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1. 发明专利

TWI652740B 半導體裝置的製造方法及半導體裝置有权
简体标题：半导体设备的制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TWI652740B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW106140126
申请日：2017-11-20
申请人：日商新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：小笠原淳 , OGASAWARA, ATSUSHI , 本間史浩 , HOMMA, FUMIHIRO
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868

2. 发明专利

TWI466288B 半導體接合保護用玻璃複合物、半導體裝置的製造方法及半導體裝置有权
简体标题：半导体接合保护用玻璃复合物、半导体设备的制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TWI466288B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW101131255
申请日：2012-08-28
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：小笠原淳 , OGASAWARA, ATSUSHI , 伊藤一彦 , ITO, KAZUHIKO , 伊東浩二 , ITO, KOJI
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/861 , H01L21/329 , C03C3/087 , C03C3/093
CPC分类号： H01L29/0603 , C03C3/066 , C03C3/087 , C03C8/02 , C03C8/24 , H01L21/02172 , H01L21/2885 , H01L21/761

3. 发明专利

TW201401379A 半導體裝置的製造方法及半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TW201401379A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102113292
申请日：2013-04-15
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：小笠原淳 , OGASAWARA, ATSUSHI , 伊東浩二 , ITO, KOJI , 伊藤一彦 , ITO, KAZUHIKO , 六鎗広野 , MUYARI, KOYA
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L23/3178 , H01L29/66136 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明涉及一種半導裝置的製造方法及半導體裝置，該半導裝置的製造方法依次包括第一工序，準備具有pn結露出的pn結露出部的半導體元件；第二工序，形成覆蓋pn結露出部的絕緣層；以及第三工序，在絕緣層上形成由半導體接合保護用玻璃複合物構成的層後，通過燒製由該半導體接合保護用玻璃複合物構成的層，在絕緣層上形成玻璃層。所述半導體接合保護用玻璃複合物不含有原料中的任何一種成分作為填充物，並且由玻璃微粒構成，該玻璃微粒是從原料熔化後所得的熔液製成的，所述原料至少含有SiO2、Al2O3、B2O3、ZnO、以及CaO，MgO和BaO中至少兩種鹼土金屬的氧化物，且實質上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K。半導體裝置使用不含鉛的玻璃材料，也與以往同樣高耐壓。
简体摘要：本发明涉及一种半导设备的制造方法及半导体设备，该半导设备的制造方法依次包括第一工序，准备具有pn结露出的pn结露出部的半导体组件；第二工序，形成覆盖pn结露出部的绝缘层；以及第三工序，在绝缘层上形成由半导体接合保护用玻璃复合物构成的层后，通过烧制由该半导体接合保护用玻璃复合物构成的层，在绝缘层上形成玻璃层。所述半导体接合保护用玻璃复合物不含有原料中的任何一种成分作为填充物，并且由玻璃微粒构成，该玻璃微粒是从原料熔化后所得的熔液制成的，所述原料至少含有SiO2、Al2O3、B2O3、ZnO、以及CaO，MgO和BaO中至少两种碱土金属的氧化物，且实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K。半导体设备使用不含铅的玻璃材料，也与以往同样高耐压。

4. 发明专利

TW201839866A 半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201839866A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106126889
申请日：2017-08-09
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：小笠原淳 , OGASAWARA, ATSUSHI , 伊東浩二 , ITO, KOJI
IPC分类号： H01L21/56 , C25D13/02 , C25D13/10 , C25D13/12
摘要：本發明係揭露一種半導體裝置的製造方法，包含：半導體晶片準備步驟，準備在玻璃覆蓋膜形成面上形成有檯面溝槽（120）的半導體晶片（W）；以及玻璃覆蓋膜形成步驟，在使無鉛玻璃微粒子懸濁在溶媒後的懸濁液（12）中，在將第一電極板（14）與第二電極板（16）以浸漬於懸濁液中的狀態下對向設置的同時，在第一電極板與第二電極板之間以半導體晶片的玻璃覆蓋膜形成面朝向第一電極板側的狀態下，藉由電泳沉積法在玻璃覆蓋膜形成面上形成玻璃覆蓋膜（124）。
简体摘要：本发明系揭露一种半导体设备的制造方法，包含：半导体芯片准备步骤，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽（120）的半导体芯片（W）；以及玻璃覆盖膜形成步骤，在使无铅玻璃微粒子悬浊在溶媒后的悬浊液（12）中，在将第一电极板（14）与第二电极板（16）以浸渍于悬浊液中的状态下对向设置的同时，在第一电极板与第二电极板之间以半导体芯片的玻璃覆盖膜形成面朝向第一电极板侧的状态下，借由电泳沉积法在玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜（124）。

5. 发明专利

TWI584466B 寬帶隙半導體裝置以及寬帶隙半導體裝置的製造方法有权
简体标题：宽带隙半导体设备以及宽带隙半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI584466B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW105108776
申请日：2016-03-22
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：前山雄介 , MAEYAMA, YUSUKE , 中村俊一 , NAKAMURA, SHUNICHI , 小笠原淳 , OGASAWARA, ATSUSHI , 大澤良平 , OSAWA, RYOHEI , 涉川昭彥 , SHIBUKAWA, AKIHIKO
IPC分类号： H01L29/41 , H01L29/812 , H01L21/8258
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L23/3171 , H01L29/0615 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/24 , H01L29/6606 , H01L29/66143 , H01L29/66212 , H01L29/66969 , H01L29/872

6. 发明专利

TW201347041A 半導體接合保護用玻璃複合物、半導體裝置的製造方法及半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体接合保护用玻璃复合物、半导体设备的制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TW201347041A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW102107750
申请日：2013-03-06
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：伊東浩二 , ITO, KOJI , 小笠原淳 , OGASAWARA, ATSUSHI , 伊藤一彦 , ITO, KAZUHIKO , 六鎗広野 , MUYARI, KOYA
IPC分类号： H01L21/329 , H01L21/76
CPC分类号： H01L23/564 , C03C3/091 , C03C3/093 , C03C8/02 , C03C2204/00 , C03C2205/00 , C03C2207/00 , H01L21/02112 , H01L21/316 , H01L21/76232 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L29/66136 , H01L29/8611 , H01L29/8613 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種半導體接合保護用玻璃複合物，其特徵在於：至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、CaO、MgO及BaO中至少二種堿土類金屬的氧化物，且實質上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn。根據本發明的半導體接合保護用玻璃複合物，可以使用不含鉛的玻璃材料，製造與以往以使用以矽酸鉛為主要成分的玻璃材料時同樣的高耐壓的半導體裝置。另外，由於實質上不含有Zn，因而可以製造耐藥品性(特別是耐氟酸性)較高、具有較高的可靠性的半導體裝置。另外，在蝕刻除去矽氧化膜的工程等工程中，無需通過光致抗蝕劑保護玻璃層，因而還可以獲得將工程簡化的效果。
简体摘要：本发明提供一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、CaO、MgO及BaO中至少二种碱土类金属的氧化物，且实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn。根据本发明的半导体接合保护用玻璃复合物，可以使用不含铅的玻璃材料，制造与以往以使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时同样的高耐压的半导体设备。另外，由于实质上不含有Zn，因而可以制造耐药品性(特别是耐氟酸性)较高、具有较高的可靠性的半导体设备。另外，在蚀刻除去硅氧化膜的工程等工程中，无需通过光致抗蚀剂保护玻璃层，因而还可以获得将工程简化的效果。

7. 发明专利

TWI653668B 半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI653668B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW107121194
申请日：2018-06-20
申请人：日商新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：小笠原淳 , OGASAWARA, ATSUSHI , 六鎗廣野 , MUYARI, KOYA
IPC分类号： H01L21/228

8. 发明专利

TWI650818B 半導體裝置的製造方法及半導體裝置有权
简体标题：半导体设备的制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TWI650818B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106140561
申请日：2017-11-22
申请人：日商新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：小笠原淳 , OGASAWARA, ATSUSHI , 本間史浩 , HOMMA, FUMIHIRO
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868

9. 发明专利

TW201709515A 寬帶隙半導體裝置以及寬帶隙半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：宽带隙半导体设备以及宽带隙半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201709515A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105108776
申请日：2016-03-22
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：前山雄介 , MAEYAMA, YUSUKE , 中村俊一 , NAKAMURA, SHUNICHI , 小笠原淳 , OGASAWARA, ATSUSHI , 大澤良平 , OSAWA, RYOHEI , 涉川昭彥 , SHIBUKAWA, AKIHIKO
IPC分类号： H01L29/41 , H01L29/812 , H01L21/8258
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L23/3171 , H01L29/0615 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/24 , H01L29/6606 , H01L29/66143 , H01L29/66212 , H01L29/66969 , H01L29/872
摘要：一種寬帶隙半導體裝置，其特徵在於，包括:第一導電型半導體層（32）；第二導電型區域（41）、（42），設置在所述第一導電型半導體層（32）上；第一電極（10），其一部分位於第二導電型區域（41）、（42）上，其殘餘部分位於所述第一導電型半導體層（32）上；絕緣層（51），在所述第一導電型半導體層（32）上與所述第一電極（10）鄰接設置，並延伸至所述寬帶隙半導體裝置的端部；以及,第二電極（20），設置在所述第一電極（10）與所述寬帶隙半導體裝置的端部之間，並與所述第一導電型半導體層（32）形成肖特基接觸。
简体摘要：一种宽带隙半导体设备，其特征在于，包括:第一导电型半导体层（32）；第二导电型区域（41）、（42），设置在所述第一导电型半导体层（32）上；第一电极（10），其一部分位于第二导电型区域（41）、（42）上，其残余部分位于所述第一导电型半导体层（32）上；绝缘层（51），在所述第一导电型半导体层（32）上与所述第一电极（10）邻接设置，并延伸至所述宽带隙半导体设备的端部；以及,第二电极（20），设置在所述第一电极（10）与所述宽带隙半导体设备的端部之间，并与所述第一导电型半导体层（32）形成肖特基接触。

10. 发明专利

TWI553738B 半導體裝置的製造方法及半導體裝置有权
简体标题：半导体设备的制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TWI553738B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW102113292
申请日：2013-04-15
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：小笠原淳 , OGASAWARA, ATSUSHI , 伊東浩二 , ITO, KOJI , 伊藤一彦 , ITO, KAZUHIKO , 六鎗広野 , MUYARI, KOYA
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L23/3178 , H01L29/66136 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

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