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1. 发明专利

TW202003930A 電化學電鍍設備與用於清洗基板的方法审中-公开
简体标题：电化学电镀设备与用于清洗基板的方法
公开(公告)号：TW202003930A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108111376
申请日：2019-03-29
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：齊默爾曼諾蘭 , ZIMMERMAN, NOLAN , 威爾遜格雷格 , WILSON, GREG , 安藤安德魯 , ANTEN, ANDREW , 普拉維德理查 , PLAVIDAL, RICHARD W. , 伯格曼埃里克 , BERGMAN, ERIC J. , 楊布爾特里西婭 , YOUNGBULL, TRICIA , 史都特蒂莫西蓋爾 , STOLT, TIMOTHY GALE , 李山姆 , LEE, SAM
IPC分类号： C25D21/08 , C25D17/04 , H01L21/67 , C25D17/00 , C25D7/12
摘要：用於清洗電化學電鍍系統元件的系統，可包括電化學電鍍設備，其中電化學電鍍設備包括電鍍浴槽。電化學電鍍設備可包括在電鍍浴槽的上方延伸的清洗框架。清洗框架可包括緣部（rim），緣部沿著電鍍浴槽的上表面的邊緣延伸，並在緣部與電鍍浴槽的上表面之間界定清洗通道（rinsing channel）。電化學電鍍設備也可包括清洗組件，清洗組件包括可從凹入的第一位置轉移至第二位置中的防濺件（splash guard），此第二位置至少部分延伸穿過電鍍浴槽的通口（access）。清洗組件也可包括從清洗框架延伸的流體噴嘴（fluid nozzle）。
简体摘要：用于清洗电化学电镀系统组件的系统，可包括电化学电镀设备，其中电化学电镀设备包括电镀浴槽。电化学电镀设备可包括在电镀浴槽的上方延伸的清洗框架。清洗框架可包括缘部（rim），缘部沿着电镀浴槽的上表面的边缘延伸，并在缘部与电镀浴槽的上表面之间界定清洗信道（rinsing channel）。电化学电镀设备也可包括清洗组件，清洗组件包括可从凹入的第一位置转移至第二位置中的防溅件（splash guard），此第二位置至少部分延伸穿过电镀浴槽的通口（access）。清洗组件也可包括从清洗框架延伸的流体喷嘴（fluid nozzle）。

2. 发明专利

TW201708620A 增加電化學沉積率之方法审中-公开
简体标题：增加电化学沉积率之方法
公开(公告)号：TW201708620A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105114587
申请日：2016-05-11
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：柏格曼艾瑞克J , BERGMAN, ERIC J. , 夏伯諾查理斯 , SHARBONO, CHARLES , 李山姆K , LEE, SAM K.
IPC分类号： C25D5/02 , C25D5/08 , C25D7/00
CPC分类号： C25D5/08 , C25D5/028 , C25D7/00 , C25D17/002 , C25D21/10
摘要：本發明公開了一種用於電化學處理微特徵工件的方法，所述方法包括：使所述微特徵工件的第一表面與電鍍腔室中的電鍍電解液接觸，其中所述電鍍電解液包括至少一種金屬離子；使所述電鍍電解液從在所述工件的第一端部處的第一電鍍電解液入口經過所述工件的中點向在所述工件的第二端部處的第二電鍍電解液出口流動；以及將所述至少一種金屬離子電化學沉積到所述工件的所述第一表面上。另一種用於電化學處理微特徵工件的方法包括：使所述微特徵工件的第一表面與電鍍電解液接觸，所述電鍍電解液具有至少一種金屬離子；使用加熱方法對所述工件的第二表面進行加熱；以及將所述至少一種金屬離子電化學沉積到所述工件的所述第一表面上。
简体摘要：本发明公开了一种用于电化学处理微特征工件的方法，所述方法包括：使所述微特征工件的第一表面与电镀腔室中的电镀电解液接触，其中所述电镀电解液包括至少一种金属离子；使所述电镀电解液从在所述工件的第一端部处的第一电镀电解液入口经过所述工件的中点向在所述工件的第二端部处的第二电镀电解液出口流动；以及将所述至少一种金属离子电化学沉积到所述工件的所述第一表面上。另一种用于电化学处理微特征工件的方法包括：使所述微特征工件的第一表面与电镀电解液接触，所述电镀电解液具有至少一种金属离子；使用加热方法对所述工件的第二表面进行加热；以及将所述至少一种金属离子电化学沉积到所述工件的所述第一表面上。

3. 发明专利

TWI686875B 從晶圓移除光阻劑的液體過濾有权
简体标题：从晶圆移除光阻剂的液体过滤
公开(公告)号：TWI686875B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW106119590
申请日：2017-06-13
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：麥克修保羅R , MCHUGH, PAUL R. , 漢森凱爾摩倫 , HANSON, KYLE MORAN , 克羅克約翰L , KLOCKE, JOHN L. , 柏格曼艾瑞克J , BERGMAN, ERIC J. , 克蘭史都華 , CRANE, STUART , 威爾森葛瑞格里J , WILSON, GREGORY J.
IPC分类号： H01L21/46 , G03F7/42

4. 发明专利

TW201812840A 乾燥高深寬比特徵审中-公开
简体标题：干燥高深宽比特征
公开(公告)号：TW201812840A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106123001
申请日：2017-07-10
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：柏格曼艾瑞克J , BERGMAN, ERIC J. , 克羅克約翰L , KLOCKE, JOHN L. , 麥克修保羅 , MCHUGH, PAUL , 克蘭史都華 , CRANE, STUART , 普拉維達理查W , PLAVIDAL, RICHARD W.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02057
摘要：一種乾燥半導體基板的方法可包括將乾燥劑施加到半導體基板上，其中乾燥劑潤濕半導體基板。方法可包括將容納半導體基板的腔室加熱到高於乾燥劑的大氣壓沸點的溫度，直到達到腔室內的乾燥劑的蒸氣-液體平衡。方法可進一步包括使腔室通氣，其中通氣使乾燥劑的液相從半導體基板蒸發。
简体摘要：一种干燥半导体基板的方法可包括将干燥剂施加到半导体基板上，其中干燥剂润湿半导体基板。方法可包括将容纳半导体基板的腔室加热到高于干燥剂的大气压沸点的温度，直到达到腔室内的干燥剂的蒸气-液体平衡。方法可进一步包括使腔室通气，其中通气使干燥剂的液相从半导体基板蒸发。

5. 发明专利

TWI700397B 電鍍系統與電鍍方法以及在電鍍浴中維持氧濃度的對應方法有权
简体标题：电镀系统与电镀方法以及在电镀浴中维持氧浓度的对应方法
公开(公告)号：TWI700397B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW108103348
申请日：2019-01-29
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：伯格曼埃里克 , BERGMAN, ERIC J. , 克洛克約翰 , KLOCKE, JOHN L. , 王友 , WANG, YOU
IPC分类号： C25D17/02 , C25D21/06 , C25D21/14 , C25D7/12 , H01L21/28 , H01L21/768

6. 发明专利

TW201806036A 從晶圓移除光阻劑的液體過濾审中-公开
简体标题：从晶圆移除光阻剂的液体过滤
公开(公告)号：TW201806036A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106119590
申请日：2017-06-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：麥克修保羅R , MCHUGH, PAUL R. , 漢森凱爾摩倫 , HANSON, KYLE MORAN , 克羅克約翰L , KLOCKE, JOHN L. , 柏格曼艾瑞克J , BERGMAN, ERIC J. , 克蘭史都華 , CRANE, STUART , 威爾森葛瑞格里J , WILSON, GREGORY J.
IPC分类号： H01L21/46 , G03F7/42
CPC分类号： G03F7/422 , G03F7/3092
摘要：在用於從晶圓移除光阻膜之系統及方法中，晶圓移動至處理缸之處理液體的池中。處理液體從晶圓移除光阻膜。處理液體從處理缸抽取至過濾組件，且移動通過過濾介質以從處理液體過濾出固體，且經過濾的處理液體返回至處理缸。刮削器刮削過濾介質，以避免由堆積的固體堵塞過濾介質。
简体摘要：在用于从晶圆移除光阻膜之系统及方法中，晶圆移动至处理缸之处理液体的池中。处理液体从晶圆移除光阻膜。处理液体从处理缸抽取至过滤组件，且移动通过过滤介质以从处理液体过滤出固体，且经过滤的处理液体返回至处理缸。刮削器刮削过滤介质，以避免由堆积的固体堵塞过滤介质。

7. 发明专利

TW201820396A 乾燥高深寬比特徵审中-公开
简体标题：干燥高深宽比特征
公开(公告)号：TW201820396A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106139862
申请日：2017-11-17
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：柏格曼艾瑞克J , BERGMAN, ERIC J. , 克羅克約翰L , KLOCKE, JOHN L. , 麥克修保羅 , MCHUGH, PAUL , 克蘭史都華 , CRANE, STUART , 普拉維達理查W , PLAVIDAL, RICHARD W.
IPC分类号： H01L21/02
摘要：乾燥半導體基板的方法可包括施用乾燥劑至半導體基板，其中乾燥劑濕潤半導體基板。方法可包括將容納半導體基板的腔室加熱至高於乾燥劑之大氣壓沸點的溫度，直到腔室內已達到乾燥劑之蒸汽液平衡。方法還可包括使腔室通氣，其中通氣使得乾燥劑之液相自半導體基板蒸發。
简体摘要：干燥半导体基板的方法可包括施用干燥剂至半导体基板，其中干燥剂湿润半导体基板。方法可包括将容纳半导体基板的腔室加热至高于干燥剂之大气压沸点的温度，直到腔室内已达到干燥剂之蒸汽液平衡。方法还可包括使腔室通气，其中通气使得干燥剂之液相自半导体基板蒸发。

8. 发明专利

TW201730933A 用於在電化學沉積期間遮蔽工件特徵的系統和方法审中-公开
简体标题：用于在电化学沉积期间屏蔽工件特征的系统和方法
公开(公告)号：TW201730933A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105141538
申请日：2016-12-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：柏格曼艾瑞克J , BERGMAN, ERIC J. , 丹尼森傑佛瑞J , DENNISON, JEFFREY J. , 柏恩特馬文L , BERNT, MARVIN L.
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/52
CPC分类号： C25D17/002 , C25D5/022 , C25D5/04 , C25D17/005 , C25D17/008 , C25D21/10
摘要：在一個實施例中，一種用於將金屬沉積到基板表面上的電鍍單元包括：電鍍腔室，該電鍍腔室被配置成接收含有金屬離子的電解質和具有表面被設置成接觸該電解質的基板，其中該基板的表面被配置成用作陰極，並且其中該基板的表面包括在該基板的該表面的外周處或附近的異常區域；陽極，該陽極設置在該電解質室中；遮蔽裝置，該遮蔽裝置設置在該陰極與該陽極之間，以便遮蔽該異常區段；振盪器，該振盪器被配置成在該陰極與該遮蔽裝置之間施加相對振盪；以及電源，該電源在該陽極與該陰極之間造成電場。
简体摘要：在一个实施例中，一种用于将金属沉积到基板表面上的电镀单元包括：电镀腔室，该电镀腔室被配置成接收含有金属离子的电解质和具有表面被设置成接触该电解质的基板，其中该基板的表面被配置成用作阴极，并且其中该基板的表面包括在该基板的该表面的外周处或附近的异常区域；阳极，该阳极设置在该电解质室中；屏蔽设备，该屏蔽设备设置在该阴极与该阳极之间，以便屏蔽该异常区段；振荡器，该振荡器被配置成在该阴极与该屏蔽设备之间施加相对振荡；以及电源，该电源在该阳极与该阴极之间造成电场。

9. 发明专利

TW201708626A 在使用攪拌器幾何形狀和運動控制的電鍍處理器中的適應性電場遮罩审中-公开
简体标题：在使用搅拌器几何形状和运动控制的电镀处理器中的适应性电场遮罩
公开(公告)号：TW201708626A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105126337
申请日：2016-08-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：范瓦爾肯寶保羅 , VAN VALKENBURG, PAUL , 米柯拉羅伯特 , MIKKOLA, ROBERT , 麥克修保羅R , MCHUGH, PAUL R. , 威爾森葛瑞格里J , WILSON, GREGORY J. , 漢森凱爾摩倫 , HANSON, KYLE MORAN , 柏格曼艾瑞克J , BERGMAN, ERIC J. , 克羅克約翰L , KLOCKE, JOHN L.
IPC分类号： C25D21/10 , C25D21/12
CPC分类号： C25D21/10 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D17/008 , C25D17/06
摘要：在電鍍裝置中，槳或攪拌器攪拌容器中的電解液以在晶圓表面處提供高速的流體流動。另外，攪拌器被設計和/或移動以有選擇地遮罩晶圓的一部分（例如晶圓邊緣）免受容器中的電場影響。有選擇地遮罩可透過將攪拌器的平均位置暫時地朝向晶圓的一側偏移，透過省略或縮短攪拌器中的狹縫，和/或透過將攪拌器的運動與晶圓旋轉同步來實現。
简体摘要：在电镀设备中，桨或搅拌器搅拌容器中的电解液以在晶圆表面处提供高速的流体流动。另外，搅拌器被设计和/或移动以有选择地遮罩晶圆的一部分（例如晶圆边缘）免受容器中的电场影响。有选择地遮罩可透过将搅拌器的平均位置暂时地朝向晶圆的一侧偏移，透过省略或缩短搅拌器中的狭缝，和/或透过将搅拌器的运动与晶圆旋转同步来实现。

10. 实用新型

TWM536680U 在使用攪拌器幾何形狀和運動控制的電鍍處理器中的適應性電場遮罩有权
简体标题：在使用搅拌器几何形状和运动控制的电镀处理器中的适应性电场遮罩
公开(公告)号：TWM536680U
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW105212523
申请日：2016-08-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：范瓦爾肯寶保羅 , VAN VALKENBURG, PAUL , 米柯拉羅伯特 , MIKKOLA, ROBERT , 麥克修保羅R , MCHUGH, PAUL R. , 威爾森葛瑞格里J , WILSON, GREGORY J. , 漢森凱爾摩倫 , HANSON, KYLE MORAN , 柏格曼艾瑞克J , BERGMAN, ERIC J. , 克羅克約翰L , KLOCKE, JOHN L.
IPC分类号： C25D21/10 , C25D21/12
CPC分类号： C25D21/10 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D17/008 , C25D17/06

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