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1. 发明专利

TWI652841B 多層膜之蝕刻方法有权
简体标题：多层膜之蚀刻方法
公开(公告)号：TWI652841B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW104133602
申请日：2015-10-14
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：西村榮一 , NISHIMURA, EIICHI , 大秦充敬 , OHATA, MITSUNORI
IPC分类号： H01L43/12 , H01L21/3065 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L27/22 , H01L29/00

2. 发明专利

TW201831057A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201831057A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106142345
申请日：2017-12-04
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：永関一也 , NAGASEKI, KAZUYA , 檜森慎司 , HIMORI, SHINJI , 大秦充敬 , OHATA, MITSUNORI
IPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32
摘要：本發明適當控制到達被處理體之離子與自由基之比率。本發明之電漿處理裝置具有：處理容器；載置台，其設置於處理容器內，且供被處理體載置；介電體，其具有與載置台對向之對向面；平面狀之天線，其設置於介電體之與對向面為相反側之面，且經由介電體將電漿激發用之感應電場導入至處理容器內；及電磁鐵群，其係沿著處理容器之外周配置，且於處理容器內形成磁場，該磁場使基於感應電場之電漿中之離子沿著介電體之對向面移動。
简体摘要：本发明适当控制到达被处理体之离子与自由基之比率。本发明之等离子处理设备具有：处理容器；载置台，其设置于处理容器内，且供被处理体载置；介电体，其具有与载置台对向之对向面；平面状之天线，其设置于介电体之与对向面为相反侧之面，且经由介电体将等离子激发用之感应电场导入至处理容器内；及电磁铁群，其系沿着处理容器之外周配置，且于处理容器内形成磁场，该磁场使基于感应电场之等离子中之离子沿着介电体之对向面移动。

3. 发明专利

TWI695090B 被處理體之蝕刻方法有权
简体标题：被处理体之蚀刻方法
公开(公告)号：TWI695090B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW105136058
申请日：2016-11-07
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：梅澤義弘 , UMEZAWA, YOSHIHIRO , 佐藤淳 , SATO, JUN , 前田清司 , MAEDA, KIYOSHI , 大秦充敬 , OHATA, MITSUNORI , 松本和也 , MATSUMOTO, KAZUYA
IPC分类号： C23F4/00 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12 , H05H1/46

4. 发明专利

TWI668726B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI668726B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW104133456
申请日：2015-10-13
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：西村榮一 , NISHIMURA, EIICHI , 大秦充敬 , OHATA, MITSUNORI
IPC分类号： H01J37/32 , H01L43/12

5. 发明专利

TW201614711A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201614711A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104133456
申请日：2015-10-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：西村榮一 , NISHIMURA, EIICHI , 大秦充敬 , OHATA, MITSUNORI
IPC分类号： H01J37/32 , H01L43/12
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C16/455 , H01J37/32431 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/683 , H01L21/68764 , H01L21/68785 , H01L21/68792 , H01L27/105 , H01L28/00 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要：可去除附著在因蝕刻所形成之形狀表面的沉積物。一實施形態之電漿處理裝置中，氣體供給系統會將氣體供給至處理容器內。電漿源會激發氣體供給系統所供給之氣體。支撐構造體會在處理容器內保持被處理體。支撐構造體係構成為可旋轉且可傾斜地支撐被處理體。此電漿處理裝置更具備有將作為用以吸引離子之偏壓電壓而脈衝變頻後的直流電壓施加至支撐構造體的偏壓電力供給部。
简体摘要：可去除附着在因蚀刻所形成之形状表面的沉积物。一实施形态之等离子处理设备中，气体供给系统会将气体供给至处理容器内。等离子源会激发气体供给系统所供给之气体。支撑构造体会在处理容器内保持被处理体。支撑构造体系构成为可旋转且可倾斜地支撑被处理体。此等离子处理设备更具备有将作为用以吸引离子之偏压电压而脉冲变频后的直流电压施加至支撑构造体的偏压电力供给部。

6. 发明专利

TW201301334A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201301334A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101106708
申请日：2012-03-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：保坂勇貴 , HOSAKA, YUKI , 古谷直一 , FURUYA, NAOKAZU , 大秦充敬 , OHATA, MITSUNORI
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32577 , H01J37/32422 , H01J37/32568 , H01J37/32623
摘要：本發明提供一種可進行較以往更為精密之電漿控制的電漿處理裝置。此電漿處理裝置具備：第一接地構件，由導電性材料將整體形狀形成為環狀，以至少一部分露出處理空間的方式配置於處理腔室內以供形成接地電位所用；第二接地構件，以在處理腔室下方所形成之排氣空間內與第一接地構件對向的方式設置，由導電性材料將整體形狀形成為環狀，且至少一部分露出該排氣空間，供形成接地電位所用；以及接地棒，於第一及第二接地構件之間上下動作，與第一及第二接地構件之任一接觸，可調整第一及第二接地構件之接地狀態。
简体摘要：本发明提供一种可进行较以往更为精密之等离子控制的等离子处理设备。此等离子处理设备具备：第一接地构件，由导电性材料将整体形状形成为环状，以至少一部分露出处理空间的方式配置于处理腔室内以供形成接地电位所用；第二接地构件，以在处理腔室下方所形成之排气空间内与第一接地构件对向的方式设置，由导电性材料将整体形状形成为环状，且至少一部分露出该排气空间，供形成接地电位所用；以及接地棒，于第一及第二接地构件之间上下动作，与第一及第二接地构件之任一接触，可调整第一及第二接地构件之接地状态。

7. 发明专利

TW201624781A 多層膜之蝕刻方法审中-公开
简体标题：多层膜之蚀刻方法
公开(公告)号：TW201624781A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104133602
申请日：2015-10-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：西村榮一 , NISHIMURA, EIICHI , 大秦充敬 , OHATA, MITSUNORI
IPC分类号： H01L43/12 , H01L21/3065 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L27/22 , H01L29/00
CPC分类号： H01L43/12 , H01L21/67069 , H01L27/224 , H01L43/08
摘要：本發明之課題，係去除由於蝕刻所形成之形狀表面所附著之堆積物。本發明解決問題之手段，其一實施形態之方法包含以下步驟：（a）藉由在處理容器內所產生之電漿，以蝕刻上部磁性層的步驟，且係在絶緣層之表面結束上部磁性層之蝕刻；（b）藉由在處理容器內所產生之電漿，以去除由於上部磁性層之蝕刻而在遮罩及上部磁性層之表面形成之堆積物的步驟；以及（c）藉由在處理容器內所產生之電漿，以蝕刻絶緣層的步驟。於去除堆積物的步驟，使保持被處理體之支持結構體傾斜且旋轉，並對支持結構體施加已脈波調變過之直流電壓，作為用以引入離子之偏壓電壓。
简体摘要：本发明之课题，系去除由于蚀刻所形成之形状表面所附着之堆积物。本发明解决问题之手段，其一实施形态之方法包含以下步骤：（a）借由在处理容器内所产生之等离子，以蚀刻上部磁性层的步骤，且系在绝缘层之表面结束上部磁性层之蚀刻；（b）借由在处理容器内所产生之等离子，以去除由于上部磁性层之蚀刻而在遮罩及上部磁性层之表面形成之堆积物的步骤；以及（c）借由在处理容器内所产生之等离子，以蚀刻绝缘层的步骤。于去除堆积物的步骤，使保持被处理体之支持结构体倾斜且旋转，并对支持结构体施加已脉波调制过之直流电压，作为用以引入离子之偏压电压。

8. 发明专利

TW201738957A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201738957A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106111955
申请日：2017-04-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本和也 , MATSUMOTO, KAZUYA , 保坂勇貴 , HOSAKA, YUKI , 大秦充敬 , OHATA, MITSUNORI , 山本高志 , YAMAMOTO, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/00 , H05H1/00
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
摘要：本發明旨在使構成電漿處理裝置之支持構造體的零件易於維修。電漿處理裝置包含有提供腔室之腔室本體、在腔室本體內支持被加工物之支持構造體、及構造成在腔室本體內使支持構造體繞著與鉛直方向直交之方向延伸的第1軸線旋轉之第1驅動裝置。支持構造體具有具保持被加工物之靜電吸盤並設成可繞著直交於第1軸線之第2軸線旋轉的保持部、設於保持部之下側的容器、及構造成使保持部繞第2軸線旋轉之第2驅動裝置。容器具有筒狀容器本體、及用以關閉容器本體之下側開口的底蓋。底蓋可從容器本體卸除。
简体摘要：本发明旨在使构成等离子处理设备之支持构造体的零件易于维修。等离子处理设备包含有提供腔室之腔室本体、在腔室本体内支持被加工物之支持构造体、及构造成在腔室本体内使支持构造体绕着与铅直方向直交之方向延伸的第1轴线旋转之第1驱动设备。支持构造体具有具保持被加工物之静电吸盘并设成可绕着直交于第1轴线之第2轴线旋转的保持部、设于保持部之下侧的容器、及构造成使保持部绕第2轴线旋转之第2驱动设备。容器具有筒状容器本体、及用以关闭容器本体之下侧开口的底盖。底盖可从容器本体卸除。

9. 发明专利

TW201726976A 被處理體之蝕刻方法审中-公开
简体标题：被处理体之蚀刻方法
公开(公告)号：TW201726976A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105136058
申请日：2016-11-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：梅澤義弘 , UMEZAWA, YOSHIHIRO , 佐藤淳 , SATO, JUN , 前田清司 , MAEDA, KIYOSHI , 大秦充敬 , OHATA, MITSUNORI , 松本和也 , MATSUMOTO, KAZUYA
IPC分类号： C23F4/00 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12 , H05H1/46
摘要：本發明提供一種被處理體之蝕刻方法，圖求電漿蝕刻時蝕刻率的均一化。本發明之電漿處理裝置10，具備保持晶圓W之保持構造體18、及收納保持構造體18之處理容器12。方法MT，具備藉由在處理容器12內產生的電漿蝕刻晶圓W之步驟，該步驟在該蝕刻的實行中施行使保持晶圓W之保持構造體18傾斜並旋轉的處理；該處理，對於保持晶圓W之保持構造體18依序實現複數種傾斜旋轉狀態RT（φ，t）；該傾斜旋轉狀態，係保持使晶圓W之中心軸線相對於與該中心軸線位於同一面內的處理容器12之基準軸線傾斜的狀態，並以中心軸線為中心而使晶圓W旋轉經過既定處理時間t；在複數種傾斜旋轉狀態中，中心軸線相對於基準軸線之傾斜角AN的値φ與處理時間t之組合，在每個複數種傾斜旋轉狀態相異。
简体摘要：本发明提供一种被处理体之蚀刻方法，图求等离子蚀刻时蚀刻率的均一化。本发明之等离子处理设备10，具备保持晶圆W之保持构造体18、及收纳保持构造体18之处理容器12。方法MT，具备借由在处理容器12内产生的等离子蚀刻晶圆W之步骤，该步骤在该蚀刻的实行中施行使保持晶圆W之保持构造体18倾斜并旋转的处理；该处理，对于保持晶圆W之保持构造体18依序实现复数种倾斜旋转状态RT（φ，t）；该倾斜旋转状态，系保持使晶圆W之中心轴线相对于与该中心轴线位于同一面内的处理容器12之基准轴线倾斜的状态，并以中心轴线为中心而使晶圆W旋转经过既定处理时间t；在复数种倾斜旋转状态中，中心轴线相对于基准轴线之倾斜角AN的値φ与处理时间t之组合，在每个复数种倾斜旋转状态相异。

10. 发明专利

TW201802932A 電漿處理裝置之維修方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备之维修方法
公开(公告)号：TW201802932A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106111956
申请日：2017-04-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本和也 , MATSUMOTO, KAZUYA , 保坂勇貴 , HOSAKA, YUKI , 大秦充敬 , OHATA, MITSUNORI , 山本高志 , YAMAMOTO, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
摘要：本發明之課題係易維修構成電漿處理裝置之支持構造體的零件。電漿處理裝置包含有支持被加工物之支持構造體、及構造成使支持構造體繞著與鉛直方向直交之方向延伸的第1軸線旋轉之第1驅動裝置。支持構造體具有具靜電吸盤之保持部、及設於保持部之下側的容器。容器具有筒狀容器本體、及用以關閉容器本體之下側開口並構造成可對容器本體卸除之底蓋。維修方法係包含下列步驟之方法，該等步驟為：使支持構造體繞第1軸線旋轉成相對於靜電吸盤，底蓋位於上方；將底蓋從容器本體卸除；及維修設於容器本體內之零件。
简体摘要：本发明之课题系易维修构成等离子处理设备之支持构造体的零件。等离子处理设备包含有支持被加工物之支持构造体、及构造成使支持构造体绕着与铅直方向直交之方向延伸的第1轴线旋转之第1驱动设备。支持构造体具有具静电吸盘之保持部、及设于保持部之下侧的容器。容器具有筒状容器本体、及用以关闭容器本体之下侧开口并构造成可对容器本体卸除之底盖。维修方法系包含下列步骤之方法，该等步骤为：使支持构造体绕第1轴线旋转成相对于静电吸盘，底盖位于上方；将底盖从容器本体卸除；及维修设于容器本体内之零件。

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