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1. 发明专利

TWI628514B 微影蝕刻用光阻上層膜形成用組成物及使用其之半導體裝置之製造方法有权
简体标题：微影蚀刻用光阻上层膜形成用组成物及使用其之半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI628514B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW102131986
申请日：2013-09-05
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：大西竜慈 , OHNISHI, RYUJI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 何邦慶 , HO, BANGCHING
IPC分类号： G03F7/11 , C08F12/24 , C08G8/04 , C08L61/06 , H01L21/027

2. 发明专利

TW201829546A 酸二酐及其利用审中-公开
公开(公告)号：TW201829546A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106133343
申请日：2017-09-28
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：葉鎮嘉 , YE, CHENJIA , 何邦慶 , HO, BANGCHING , 近藤光正 , KONDO, MITSUMASA
IPC分类号： C08G73/10 , C08L79/08 , C08J5/18 , G02F1/1333 , H05B33/02 , H01L51/50 , H01L29/786 , C07D307/89 , C07C69/773
摘要： [課題] 提供一種賦予不僅耐熱性、柔軟性及透明性優異，亦具有延遲低的特徵之聚醯亞胺膜的聚醯胺酸，以及提供一種用於製造該聚醯胺酸的新穎之酸二酐。　　[解決手段] 一種聚醯胺酸，其係使酸二酐成分與二胺成分反應所得之聚醯胺酸，其特徵為前述酸二酐成分包含下述式(1-1)所示之酸二酐，以及一種含有該聚醯胺酸之聚醯亞胺膜形成用組成物及一種由其所得之聚醯亞胺膜。 (式中，R1至R5彼此獨立，表示鹵素原子、烷基或烷氧基，R6及R7彼此獨立，表示氫原子、鹵素原子、烷基或烷氧基，a及b彼此獨立，表示0～4之整數，c及d彼此獨立，表示0～3之整數，e表示0～2之整數)。
简体摘要： [课题] 提供一种赋予不仅耐热性、柔软性及透明性优异，亦具有延迟低的特征之聚酰亚胺膜的聚酰胺酸，以及提供一种用于制造该聚酰胺酸的新颖之酸二酐。　　[解决手段] 一种聚酰胺酸，其系使酸二酐成分与二胺成分反应所得之聚酰胺酸，其特征为前述酸二酐成分包含下述式(1-1)所示之酸二酐，以及一种含有该聚酰胺酸之聚酰亚胺膜形成用组成物及一种由其所得之聚酰亚胺膜。 (式中，R1至R5彼此独立，表示卤素原子、烷基或烷氧基，R6及R7彼此独立，表示氢原子、卤素原子、烷基或烷氧基，a及b彼此独立，表示0～4之整数，c及d彼此独立，表示0～3之整数，e表示0～2之整数)。

3. 发明专利

TW201829368A 酸二酐及其利用审中-公开
公开(公告)号：TW201829368A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106133364
申请日：2017-09-28
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：葉鎮嘉 , YE, CHENJIA , 近藤光正 , KONDO, MITSUMASA , 何邦慶 , HO, BANGCHING
IPC分类号： C07C69/753 , C07D307/77 , C08G73/10 , C08J5/18 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02
摘要： [課題] 提供一種賦予不僅耐熱性、柔軟性及透明性優異，亦具有延遲低的特徵之聚醯亞胺膜的聚醯胺酸聚醯胺酸及聚醯亞胺，以及一種該聚醯胺酸及聚醯亞胺之製造中所用之新穎之酸二酐。　　[解決手段] 一種聚醯胺酸，其係使酸二酐成分與二胺成分反應所得之聚醯胺酸，其特徵為前述酸二酐成分包含下述式(1-1)所示之酸二酐，一種該聚醯胺酸之醯亞胺化物的聚醯亞胺，以及一種包含該聚醯胺酸之聚醯亞胺膜形成用組成物、一種包含該聚醯亞胺之膜形成用組成物，及各自得到的聚醯亞胺膜。 (式中，R1至R5彼此獨立，表示鹵素原子、烷基或烷氧基，R6及R7彼此獨立，表示氫原子、鹵素原子、烷基或烷氧基，a及b彼此獨立，表示0~4之整數，c及d彼此獨立，表示0~9之整數，e表示0~2之整數)。
简体摘要： [课题] 提供一种赋予不仅耐热性、柔软性及透明性优异，亦具有延迟低的特征之聚酰亚胺膜的聚酰胺酸聚酰胺酸及聚酰亚胺，以及一种该聚酰胺酸及聚酰亚胺之制造中所用之新颖之酸二酐。　　[解决手段] 一种聚酰胺酸，其系使酸二酐成分与二胺成分反应所得之聚酰胺酸，其特征为前述酸二酐成分包含下述式(1-1)所示之酸二酐，一种该聚酰胺酸之酰亚胺化物的聚酰亚胺，以及一种包含该聚酰胺酸之聚酰亚胺膜形成用组成物、一种包含该聚酰亚胺之膜形成用组成物，及各自得到的聚酰亚胺膜。 (式中，R1至R5彼此独立，表示卤素原子、烷基或烷氧基，R6及R7彼此独立，表示氢原子、卤素原子、烷基或烷氧基，a及b彼此独立，表示0~4之整数，c及d彼此独立，表示0~9之整数，e表示0~2之整数)。

4. 发明专利

TWI684580B 二胺及其利用有权
公开(公告)号：TWI684580B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW105109816
申请日：2016-03-25
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：葉鎭嘉 , YE, CHEN JIA , 何邦慶 , HO, BANG CHING , 近藤光正 , KONDO, MITSUMASA
IPC分类号： C07C229/54 , C08G73/12 , C08G73/10 , C08L79/08 , C08K3/36 , C08J5/18 , H05K1/03 , C07C205/57 , C07C227/04

5. 发明专利

TWI627508B ＥＵＶ微影用阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：ＥＵＶ微影用阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI627508B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW102109627
申请日：2013-03-19
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 藤谷徳昌 , FUJITANI, NORIAKI , 大西竜慈 , OHNISHI, RYUJI , 何邦慶 , HO, BANGCHING
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027

6. 发明专利

TWI592772B 含聚合物之顯像液有权
简体标题：含聚合物之显像液
公开(公告)号：TWI592772B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW101110140
申请日：2012-03-23
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 何邦慶 , HO, BANGCHING
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/325 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/0275 , H01L21/0337 , H01L21/306

7. 发明专利

TW201605940A 樹脂薄膜之製造方法及樹脂薄膜形成用組成物审中-公开
简体标题：树脂薄膜之制造方法及树脂薄膜形成用组成物
公开(公告)号：TW201605940A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104110452
申请日：2015-03-31
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：葉鎭嘉 , YE, CHEN JIA , 何邦慶 , HO, BANG CHING , 末村尚彥 , SUEMURA, NAOHIKO , 小出泰之 , KOIDE, YASUYUKI
IPC分类号： C08J5/18 , C08L79/08 , C08G73/10 , C08K3/36
CPC分类号： B29C41/12 , C08G73/1039 , C08G73/1042 , C08G73/1078 , C09D179/08 , C08K3/36 , C08K9/04 , C08K5/1535
摘要：本發明之目的以提供不僅是耐熱性為優異，亦具有所謂延遲為低之特徵之樹脂薄膜，特以適合作為可撓性裝置之基板之樹脂薄膜之製造方法及該樹脂薄膜，以及提供可賦予如此般樹脂薄膜之樹脂薄膜形成用組成物。樹脂薄膜之製造方法，其特徵為使用包含：聚醯亞胺，係使包含脂環式四羧酸二酐的四羧酸二酐成分、與包含含氟芳香族二胺的二胺成分反應，並將所得到的聚醯胺酸醯亞胺化而得到；二氧化矽粒子，係從藉由氮氣吸附法所測定的比表面積值算出的平均粒徑為100nm以下；及有機溶劑的樹脂薄膜形成用組成物。
简体摘要：本发明之目的以提供不仅是耐热性为优异，亦具有所谓延迟为低之特征之树脂薄膜，特以适合作为可挠性设备之基板之树脂薄膜之制造方法及该树脂薄膜，以及提供可赋予如此般树脂薄膜之树脂薄膜形成用组成物。树脂薄膜之制造方法，其特征为使用包含：聚酰亚胺，系使包含脂环式四羧酸二酐的四羧酸二酐成分、与包含含氟芳香族二胺的二胺成分反应，并将所得到的聚酰胺酸酰亚胺化而得到；二氧化硅粒子，系从借由氮气吸附法所测定的比表面积值算出的平均粒径为100nm以下；及有机溶剂的树脂薄膜形成用组成物。

8. 发明专利

TW201418892A 微影蝕刻用光阻上層膜形成用組成物及使用其之半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：微影蚀刻用光阻上层膜形成用组成物及使用其之半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201418892A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102131986
申请日：2013-09-05
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：大西竜慈 , OHNISHI, RYUJI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 何邦慶 , HO, BANGCHING
IPC分类号： G03F7/11 , C08F12/24 , C08G8/04 , C08L61/06 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08G8/04 , C08G14/06 , C09D161/12 , C09D161/34 , G03F7/091 , G03F7/168 , H01L21/0271 , H01L21/0274
摘要：本發明提供一種於半導體裝置之製造步驟中，無需與與光阻混合(intermixing)，特別是於EUV曝光之際，可阻隔例如UV或DUV等不佳之曝光光線，而僅使EUV選擇性地穿透，且曝光後可使用顯影液顯影之微影蝕刻製程所使用之光阻上層膜形成用組成物。提供一種含有具有(式1-1)結構的酚醛清漆系聚合物，與溶劑的光阻上層膜形成用組成物。 ((式1-1)中、Ar1為可含有羥基，且含有1至3個苯環之有機基。Ar2表示苯環、萘環或蒽環。羥基與R1為Ar2之氫原子的取代基)。
简体摘要：本发明提供一种于半导体设备之制造步骤中，无需与与光阻混合(intermixing)，特别是于EUV曝光之际，可阻隔例如UV或DUV等不佳之曝光光线，而仅使EUV选择性地穿透，且曝光后可使用显影液显影之微影蚀刻制程所使用之光阻上层膜形成用组成物。提供一种含有具有(式1-1)结构的酚醛清漆系聚合物，与溶剂的光阻上层膜形成用组成物。 ((式1-1)中、Ar1为可含有羟基，且含有1至3个苯环之有机基。Ar2表示苯环、萘环或蒽环。羟基与R1为Ar2之氢原子的取代基)。

9. 发明专利

TW201405251A 微影用阻劑上層膜形成組成物审中-公开
简体标题：微影用阻剂上层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201405251A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102109628
申请日：2013-03-19
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：大西竜慈 , OHNISHI, RYUJI , 臼井友輝 , USUI, YUKI , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 何邦慶 , HO, BANGCHING
IPC分类号： G03F7/11 , C08G73/10 , H01L21/027
CPC分类号： C08G73/14 , C08L79/08 , G03F7/11
摘要：本發明之課題為提供一種在半導體裝置之製造步驟中使用於微影製程的阻劑上層膜形成組成物，其係不會與阻劑(resist)互混，特別是在EUV曝光之際，將不佳的曝光光源之例如UV或DUV遮斷，並選擇性地僅使EUV穿過，又，曝光後為顯影液可顯影者。解決課題之手段為提供一種阻劑上層膜形成組成物，其係包含下述樹脂與醇系溶劑，其中，前述樹脂為使選自於(a)四羧酸二酐化合物、(b)酸二鹵化合物及(c)具有二羧酸酐基與酸鹵基之雙方之化合物中的1種以上的化合物，與(d)1種以上的二胺化合物反應所製造，且為包含醯胺鍵及醯亞胺鍵中之至少一者。樹脂末端可使用包含芳香環或碳數1至5個之烷基之有機基所封端。
简体摘要：本发明之课题为提供一种在半导体设备之制造步骤中使用于微影制程的阻剂上层膜形成组成物，其系不会与阻剂(resist)互混，特别是在EUV曝光之际，将不佳的曝光光源之例如UV或DUV遮断，并选择性地仅使EUV穿过，又，曝光后为显影液可显影者。解决课题之手段为提供一种阻剂上层膜形成组成物，其系包含下述树脂与醇系溶剂，其中，前述树脂为使选自于(a)四羧酸二酐化合物、(b)酸二卤化合物及(c)具有二羧酸酐基与酸卤基之双方之化合物中的1种以上的化合物，与(d)1种以上的二胺化合物反应所制造，且为包含酰胺键及酰亚胺键中之至少一者。树脂末端可使用包含芳香环或碳数1至5个之烷基之有机基所封端。

10. 发明专利

TWI643906B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI643906B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW105144248
申请日：2013-02-26
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：志垣修平 , SHIGAKI, SHUHEI , 谷口博昭 , YAGUCHI, HIROAKI , 柴山亘 , SHIBAYAMA, WATARU , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 何邦慶 , HO, BANG CHING
IPC分类号： C08L83/04 , C08L83/08 , C08K5/5419 , G03F7/11 , H01L21/027

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