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1. 发明专利

TW201812849A 附有多層膜之基板之製造方法及附有多層膜之基板审中-公开
简体标题：附有多层膜之基板之制造方法及附有多层膜之基板
公开(公告)号：TW201812849A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106126184
申请日：2017-08-03
申请人：日商旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：石川祐之助 , ISHIKAWA, YUNOSUKE , 三上正樹 , MIKAMI, MASAKI , 楜澤信 , KURUMISAWA, MAKOTO
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/24
CPC分类号： G03F1/24 , G02B5/0875 , G02B5/0891
摘要：本發明係關於一種於基板上具備多層膜之附有多層膜之基板之製造方法，其係使上述基板以與該基板面正交之旋轉軸為中心進行旋轉，並且以使用乾式成膜製程所形成之複數層作為積層單元於上述基板上積層複數個積層單元，而獲得附有多層膜之基板之方法，其中於假定成膜速率之經時變化，使用乾式成膜製程而製造複數片附有多層膜之基板時，於滿足下述(1)及(2)中之至少一者之條件下進行成膜： Tdepo-unit/Tr＜(m-0.02)或(m+0.02)＜Tdepo-unit/Tr……(1) (n-0.02)≦Ti/Tr≦(n+0.02)……(2) 此處，m及n分別獨立地為任意之整數，Ti係上述複數層之各層之成膜間之間隔時間，Tdepo-unit係將1個上述積層單元成膜所需之成膜單位時間，Tr為基板旋轉週期。
简体摘要：本发明系关于一种于基板上具备多层膜之附有多层膜之基板之制造方法，其系使上述基板以与该基板面正交之旋转轴为中心进行旋转，并且以使用干式成膜制程所形成之复数层作为积层单元于上述基板上积层复数个积层单元，而获得附有多层膜之基板之方法，其中于假定成膜速率之经时变化，使用干式成膜制程而制造复数片附有多层膜之基板时，于满足下述(1)及(2)中之至少一者之条件下进行成膜： Tdepo-unit/Tr＜(m-0.02)或(m+0.02)＜Tdepo-unit/Tr……(1) (n-0.02)≦Ti/Tr≦(n+0.02)……(2) 此处，m及n分别独立地为任意之整数，Ti系上述复数层之各层之成膜间之间隔时间，Tdepo-unit系将1个上述积层单元成膜所需之成膜单位时间，Tr为基板旋转周期。

2. 发明专利

TW201331699A ＥＵＶ微影術用反射型光罩基底及其製造方法审中-公开
简体标题：ＥＵＶ微影术用反射型光罩基底及其制造方法
公开(公告)号：TW201331699A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101143936
申请日：2012-11-23
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：前重和伸 , MAESHIGE, KAZUNOBU , 三上正樹 , MIKAMI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/24
CPC分类号： G03F1/22 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24
摘要：本發明提供一種EUV光罩基底之製造方法，其可緩和因在Mo/Si多層反射膜之膜應力所致之基板變形且可緩和在Mo/Si多層反射膜之膜應力的歷時性變化。一種EUVL用反射型光罩基底之製造方法，係於基板成膜面上形成反射EUV光之多層反射膜後，於前述多層反射膜上形成吸收EUV光之吸收體層，藉此製造EUVL用反射型光罩基底者；前述多層反射膜係Mo/Si多層反射膜，且該Mo/Si多層反射膜之最上層為Si膜；於前述吸收體層形成後，在110~170℃之溫度下將該已形成吸收體層之基板加熱處理。
简体摘要：本发明提供一种EUV光罩基底之制造方法，其可缓和因在Mo/Si多层反射膜之膜应力所致之基板变形且可缓和在Mo/Si多层反射膜之膜应力的历时性变化。一种EUVL用反射型光罩基底之制造方法，系于基板成膜面上形成反射EUV光之多层反射膜后，于前述多层反射膜上形成吸收EUV光之吸收体层，借此制造EUVL用反射型光罩基底者；前述多层反射膜系Mo/Si多层反射膜，且该Mo/Si多层反射膜之最上层为Si膜；于前述吸收体层形成后，在110~170℃之温度下将该已形成吸收体层之基板加热处理。

3. 发明专利

TWI467318B 用於ＥＵＶ微影術之光學構件及用於ＥＵＶ微影術之附有反射層的基板之製造方法有权
简体标题：用于ＥＵＶ微影术之光学构件及用于ＥＵＶ微影术之附有反射层的基板之制造方法
公开(公告)号：TWI467318B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW099142123
申请日：2010-12-03
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：三上正樹 , MIKAMI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/22
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891 , G03F7/70958 , G21K2201/061

4. 发明专利

TWI464529B ＥＵＶ微影術用附反射層基板、ＥＵＶ微影術用反射型光罩基底、ＥＵＶ微影術用反射型光罩及該附反射層基板之製造方法有权
简体标题：ＥＵＶ微影术用附反射层基板、ＥＵＶ微影术用反射型光罩基底、ＥＵＶ微影术用反射型光罩及该附反射层基板之制造方法
公开(公告)号：TWI464529B
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW099143392
申请日：2010-12-09
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：三上正樹 , MIKAMI, MASAKI , 駒木根光彥 , KOMAKINE, MITSUHIKO , 生田順亮 , IKUTA, YOSHIAKI
IPC分类号： G03F1/22
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G03F7/70983

5. 发明专利

TWI417647B ＥＵＶ微影術用之反射性空白遮光罩及用於彼之具有功能性薄膜的基板失效
简体标题：ＥＵＶ微影术用之反射性空白遮光罩及用于彼之具有功能性薄膜的基板
公开(公告)号：TWI417647B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW096120167
申请日：2007-06-05
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：林和幸 , HAYASHI, KAZUYUKI , 門脇一生 , KADOWAKI, KAZUO , 杉山享司 , SUGIYAMA, TAKASHI , 三上正樹 , MIKAMI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/24 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/22 , G21K1/062

6. 发明专利

TW201435485A ＥＵＶ微影術用反射型光罩基底及其製造方法审中-公开
简体标题：ＥＵＶ微影术用反射型光罩基底及其制造方法
公开(公告)号：TW201435485A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102147947
申请日：2013-12-24
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：木下健 , KINOSHITA, TAKERU , 三上正樹 , MIKAMI, MASAKI , 林和幸 , HAYASHI, KAZUYUKI
IPC分类号： G03F1/70
CPC分类号： G03F1/24 , G03F1/48
摘要：本發明之課題係提供一種EUV光罩基底之製造方法，該EUV光罩基底具有優異之作為EUV光罩基底之特性，且具有於廣泛的組成範圍中顯示高平滑性之吸收層。本發明之解決手段課題係一種EUVL用反射型光罩基底之製造方法，其係於基板之成膜面上形成反射EUV光之多層反射膜後，於前述多層反射膜上形成該多層反射膜之保護層，並於前述保護層上形成吸收EUV光之吸收層，藉此製造EUV微影術(EUVL)用反射型光罩基底；該製造方法之特徵在於：前述多層反射膜為Mo/Si多層反射膜；前述保護層為Ru層或Ru化合物層；前述吸收層為至少含有Ta及N之層；並且，於形成前述保護層並於該保護層上形成膜厚2nm以下之Si薄膜或Si氧化薄膜後，形成前述吸收層。
简体摘要：本发明之课题系提供一种EUV光罩基底之制造方法，该EUV光罩基底具有优异之作为EUV光罩基底之特性，且具有于广泛的组成范围中显示高平滑性之吸收层。本发明之解决手段课题系一种EUVL用反射型光罩基底之制造方法，其系于基板之成膜面上形成反射EUV光之多层反射膜后，于前述多层反射膜上形成该多层反射膜之保护层，并于前述保护层上形成吸收EUV光之吸收层，借此制造EUV微影术(EUVL)用反射型光罩基底；该制造方法之特征在于：前述多层反射膜为Mo/Si多层反射膜；前述保护层为Ru层或Ru化合物层；前述吸收层为至少含有Ta及N之层；并且，于形成前述保护层并于该保护层上形成膜厚2nm以下之Si薄膜或Si氧化薄膜后，形成前述吸收层。

7. 发明专利

TWI519886B 附有ＥＵＶ微影術用反射層之基板及ＥＵＶ微影術用反射型光罩基底有权
简体标题：附有ＥＵＶ微影术用反射层之基板及ＥＵＶ微影术用反射型光罩基底
公开(公告)号：TWI519886B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW100126597
申请日：2011-07-27
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：三上正樹 , MIKAMI, MASAKI , 木下健 , KINOSHITA, TAKERU
IPC分类号： G03F1/22 , G03F1/24
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891

8. 发明专利

TWI467317B ＥＵＶ微影術用光學構件失效
简体标题：ＥＵＶ微影术用光学构件
公开(公告)号：TWI467317B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW099143003
申请日：2010-12-09
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：三上正樹 , MIKAMI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/22
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G03F7/70983 , G21K1/062

9. 发明专利

TWI444757B 用於極紫外光（ＥＵＶ）微影術之反射性空白光罩失效
简体标题：用于极紫外光（ＥＵＶ）微影术之反射性空白光罩
公开(公告)号：TWI444757B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW096113364
申请日：2007-04-16
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：林和幸 , HAYASHI, KAZUYUKI , 門脇一生 , KADOWAKI, KAZUO , 杉山享司 , SUGIYAMA, TAKASHI , 三上正樹 , MIKAMI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/22

10. 发明专利

TW201407262A ＥＵＶ微影術用反射型光罩基底及其製造方法、以及附該光罩基底用之反射層的基板及其製造方法审中-公开
简体标题：ＥＵＶ微影术用反射型光罩基底及其制造方法、以及附该光罩基底用之反射层的基板及其制造方法
公开(公告)号：TW201407262A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102124698
申请日：2013-07-10
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：三上正樹 , MIKAMI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/24 , H01L21/027 , B32B15/00
CPC分类号： G03F1/24
摘要： [課題]提供一種在多層反射膜表面上EUV波長區之光的峰值反射率之面內均勻性及EUV波長區之反射光的中心波長之面內均勻性優異的EUVL用光罩基底及其製造方法，以及使用在該EUVL用光罩基底製造上的附EUVL用反射層之基板及其製造方法。[解決手段]一種EUVL用附反射層之基板的製造方法，係一於基板上形成將EUV光反射之反射層的EUV微影術(EUVL)用附反射層之基板的製造方法，其中前述反射層係一藉由濺鍍法使低折射率層與高折射率層交替地積層複數次而成之多層反射膜，並且，該製造方法係因應前述多層反射膜之表面EUV波長區之光自前述基板中心起在半徑方向上的峰值反射率之面內分布，令構成前述多層反射膜之各層中之至少1層為反射率分布補正層，該反射率分布補正層係自前述基板中心起在半徑方向上設有膜厚分布，藉此抑制自前述基板中心起在半徑方向上之EUV光的峰值反射率之面內分布以使其縮小。
简体摘要： [课题]提供一种在多层反射膜表面上EUV波长区之光的峰值反射率之面内均匀性及EUV波长区之反射光的中心波长之面内均匀性优异的EUVL用光罩基底及其制造方法，以及使用在该EUVL用光罩基底制造上的附EUVL用反射层之基板及其制造方法。[解决手段]一种EUVL用附反射层之基板的制造方法，系一于基板上形成将EUV光反射之反射层的EUV微影术(EUVL)用附反射层之基板的制造方法，其中前述反射层系一借由溅镀法使低折射率层与高折射率层交替地积层复数次而成之多层反射膜，并且，该制造方法系因应前述多层反射膜之表面EUV波长区之光自前述基板中心起在半径方向上的峰值反射率之面内分布，令构成前述多层反射膜之各层中之至少1层为反射率分布补正层，该反射率分布补正层系自前述基板中心起在半径方向上设有膜厚分布，借此抑制自前述基板中心起在半径方向上之EUV光的峰值反射率之面内分布以使其缩小。

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