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1. 发明专利

TW201814907A 金屬氧化物半導體場效電晶體以及電力轉換電路审中-公开
简体标题：金属氧化物半导体场效应管以及电力转换电路
公开(公告)号：TW201814907A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106128441
申请日：2017-08-22
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：新井大輔 , ARAI, DAISUKE , 久田茂 , HISADA, SHIGERU , 北田瑞枝 , KITADA, MIZUE , 淺田毅 , ASADA, TAKESHI
IPC分类号： H01L29/78 , H02M1/00
CPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/68 , H01L29/7802 , H01L29/7805 , H01L29/7813 , H01L29/868 , H01L29/872 , H02M1/32 , H02M3/00
摘要：本發明的金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)100，用於具備：反應器；電源； MOSFET100；以及整流元件，的電力轉換電路中，其包括：半導體基體110，具有n型柱形區域114以及p型柱形區域116，並且由n型柱形區域114以及p型柱形區域116構成超級結結構，其中，n型柱形區域114以及p型柱形區域116被形成為：p型柱形區域116的摻雜物總量比n型柱形區域114的摻雜物總量更高，在開啟MOSFET後，運作為：從平面上看在n型柱形區域114的中央，出現電場強度比n型柱形區域114的中央以外的區域更低的低電場區域。根據本發明的MOSFET，在開啟MOSFET後，就能夠使MOSFET更難產生振盪，並且，更能夠降低整流元件的浪湧。
简体摘要：本发明的金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)100，用于具备：反应器；电源； MOSFET100；以及整流组件，的电力转换电路中，其包括：半导体基体110，具有n型柱形区域114以及p型柱形区域116，并且由n型柱形区域114以及p型柱形区域116构成超级结结构，其中，n型柱形区域114以及p型柱形区域116被形成为：p型柱形区域116的掺杂物总量比n型柱形区域114的掺杂物总量更高，在打开MOSFET后，运作为：从平面上看在n型柱形区域114的中央，出现电场强度比n型柱形区域114的中央以外的区域更低的低电场区域。根据本发明的MOSFET，在打开MOSFET后，就能够使MOSFET更难产生振荡，并且，更能够降低整流组件的浪涌。

2. 发明专利

TW201737499A 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备以及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201737499A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106109822
申请日：2017-03-23
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：北田瑞枝 , KITADA, MIZUE , 淺田毅 , ASADA, TAKESHI , 山口武司 , YAMAGUCHI, TAKESHI , 鈴木教章 , SUZUKI, NORIAKI , 新井大輔 , ARAI, DAISUKE
IPC分类号： H01L29/96 , H01L25/07
CPC分类号： H01L29/868 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/417 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H01L29/872
摘要：本發明係揭露一種功率半導體裝置（100），包括：半導體基體（110），在第一半導體層（112）上層積有第二半導體層（114），在第二半導體層（114）的表面形成有溝槽（118），在溝槽（118）內形成有由外延層構成的第三半導體層（116）；第一電極（126）；層間絕緣膜（122），具有規定開口（128）；以及第二電極（124），其中，在開口（128）的內部填充有金屬，並且開口（128）位於避開第三半導體層（116）的中央部的位置上，第二電極（124）經由金屬與第三半導體層（116）相連接，第三半導體層（116）的中央部的表面被層間絕緣膜（122）所覆蓋。根據本發明的半導體裝置，其提供一種：具備在溝槽（118）內形成有由外延層構成的第三半導體層（116）的，同時不易因穿通模式下的擊穿導致耐壓降低的半導體裝置。
简体摘要：本发明系揭露一种功率半导体设备（100），包括：半导体基体（110），在第一半导体层（112）上层积有第二半导体层（114），在第二半导体层（114）的表面形成有沟槽（118），在沟槽（118）内形成有由外延层构成的第三半导体层（116）；第一电极（126）；层间绝缘膜（122），具有规定开口（128）；以及第二电极（124），其中，在开口（128）的内部填充有金属，并且开口（128）位于避开第三半导体层（116）的中央部的位置上，第二电极（124）经由金属与第三半导体层（116）相连接，第三半导体层（116）的中央部的表面被层间绝缘膜（122）所覆盖。根据本发明的半导体设备，其提供一种：具备在沟槽（118）内形成有由外延层构成的第三半导体层（116）的，同时不易因穿通模式下的击穿导致耐压降低的半导体设备。

3. 发明专利

TWI692924B 電力轉換電路有权
简体标题：电力转换电路
公开(公告)号：TWI692924B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW107115481
申请日：2018-05-07
申请人：日商新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：新井大輔 , ARAI, DAISUKE , 久田茂 , HISADA, SHIGERU , 北田瑞枝 , KITADA, MIZUE
IPC分类号： H02M3/155 , H01L29/78

4. 发明专利

TWI638460B 金屬氧化物半導體場效電晶體以及電力轉換電路有权
简体标题：金属氧化物半导体场效应管以及电力转换电路
公开(公告)号：TWI638460B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW106128441
申请日：2017-08-22
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：新井大輔 , ARAI, DAISUKE , 久田茂 , HISADA, SHIGERU , 北田瑞枝 , KITADA, MIZUE , 淺田毅 , ASADA, TAKESHI
IPC分类号： H01L29/78 , H02M1/00

5. 发明专利

TW201541639A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201541639A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104110138
申请日：2015-03-27
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：淺田毅 , ASADA, TAKESHI , 北田瑞枝 , KITADA, MIZUE , 山口武司 , YAMAGUCHI, TAKESHI , 鈴木教章 , SUZUKI, NORIAKI
IPC分类号： H01L29/772 , H01L27/085
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/7802 , H01L29/7811
摘要：課題降低由於電容的充放電導致的柵極電極的電壓上升從而引起誤動作的可能性。解決方法半導體裝置包括：第一導電型漂移層20；與源極電極90相連接，且被安裝在漂移層20上的第二導電型基極層30；以及與源極電極90相連接，貫穿基極層30從而延伸到漂移層20的第二導電型陣列層50。半導體裝置包括：被安裝在被設在陣列層50的上端兩側的一對第一溝槽63的內部，且被第一絕緣層62包圍的一對第一柵極電極61；被設置在基極層30上，在第一絕緣層62中與陣列層50一側反向的一側部與該第一絕緣層62相鄰接，且與源極電極90相連接的第一導電型源極區域31。
简体摘要：课题降低由于电容的充放电导致的栅极电极的电压上升从而引起误动作的可能性。解决方法半导体设备包括：第一导电型漂移层20；与源极电极90相连接，且被安装在漂移层20上的第二导电型基极层30；以及与源极电极90相连接，贯穿基极层30从而延伸到漂移层20的第二导电型数组层50。半导体设备包括：被安装在被设在数组层50的上端两侧的一对第一沟槽63的内部，且被第一绝缘层62包围的一对第一栅极电极61；被设置在基极层30上，在第一绝缘层62中与数组层50一侧反向的一侧部与该第一绝缘层62相邻接，且与源极电极90相连接的第一导电型源极区域31。

6. 发明专利

TWI636572B 功率半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：功率半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI636572B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW106110994
申请日：2017-03-31
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：新井大輔 , ARAI, DAISUKE , 北田瑞枝 , KITADA, MIZUE , 淺田毅 , ASADA, TAKESHI , 山口武司 , YAMAGUCHI, TAKESHI , 鈴木教章 , SUZUKI, NORIAKI
IPC分类号： H01L29/78

7. 发明专利

TW201818550A 金氧半場效電晶體(MOSFET)以及電力轉換電路审中-公开
简体标题：金氧半场效应管(MOSFET)以及电力转换电路
公开(公告)号：TW201818550A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106138640
申请日：2017-11-08
申请人：日商新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：新井大輔 , ARAI, DAISUKE , 北田瑞枝 , KITADA, MIZUE
IPC分类号： H01L29/78 , H02M1/00
摘要：本發明的金氧半場效電晶體的，其包括：半導體基體，其具有n型柱形區域、p型柱形區域、基極區域、以及源極區域，且由n型柱形區域與p型柱形區域構成超級接面結構；溝槽，具有側壁與底部；閘極電極，藉由閘極絕緣膜形成在溝槽內；載流子補償電極，位於閘極電極與溝槽的底部之間；絕緣區域，將載流子補償電極與側壁以及底部分離；以及源極電極，在與源極區域電氣連接的同時也與載流子補償電極電氣連接。根據本發明的金氧半場效電晶體，即便閘極周圍的電荷平衡存在變動，也能將關斷金氧半場效電晶體後的開關特性的變動减小至比以往更小的水平。
简体摘要：本发明的金氧半场效应管的，其包括：半导体基体，其具有n型柱形区域、p型柱形区域、基极区域、以及源极区域，且由n型柱形区域与p型柱形区域构成超级接面结构；沟槽，具有侧壁与底部；闸极电极，借由闸极绝缘膜形成在沟槽内；载流子补偿电极，位于闸极电极与沟槽的底部之间；绝缘区域，将载流子补偿电极与侧壁以及底部分离；以及源极电极，在与源极区域电气连接的同时也与载流子补偿电极电气连接。根据本发明的金氧半场效应管，即便闸极周围的电荷平衡存在变动，也能将关断金氧半场效应管后的开关特性的变动减小至比以往更小的水平。

8. 发明专利

TW201806147A 功率半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：功率半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201806147A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106103075
申请日：2017-01-25
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：北田瑞枝 , KITADA, MIZUE , 淺田毅 , ASADA, TAKESHI , 山口武司 , YAMAGUCHI, TAKESHI , 鈴木教章 , SUZUKI, NORIAKI , 新井大輔 , ARAI, DAISUKE
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/78 , H01L21/31 , H01L21/22 , H01L21/336 , H01L21/768
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0634 , H01L29/41766 , H01L29/6634 , H01L29/66348 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7397
摘要：本發明的功率半導體裝置，其包含半導體基板，由複數個第一導電型柱形區域以及複數個第二導電型柱形區域構成超級結構造；複數個溝槽；閘極絕緣膜；閘電極；層間絕緣膜；接觸孔，在相互鄰接的兩個溝槽之間分別形成有兩個以上；金屬塞，在接觸孔的內部填充金屬後形成；以及電極，其中，第一導電型高濃度擴散區域僅被形成在：相互鄰接的兩個溝槽之間的，溝槽與距離溝槽最近的金屬塞之間。藉由本發明的功率半導體裝置，就能夠提供一種符合電子元件低成本化以及小型化要求的，並且具有高擊穿耐量的功率半導體裝置。
简体摘要：本发明的功率半导体设备，其包含半导体基板，由复数个第一导电型柱形区域以及复数个第二导电型柱形区域构成超级结构造；复数个沟槽；闸极绝缘膜；闸电极；层间绝缘膜；接触孔，在相互邻接的两个沟槽之间分别形成有两个以上；金属塞，在接触孔的内部填充金属后形成；以及电极，其中，第一导电型高浓度扩散区域仅被形成在：相互邻接的两个沟槽之间的，沟槽与距离沟槽最近的金属塞之间。借由本发明的功率半导体设备，就能够提供一种符合电子组件低成本化以及小型化要求的，并且具有高击穿耐量的功率半导体设备。

9. 发明专利

TW201803126A 功率半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：功率半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201803126A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106110994
申请日：2017-03-31
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：新井大輔 , ARAI, DAISUKE , 北田瑞枝 , KITADA, MIZUE , 淺田毅 , ASADA, TAKESHI , 山口武司 , YAMAGUCHI, TAKESHI , 鈴木教章 , SUZUKI, NORIAKI
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/42372 , H01L29/7811 , H01L29/7813
摘要：本發明的功率半導體裝置，具有超級結結構，包括：低電阻半導體層、n-型柱形區域、p-型柱形區域、基極區域、溝槽、閘極絕緣膜、閘電極、源極區域、層間絕緣膜、接觸孔、金屬塞、p+型擴散區域、源電極、以及閘極焊盤電極，並且，主動元件部，在距離閘極焊盤部最近的規定的p-型柱形區域，與與溝槽接觸的n-型柱形區域中距離閘極焊盤部最近的規定的n-型柱形區域之間，具備n-型柱形區域。本發明的功率半導體裝置，是一種符合低成本化以及小型化要求的，並且能夠在維持高耐壓的同時降低導通電阻的，具有高擊穿耐量的功率半導體裝置。
简体摘要：本发明的功率半导体设备，具有超级结结构，包括：低电阻半导体层、n-型柱形区域、p-型柱形区域、基极区域、沟槽、闸极绝缘膜、闸电极、源极区域、层间绝缘膜、接触孔、金属塞、p+型扩散区域、源电极、以及闸极焊盘电极，并且，主动组件部，在距离闸极焊盘部最近的规定的p-型柱形区域，与与沟槽接触的n-型柱形区域中距离闸极焊盘部最近的规定的n-型柱形区域之间，具备n-型柱形区域。本发明的功率半导体设备，是一种符合低成本化以及小型化要求的，并且能够在维持高耐压的同时降低导通电阻的，具有高击穿耐量的功率半导体设备。

10. 发明专利

TWI565059B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI565059B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104110138
申请日：2015-03-27
申请人：新電元工業股份有限公司 , SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：淺田毅 , ASADA, TAKESHI , 北田瑞枝 , KITADA, MIZUE , 山口武司 , YAMAGUCHI, TAKESHI , 鈴木教章 , SUZUKI, NORIAKI
IPC分类号： H01L29/772 , H01L27/085
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/7802 , H01L29/7811

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