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1. 发明专利

TWI629715B 碳化矽半導體裝置的製造方法、半導體基體的製造方法、碳化矽半導體裝置以及碳化矽半導體裝置的製造裝置有权
简体标题：碳化硅半导体设备的制造方法、半导体基体的制造方法、碳化硅半导体设备以及碳化硅半导体设备的制造设备
公开(公告)号：TWI629715B
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：TW105126280
申请日：2016-08-17
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：福田祐介 , FUKUDA, YUSUKE , 渡部善之 , WATANABE, YOSHIYUKI
IPC分类号： H01L21/28

2. 发明专利

TW201721725A 碳化矽半導體裝置的製造方法、半導體基體的製造方法、碳化矽半導體裝置以及碳化矽半導體裝置的製造裝置审中-公开
简体标题：碳化硅半导体设备的制造方法、半导体基体的制造方法、碳化硅半导体设备以及碳化硅半导体设备的制造设备
公开(公告)号：TW201721725A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105126280
申请日：2016-08-17
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：福田祐介 , FUKUDA, YUSUKE , 渡部善之 , WATANABE, YOSHIYUKI
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/02057 , H01L21/02529 , H01L21/0475 , H01L21/268 , H01L21/28512 , H01L21/561 , H01L21/78 , H01L23/3171 , H01L23/544 , H01L29/0619 , H01L2223/54426
摘要：碳化矽半導體裝置（100）的製造方法，包括：在碳化矽晶片（10）的表面側形成表面電極（30）的步驟；從背面側將碳化矽晶片（10）變薄，從而將碳化矽晶片（10）薄板化的步驟；在薄板化後的碳化矽晶片（10）的背面設置金屬層（21）的步驟；在施加外力使碳化矽晶片（10）以及金屬層（21）平坦化的狀態下，對金屬層（21）進行雷射照射從而在金屬層（21）的背面側形成與碳化矽晶片（10）中的碳反應後的碳化物層（20）的步驟；以及在碳化物層（20）的背面側形成背面電極（40）的步驟。
简体摘要：碳化硅半导体设备（100）的制造方法，包括：在碳化硅芯片（10）的表面侧形成表面电极（30）的步骤；从背面侧将碳化硅芯片（10）变薄，从而将碳化硅芯片（10）薄板化的步骤；在薄板化后的碳化硅芯片（10）的背面设置金属层（21）的步骤；在施加外力使碳化硅芯片（10）以及金属层（21）平坦化的状态下，对金属层（21）进行激光照射从而在金属层（21）的背面侧形成与碳化硅芯片（10）中的碳反应后的碳化物层（20）的步骤；以及在碳化物层（20）的背面侧形成背面电极（40）的步骤。

3. 发明专利

TW201515073A 碳化矽半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：碳化硅半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201515073A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103127866
申请日：2014-08-14
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：前山雄介 , MAEYAMA, YUSUKE , 渡部善之 , WATANABE, YOSHIYUKI , 中村俊一 , NAKAMURA, SHUNICHI
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L29/6606 , H01L21/02236 , H01L21/02255 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0455 , H01L21/0485 , H01L21/31111 , H01L23/291 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/45 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/8611 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明的碳化矽半導體裝置的製造方法按以下順序包括：在含有包含氮及氧的分子的氣體環境下，以1150℃以上的溫度將SiC基板的一個表面進行熱氧化從而形成熱氧化膜的同時，在該過程中向SiC基板的一個表面導入高濃度的氮；第二工序，通過蝕刻將熱氧化膜從SiC基板的一個表面上去除後，通過將所述SiC基板的一個表面暴露在自由基中，在被導入到SiC基板的一個表面的高濃度的氮中將被導入到SiC的晶格中的氮保留的同時，將在SiC基板的一個表面上形成的Si-N結合體及C-N結合體去除，從而在SiC基板的一個表面上形成高濃度n型SiC層；以及第三工序，在SiC基板的一個表面上形成歐姆電極層。通過本發明，不實施高溫退火工序，便能夠在SiC層的表面上形成歐姆電極層。
简体摘要：本发明的碳化硅半导体设备的制造方法按以下顺序包括：在含有包含氮及氧的分子的气体环境下，以1150℃以上的温度将SiC基板的一个表面进行热氧化从而形成热氧化膜的同时，在该过程中向SiC基板的一个表面导入高浓度的氮；第二工序，通过蚀刻将热氧化膜从SiC基板的一个表面上去除后，通过将所述SiC基板的一个表面暴露在自由基中，在被导入到SiC基板的一个表面的高浓度的氮中将被导入到SiC的晶格中的氮保留的同时，将在SiC基板的一个表面上形成的Si-N结合体及C-N结合体去除，从而在SiC基板的一个表面上形成高浓度n型SiC层；以及第三工序，在SiC基板的一个表面上形成欧姆电极层。通过本发明，不实施高温退火工序，便能够在SiC层的表面上形成欧姆电极层。

4. 发明专利

TW201707074A 碳化矽半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：碳化硅半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201707074A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105125738
申请日：2016-08-12
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：福田祐介 , FUKUDA, YUSUKE , 渡部善之 , WATANABE, YOSHIYUKI , 中村俊一 , NAKAMURA, SHUNICHI
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/02529 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/268 , H01L21/28 , H01L21/302 , H01L29/1608 , H01L29/868
摘要：一種碳化矽半導體裝置的製造方法，依次包含：研磨步驟，可藉由從第二主面(114)側對碳化矽半導體基體(110)進行研磨，從而在所述第二主面形成凹凸；金屬薄膜形成步驟，可在碳化矽半導體基體的第二主面上，形成由可形成金屬碳化物的金屬構成的金屬薄膜(118)；雷射照射步驟，可藉由對金屬薄膜進行可見區域或紅外區域的雷射照射將金屬薄膜加熱，從而在碳化矽半導體基體與金屬薄膜的境界面形成金屬碳化物(120)；蝕刻步驟，可將有可能形成在所述金屬碳化物的表面側的含金屬副生成物層(122)利用非氧化性藥液蝕刻去除，從而使所述金屬碳化物露出於表面；以及電極形成步驟，可在金屬碳化物上形成陰電極(126)。本發明的碳化矽半導體裝置的製造方法，是一種不存在碳析出問題，並且能夠以低成本製造具有良好電阻特性以及黏著特性的歐姆電極的碳化矽半導體裝置的製造方法。
简体摘要：一种碳化硅半导体设备的制造方法，依次包含：研磨步骤，可借由从第二主面(114)侧对碳化硅半导体基体(110)进行研磨，从而在所述第二主面形成凹凸；金属薄膜形成步骤，可在碳化硅半导体基体的第二主面上，形成由可形成金属碳化物的金属构成的金属薄膜(118)；激光照射步骤，可借由对金属薄膜进行可见区域或红外区域的激光照射将金属薄膜加热，从而在碳化硅半导体基体与金属薄膜的境界面形成金属碳化物(120)；蚀刻步骤，可将有可能形成在所述金属碳化物的表面侧的含金属副生成物层(122)利用非氧化性药液蚀刻去除，从而使所述金属碳化物露出于表面；以及电极形成步骤，可在金属碳化物上形成阴电极(126)。本发明的碳化硅半导体设备的制造方法，是一种不存在碳析出问题，并且能够以低成本制造具有良好电阻特性以及黏着特性的欧姆电极的碳化硅半导体设备的制造方法。

5. 发明专利

TWI600066B 碳化矽半導體裝置的製造方法有权
简体标题：碳化硅半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI600066B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW105125738
申请日：2016-08-12
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：福田祐介 , FUKUDA, YUSUKE , 渡部善之 , WATANABE, YOSHIYUKI , 中村俊一 , NAKAMURA, SHUNICHI
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/02529 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/268 , H01L21/28 , H01L21/302 , H01L29/1608 , H01L29/868

6. 发明专利

TWI543243B 碳化矽半導體裝置的製造方法有权
简体标题：碳化硅半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI543243B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW103127866
申请日：2014-08-14
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：前山雄介 , MAEYAMA, YUSUKE , 渡部善之 , WATANABE, YOSHIYUKI , 中村俊一 , NAKAMURA, SHUNICHI
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L29/6606 , H01L21/02236 , H01L21/02255 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0455 , H01L21/0485 , H01L21/31111 , H01L23/291 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/45 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/8611 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

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