 , YONEZAWA, MASATO , 長谷川雅之 , HASEGAWA, MASAYUKI , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/4404 , C23C16/45542 , C23C16/45546

7. 发明专利

TWI421941B 半導體製程用之膜形成方法與設備有权
简体标题：半导体制程用之膜形成方法与设备
公开(公告)号：TWI421941B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW098100871
申请日：2009-01-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE , 野寺伸武 , NODERA, NOBUTAKE , 松永正信 , MATSUNAGA, MASANOBU , 佐藤潤 , SATOH, JUN , 周保華 , CHOU, PAO HWA
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/34
CPC分类号： H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/45542

8. 发明专利

TWI583823B 立式熱處理裝置、立式熱處理裝置之運轉方法及記錄媒體有权
简体标题：立式热处理设备、立式热处理设备之运转方法及记录媒体
公开(公告)号：TWI583823B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW104107351
申请日：2015-03-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本山豊 , MOTOYAMA, YUTAKA , 福島講平 , FUKUSHIMA, KOHEI , 松永正信 , MATSUNAGA, MASANOBU , 周保華 , CHOU, PAO-HWA
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228

9. 发明专利

TW201604960A 使用氣體噴嘴之成膜裝置审中-公开
简体标题：使用气体喷嘴之成膜设备
公开(公告)号：TW201604960A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104108714
申请日：2015-03-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本山豊 , MOTOYAMA, YUTAKA , 福島講平 , FUKUSHIMA, KOHEI , 松永正信 , MATSUNAGA, MASANOBU , 戶根川大和 , TONEGAWA, YAMATO , 鈴木啟介 , SUZUKI, KEISUKE
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45563 , C23C16/4412 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/458
摘要：本發明提供一種成膜裝置，在呈真空氣體環境之縱型的反應容器內，以配置有成棚架狀地保持複數片基板之基板保持具的狀態，對該反應容器內交互地供給原料氣體、及與該原料氣體反應而生成反應生成物的反應氣體，以於該基板上成膜，具備：第1原料氣體噴嘴與第2原料氣體噴嘴，沿著該基板之配置方向延伸設置，在與各該基板彼此間的間隙分別對應之高度位置，形成朝向該基板的中央部噴吐該原料氣體之複數之氣體噴吐孔；反應氣體供給部，供對該反應容器內供給該反應氣體所用；第1原料氣體供給路與第2原料氣體供給路，分別和該第1原料氣體噴嘴與第2原料氣體噴嘴連接；第1槽與第2槽，分別設置於該第1原料氣體供給路之中途與第2原料氣體供給路之中途，供在將該原料氣體升壓的狀態下儲存該原料氣體所用；閥，分別設置於該第1槽之上游側與下游側、該第2槽之上游側與下游側；以及排氣口，供將該反應容器內真空排氣所用；在配置該基板之高度區域裡，於配置方向的中央之高度區域，配置該第1原料氣體噴嘴及該第2原料氣體噴嘴雙方之氣體噴吐孔，於該中央之高度區域以外，配置該第1原料氣體噴嘴及該第2原料氣體噴嘴中至少任一方之氣體噴吐孔。
简体摘要：本发明提供一种成膜设备，在呈真空气体环境之纵型的反应容器内，以配置有成棚架状地保持复数片基板之基板保持具的状态，对该反应容器内交互地供给原料气体、及与该原料气体反应而生成反应生成物的反应气体，以于该基板上成膜，具备：第1原料气体喷嘴与第2原料气体喷嘴，沿着该基板之配置方向延伸设置，在与各该基板彼此间的间隙分别对应之高度位置，形成朝向该基板的中央部喷吐该原料气体之复数之气体喷吐孔；反应气体供给部，供对该反应容器内供给该反应气体所用；第1原料气体供给路与第2原料气体供给路，分别和该第1原料气体喷嘴与第2原料气体喷嘴连接；第1槽与第2槽，分别设置于该第1原料气体供给路之中途与第2原料气体供给路之中途，供在将该原料气体升压的状态下存储该原料气体所用；阀，分别设置于该第1槽之上游侧与下游侧、该第2槽之上游侧与下游侧；以及排气口，供将该反应容器内真空排气所用；在配置该基板之高度区域里，于配置方向的中央之高度区域，配置该第1原料气体喷嘴及该第2原料气体喷嘴双方之气体喷吐孔，于该中央之高度区域以外，配置该第1原料气体喷嘴及该第2原料气体喷嘴中至少任一方之气体喷吐孔。

10. 发明专利

TW201604312A 立式熱處理裝置、立式熱處理裝置之運轉方法及記錄媒體审中-公开
简体标题：立式热处理设备、立式热处理设备之运转方法及记录媒体
公开(公告)号：TW201604312A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104107351
申请日：2015-03-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本山豊 , MOTOYAMA, YUTAKA , 福島講平 , FUKUSHIMA, KOHEI , 松永正信 , MATSUNAGA, MASANOBU , 周保華 , CHOU, PAO-HWA
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要：一種立式熱處理裝置，在立式反應容器内，將表面形成有凹凸的複數之被處理基板保持於基板保持具之狀態下，由加熱部進行加熱，來對該被處理基板進行成膜處理；該立式熱處理裝置具備：氣體供給部，用以對該反應容器内供給成膜氣體；及氣體分布調整構件，係由石英構成，分別設於該基板保持具所保持的該複數之被處理基板之配置區域的更上方及下方；若令該氣體分布調整構件中的每單位區域之表面積為S，且令該被處理基板之表面積除以依被處理基板的外形尺寸所計算之表面積而得到的每單位區域之表面積為S0，則S除以S0之値(S/S0)係設定為0.8以上。
简体摘要：一种立式热处理设备，在立式反应容器内，将表面形成有凹凸的复数之被处理基板保持于基板保持具之状态下，由加热部进行加热，来对该被处理基板进行成膜处理；该立式热处理设备具备：气体供给部，用以对该反应容器内供给成膜气体；及气体分布调整构件，系由石英构成，分别设于该基板保持具所保持的该复数之被处理基板之配置区域的更上方及下方；若令该气体分布调整构件中的每单位区域之表面积为S，且令该被处理基板之表面积除以依被处理基板的外形尺寸所计算之表面积而得到的每单位区域之表面积为S0，则S除以S0之値(S/S0)系设置为0.8以上。

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