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1. 发明专利

TW202015094A 電漿處理裝置、電漿狀態檢測方法及電漿狀態檢測程式审中-公开
简体标题：等离子处理设备、等离子状态检测方法及等离子状态检测进程
公开(公告)号：TW202015094A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108122530
申请日：2019-06-27
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：林大輔 , HAYASHI, DAISUKE , 梅澤義弘 , UMEZAWA, YOSHIHIRO , 岡信介 , OKA, SHINSUKE
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
摘要：本發明不於處理容器內配置感測器而檢測電漿狀態。本發明之測量部於藉由加熱器控制部以加熱器之溫度變成固定之方式控制向加熱器之供給電力，測量未將電漿點燃之未點燃狀態、與將電漿點燃後向加熱器之供給電力降低之過渡狀態下之供給電力。本發明之參數運算部對於包含來自電漿之熱輸入量作為參數而計算上述過渡狀態之供給電力之運算模型，使用由測量部所測量之未點燃狀態與過渡狀態之供給電力進行擬合，算出熱輸入量。本發明之輸出部輸出基於由參數運算部算出之熱輸入量之資訊。
简体摘要：本发明不于处理容器内配置传感器而检测等离子状态。本发明之测量部于借由加热器控制部以加热器之温度变成固定之方式控制向加热器之供给电力，测量未将等离子点燃之未点燃状态、与将等离子点燃后向加热器之供给电力降低之过渡状态下之供给电力。本发明之参数运算部对于包含来自等离子之热输入量作为参数而计算上述过渡状态之供给电力之运算模型，使用由测量部所测量之未点燃状态与过渡状态之供给电力进行拟合，算出热输入量。本发明之输出部输出基于由参数运算部算出之热输入量之信息。

2. 发明专利

TWI669768B 氣體供給機構及半導體製造裝置有权
简体标题：气体供给机构及半导体制造设备
公开(公告)号：TWI669768B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW104132763
申请日：2015-10-06
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：保坂勇貴 , HOSAKA, YUKI , 梅澤義弘 , UMEZAWA, YOSHIHIRO , 宇田真代 , UDA, MAYO , 久保敬 , KUBO, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/67

3. 发明专利

TWI695090B 被處理體之蝕刻方法有权
简体标题：被处理体之蚀刻方法
公开(公告)号：TWI695090B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW105136058
申请日：2016-11-07
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：梅澤義弘 , UMEZAWA, YOSHIHIRO , 佐藤淳 , SATO, JUN , 前田清司 , MAEDA, KIYOSHI , 大秦充敬 , OHATA, MITSUNORI , 松本和也 , MATSUMOTO, KAZUYA
IPC分类号： C23F4/00 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12 , H05H1/46

4. 发明专利

TWI667732B 被處理體之溫度控制機構、以及從多層膜選擇性蝕刻氮化膜之方法有权
简体标题：被处理体之温度控制机构、以及从多层膜选择性蚀刻氮化膜之方法
公开(公告)号：TWI667732B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW104132933
申请日：2015-10-07
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：保坂勇貴 , HOSAKA, YUKI , 梅澤義弘 , UMEZAWA, YOSHIHIRO , 中島俊希 , NAKAJIMA, TOSHIKI , 長倉幸一 , NAGAKURA, KOICHI
IPC分类号： H01L21/683 , G05D23/19 , H01L21/3065 , H05H1/46

5. 发明专利

TWI645066B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI645066B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW104119000
申请日：2015-06-12
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：保坂勇貴 , HOSAKA, YUKI , 梅澤義弘 , UMEZAWA, YOSHIHIRO , 中島俊希 , NAKAJIMA, TOSHIKI
IPC分类号： C23C16/455

6. 发明专利

TW201624586A 氣體供給機構及半導體製造裝置审中-公开
简体标题：气体供给机构及半导体制造设备
公开(公告)号：TW201624586A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104132763
申请日：2015-10-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：保坂勇貴 , HOSAKA, YUKI , 梅澤義弘 , UMEZAWA, YOSHIHIRO , 宇田真代 , UDA, MAYO , 久保敬 , KUBO, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/45587 , F16K3/08 , F16K3/085 , F16K31/041 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/67069
摘要：提供一種氣體供給機構，係可讓處理空間之壓力早期地穩定，且具有高耐久性。一面相中，係提供一種用以將氣體供給至半導體製造裝置的氣體供給機構。該氣體供給機構係具備有：配管，係連接氣體源與半導體製造裝置；以及閥體，係設置於配管途中。閥體係具有：板體，係可以延伸於板厚方向之軸線為中心來加以旋轉；以及外殼，係以收納板體之方式來沿著板體而非接觸地設置於該板體之外殼，並與配管一同地提供氣體供給路徑。板體係形成有以軸線為中心來延伸且在與氣體供給路徑交叉之圓周上的位置中貫穿該板體之貫穿孔。
简体摘要：提供一种气体供给机构，系可让处理空间之压力早期地稳定，且具有高耐久性。一面相中，系提供一种用以将气体供给至半导体制造设备的气体供给机构。该气体供给机构系具备有：配管，系连接气体源与半导体制造设备；以及阀体，系设置于配管途中。阀体系具有：板体，系可以延伸于板厚方向之轴线为中心来加以旋转；以及外壳，系以收纳板体之方式来沿着板体而非接触地设置于该板体之外壳，并与配管一同地提供气体供给路径。板体系形成有以轴线为中心来延伸且在与气体供给路径交叉之圆周上的位置中贯穿该板体之贯穿孔。

7. 发明专利

TW201726976A 被處理體之蝕刻方法审中-公开
简体标题：被处理体之蚀刻方法
公开(公告)号：TW201726976A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105136058
申请日：2016-11-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：梅澤義弘 , UMEZAWA, YOSHIHIRO , 佐藤淳 , SATO, JUN , 前田清司 , MAEDA, KIYOSHI , 大秦充敬 , OHATA, MITSUNORI , 松本和也 , MATSUMOTO, KAZUYA
IPC分类号： C23F4/00 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12 , H05H1/46
摘要：本發明提供一種被處理體之蝕刻方法，圖求電漿蝕刻時蝕刻率的均一化。本發明之電漿處理裝置10，具備保持晶圓W之保持構造體18、及收納保持構造體18之處理容器12。方法MT，具備藉由在處理容器12內產生的電漿蝕刻晶圓W之步驟，該步驟在該蝕刻的實行中施行使保持晶圓W之保持構造體18傾斜並旋轉的處理；該處理，對於保持晶圓W之保持構造體18依序實現複數種傾斜旋轉狀態RT（φ，t）；該傾斜旋轉狀態，係保持使晶圓W之中心軸線相對於與該中心軸線位於同一面內的處理容器12之基準軸線傾斜的狀態，並以中心軸線為中心而使晶圓W旋轉經過既定處理時間t；在複數種傾斜旋轉狀態中，中心軸線相對於基準軸線之傾斜角AN的値φ與處理時間t之組合，在每個複數種傾斜旋轉狀態相異。
简体摘要：本发明提供一种被处理体之蚀刻方法，图求等离子蚀刻时蚀刻率的均一化。本发明之等离子处理设备10，具备保持晶圆W之保持构造体18、及收纳保持构造体18之处理容器12。方法MT，具备借由在处理容器12内产生的等离子蚀刻晶圆W之步骤，该步骤在该蚀刻的实行中施行使保持晶圆W之保持构造体18倾斜并旋转的处理；该处理，对于保持晶圆W之保持构造体18依序实现复数种倾斜旋转状态RT（φ，t）；该倾斜旋转状态，系保持使晶圆W之中心轴线相对于与该中心轴线位于同一面内的处理容器12之基准轴线倾斜的状态，并以中心轴线为中心而使晶圆W旋转经过既定处理时间t；在复数种倾斜旋转状态中，中心轴线相对于基准轴线之倾斜角AN的値φ与处理时间t之组合，在每个复数种倾斜旋转状态相异。

8. 发明专利

TW201617472A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201617472A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104119000
申请日：2015-06-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：保坂勇貴 , HOSAKA, YUKI , 梅澤義弘 , UMEZAWA, YOSHIHIRO , 中島俊希 , NAKAJIMA, TOSHIKI
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32449 , H01J37/32633 , H01J37/32715 , H01J37/32834 , H01J2237/334 , H01L21/02274 , H01L21/31116 , H01L21/6719
摘要：本發明提供一種能將配置有被處理體的空間之壓力調整範圍加大的電漿處理裝置。在本發明一實施形態的電漿處理裝置中，載置台與處理容器之間設有緩衝構造。緩衝構造具有第1構件及第2構件。第1構件包含：第1圓筒部，在載置台與處理容器之間延伸，該第1圓筒部以排列在周向上的方式形成有垂直方向長條形的多數之貫穿孔。第2構件包含：第2圓筒部，具有比第1構件的圓筒部之外徑更大口徑的內徑。第2構件藉由驅動裝置而在包含第1構件與處理容器之間間隙的區域上下移動。
简体摘要：本发明提供一种能将配置有被处理体的空间之压力调整范围加大的等离子处理设备。在本发明一实施形态的等离子处理设备中，载置台与处理容器之间设有缓冲构造。缓冲构造具有第1构件及第2构件。第1构件包含：第1圆筒部，在载置台与处理容器之间延伸，该第1圆筒部以排列在周向上的方式形成有垂直方向长条形的多数之贯穿孔。第2构件包含：第2圆筒部，具有比第1构件的圆筒部之外径更大口径的内径。第2构件借由驱动设备而在包含第1构件与处理容器之间间隙的区域上下移动。

9. 发明专利

TW201802933A 氣體供給機構及半導體製造系統审中-公开
简体标题：气体供给机构及半导体制造系统
公开(公告)号：TW201802933A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106111991
申请日：2017-04-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：保坂勇貴 , HOSAKA, YUKI , 梅澤義弘 , UMEZAWA, YOSHIHIRO , 中島俊希 , NAKAJIMA, TOSHIKI , 宇田真代 , UDA, MAYO , 下野健一 , SHIMONO, KENICHI
IPC分类号： H01L21/3065 , F16K5/04
CPC分类号： H01L21/67069 , F16K5/0442 , F16K31/086 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01J2237/334
摘要：本發明提供一種耐久性優異之氣體供給機構及半導體製造系統。本發明之氣體供給機構具備：配管，其將氣體源與半導體製造裝置連接；及閥，其設置於配管，且控制自氣體源供給至半導體製造裝置之氣體之流量；閥具有：殼體，其於內部形成有圓筒狀之內部空間；及圓柱狀之軸；且於殼體形成有供氣體自氣體源向內部空間流入之入口及供氣體自內部空間向半導體製造裝置流出之出口，軸係於外周面與殼體之內壁面之間設置間隙地收容於殼體之內部空間，且能夠以軸之軸線為中心而旋轉，於軸之外周面形成貫通軸之貫通孔，貫通孔之兩端與入口及上述出口對應。
简体摘要：本发明提供一种耐久性优异之气体供给机构及半导体制造系统。本发明之气体供给机构具备：配管，其将气体源与半导体制造设备连接；及阀，其设置于配管，且控制自气体源供给至半导体制造设备之气体之流量；阀具有：壳体，其于内部形成有圆筒状之内部空间；及圆柱状之轴；且于壳体形成有供气体自气体源向内部空间流入之入口及供气体自内部空间向半导体制造设备流出之出口，轴系于外周面与壳体之内壁面之间设置间隙地收容于壳体之内部空间，且能够以轴之轴线为中心而旋转，于轴之外周面形成贯通轴之贯通孔，贯通孔之两端与入口及上述出口对应。

10. 发明专利

TW201732921A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201732921A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105140534
申请日：2016-12-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：保坂勇貴 , HOSAKA, YUKI , 梅澤義弘 , UMEZAWA, YOSHIHIRO , 中島俊希 , NAKAJIMA, TOSHIKI , 宇田真代 , UDA, MAYO
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
摘要：本發明之課題係提供一種可使配置被處理體之處理空間內的壓力之控制性提高的電漿處理裝置。電漿處理裝置10包含有隔板61、擋片62、及驅動裝置70。隔板61為圓筒形，並於側壁形成複數之貫穿孔61h。擋片62為圓筒形，並於隔板61之周圍設成可於隔板61之軸向沿著隔板61之側壁移動。驅動裝置70使擋片62沿著隔板61之側壁移動。複數之貫穿孔61h於隔板61之側壁配置成擋片62越往下方移動，未被擋片62覆蓋之貫穿孔61h的合成流導對擋片62之移動量的變化量越增大。
简体摘要：本发明之课题系提供一种可使配置被处理体之处理空间内的压力之控制性提高的等离子处理设备。等离子处理设备10包含有隔板61、挡片62、及驱动设备70。隔板61为圆筒形，并于侧壁形成复数之贯穿孔61h。挡片62为圆筒形，并于隔板61之周围设成可于隔板61之轴向沿着隔板61之侧壁移动。驱动设备70使挡片62沿着隔板61之侧壁移动。复数之贯穿孔61h于隔板61之侧壁配置成挡片62越往下方移动，未被挡片62覆盖之贯穿孔61h的合成流导对挡片62之移动量的变化量越增大。

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