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1. 发明专利

TW201820526A 基板處理裝置、反應容器及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：基板处理设备、反应容器及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201820526A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106140989
申请日：2016-07-15
申请人：日商日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：西堂周平 , SAIDO, SHUHEI , 吉田秀成 , YOSHIDA, HIDENARI , 山口天和 , YAMAGUCHI, TAKATOMO , 中田高行 , NAKADA, TAKAYUKI , 谷山智志 , TANIYAMA, TOMOSHI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324
摘要：本發明之課題在於縮短處理室內之升溫時間。本發明之基板處理裝置具備：處理室，其處理基板；基板保持具，其於處理室內保持基板；處理氣體供給部，其對處理室內供給處理氣體；第1加熱器，其設置於處理室外，對處理室內進行加熱；隔熱部，其設置於基板保持具之下方；第2加熱器，其設置於隔熱部內，對處理室內進行加熱；及沖洗氣體供給部，其以對隔熱部內供給沖洗氣體而沖洗隔熱部內之方式構成。
简体摘要：本发明之课题在于缩短处理室内之升温时间。本发明之基板处理设备具备：处理室，其处理基板；基板保持具，其于处理室内保持基板；处理气体供给部，其对处理室内供给处理气体；第1加热器，其设置于处理室外，对处理室内进行加热；隔热部，其设置于基板保持具之下方；第2加热器，其设置于隔热部内，对处理室内进行加热；及冲洗气体供给部，其以对隔热部内供给冲洗气体而冲洗隔热部内之方式构成。

2. 发明专利

TWI642137B 基板處理裝置、反應容器及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：基板处理设备、反应容器及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI642137B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW106140989
申请日：2016-07-15
申请人：日商日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：西堂周平 , SAIDO, SHUHEI , 吉田秀成 , YOSHIDA, HIDENARI , 山口天和 , YAMAGUCHI, TAKATOMO , 中田高行 , NAKADA, TAKAYUKI , 谷山智志 , TANIYAMA, TOMOSHI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324

3. 外观设计

TWD181481S 反應管有权
简体标题：反应管
公开(公告)号：TWD181481S
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW105304215
申请日：2016-03-02
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
设计人：吉田秀成 , YOSHIDA, HIDENARI , 谷山智志 , TANIYAMA, TOMOSHI

4. 外观设计

TWD175119S 反應管有权
简体标题：反应管
公开(公告)号：TWD175119S
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW104304617
申请日：2015-08-24
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
设计人：吉田秀成 , YOSHIDA, HIDENARI , 谷山智志 , TANIYAMA, TOMOSHI

5. 发明专利

TWI611043B 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體有权
简体标题：基板处理设备、半导体设备之制造方法及记录媒体
公开(公告)号：TWI611043B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW105122381
申请日：2016-07-15
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：西堂周平 , SAIDO, SHUHEI , 吉田秀成 , YOSHIDA, HIDENARI , 山口天和 , YAMAGUCHI, TAKATOMO , 中田高行 , NAKADA, TAKAYUKI , 谷山智志 , TANIYAMA, TOMOSHI
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/67 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , C23C16/45546 , C23C16/4584 , C23C16/46 , H01L21/67017 , H01L21/68792

6. 发明专利

TWI579400B 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體有权
简体标题：基板处理设备，半导体设备之制造方法及记录媒体
公开(公告)号：TWI579400B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW103132952
申请日：2014-09-24
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：上村大義 , KAMIMURA, DAIGI , 小竹繁 , ODAKE, SHIGERU , 谷山智志 , TANIYAMA, TOMOSHI , 野上孝志 , NOGAMI, TAKASHI , 守田修 , MORITA, OSAMU , 小前泰彰 , KOMAE, YASUAKI
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/673 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67769 , B65G1/026

7. 发明专利

TWI498991B 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：基板处理设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI498991B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW100101752
申请日：2011-01-18
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI-KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：谷山智志 , TANIYAMA, TOMOSHI
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67757 , H01L21/67126

8. 发明专利

TWI478237B 基板處理裝置及固體原料補充方法失效
简体标题：基板处理设备及固体原料补充方法
公开(公告)号：TWI478237B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW101109134
申请日：2012-03-16
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. , 開滋SCT股份有限公司 , KITZ SCT CORPORATION
发明人：谷山智志 , TANIYAMA, TOMOSHI , 小山剛記 , KOYAMA, GOKI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/448
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C14/246 , C30B23/066 , Y10T137/0318

9. 发明专利

TW201421573A 半導體裝置的製造方法、基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法、基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201421573A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102128460
申请日：2013-08-08
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：吉田秀成 , YOSHIDA, HIDENARI , 谷山智志 , TANIYAMA, TOMOSHI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02104 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , C23C16/45523 , C23C16/45557 , C23C16/54 , H01L21/67011 , H01L21/67063
摘要：本發明的課題是在於提供一種可抑制隨著基板的大口徑化而處理能力降低之半導體裝置的製造方法，基板處理方法及基板處理裝置。其解決手段係一種使用基板處理裝置之半導體裝置的製造方法，該基板處理裝置係具備：處理室，及調整處理氣體原料的供給流量的流量控制裝置，及計測壓力的壓力檢測器，及調整壓力的壓力調整器，及連接至壓力檢測器、壓力調整器及流量控制裝置而按照所被檢測出的壓力值來控制壓力調整器及流量控制裝置的控制部，其特徵係具有：經由流量控制裝置來對前述處理室內的基板供給至少第1處理氣體之工程；供給前述第1處理氣體的工程後，供給淨化前述處理室內的淨化氣體之第1淨化工程；前述第1淨化工程後，至少供給第2處理氣體之工程；及供給前述第2處理氣體的工程後，供給淨化前述處理室內的淨化氣體之第2淨化工程。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种可抑制随着基板的大口径化而处理能力降低之半导体设备的制造方法，基板处理方法及基板处理设备。其解决手段系一种使用基板处理设备之半导体设备的制造方法，该基板处理设备系具备：处理室，及调整处理气体原料的供给流量的流量控制设备，及计测压力的压力检测器，及调整压力的压力调整器，及连接至压力检测器、压力调整器及流量控制设备而按照所被检测出的压力值来控制压力调整器及流量控制设备的控制部，其特征系具有：经由流量控制设备来对前述处理室内的基板供给至少第1处理气体之工程；供给前述第1处理气体的工程后，供给净化前述处理室内的净化气体之第1净化工程；前述第1净化工程后，至少供给第2处理气体之工程；及供给前述第2处理气体的工程后，供给净化前述处理室内的净化气体之第2净化工程。

10. 外观设计

TWD168827S 半導體製造裝置用晶舟有权
简体标题：半导体制造设备用晶舟
公开(公告)号：TWD168827S
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103300468D01
申请日：2014-01-24
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
设计人：吉田秀成 , YOSHIDA, HIDENARI , 谷山智志 , TANIYAMA, TOMOSHI

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