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1. 发明专利

TWI606127B 氮矽化鎢膜及其形成方法有权
简体标题：氮硅化钨膜及其形成方法
公开(公告)号：TWI606127B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW105129466
申请日：2016-09-10
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉瑪林簡喬瑟林簡 , RAMALINGAM, JOTHILINGAM , 加卡拉祖拉傑庫馬 , JAKKARAJU, RAJKUMAR , 雷建新 , LEI, JIANXIN , 王智勇 , WANG, ZHIYONG
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L29/4975 , C23C14/0036 , C23C14/022 , C23C14/0641 , C23C14/5826 , H01L21/28088 , H01L21/28097 , H01L21/28202 , H01L21/2855

2. 发明专利

TW201728767A 用於鎢膜之低阻抗物理氣相沉積的系統及方法审中-公开
简体标题：用于钨膜之低阻抗物理气相沉积的系统及方法
公开(公告)号：TW201728767A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105133990
申请日：2016-10-21
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉瑪林簡喬瑟林簡 , RAMALINGAM, JOTHILINGAM , 尼古言善X , NGUYEN, THANH X. , 王智勇 , WANG, ZHIYONG , 雷建新 , LEI, JIANXIN , 唐先敏 , TANG, XIANMIN
IPC分类号： C22C27/04 , C23C14/34 , C23C14/14 , H01J37/34
CPC分类号： H01L21/2855 , C23C14/185 , C23C14/3407 , C23C14/345 , C23C14/35 , C23C14/568 , H01J37/3408 , H01J37/3426 , H01J37/3435 , H01L21/326
摘要：於此揭露用於將一層耐火金屬層濺射到設置在基板上的阻擋層上的系統和方法。在一或多個實施例中，在積體電路中濺射沉積鎢結構的方法包括以下步驟：將基板移動到電漿處理腔室中，且移動到與濺射靶材組件相對的基板支撐件上，濺射靶材組件包含具有不超過10ppm的碳和不超過10ppm的氧作為雜質存在之鎢靶材；將氪氣流入電漿處理腔室；及將氪氣激發成電漿，以藉由濺射而在由基座所支撐的基板之材料層上沉積鎢膜層。在一些實施例中，靶材組件進一步包括鈦背板和設置在鈦背板和鎢靶材之間的鋁接合層。
简体摘要：于此揭露用于将一层耐火金属层溅射到设置在基板上的阻挡层上的系统和方法。在一或多个实施例中，在集成电路中溅射沉积钨结构的方法包括以下步骤：将基板移动到等离子处理腔室中，且移动到与溅射靶材组件相对的基板支撑件上，溅射靶材组件包含具有不超过10ppm的碳和不超过10ppm的氧作为杂质存在之钨靶材；将氪气流入等离子处理腔室；及将氪气激发成等离子，以借由溅射而在由基座所支撑的基板之材料层上沉积钨膜层。在一些实施例中，靶材组件进一步包括钛背板和设置在钛背板和钨靶材之间的铝接合层。

3. 发明专利

TW201716603A 氮矽化鎢膜及其形成方法审中-公开
简体标题：氮硅化钨膜及其形成方法
公开(公告)号：TW201716603A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105129466
申请日：2016-09-10
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉瑪林簡喬瑟林簡 , RAMALINGAM, JOTHILINGAM , 加卡拉祖拉傑庫馬 , JAKKARAJU, RAJKUMAR , 雷建新 , LEI, JIANXIN , 王智勇 , WANG, ZHIYONG
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L29/4975 , C23C14/0036 , C23C14/022 , C23C14/0641 , C23C14/5826 , H01L21/28088 , H01L21/28097 , H01L21/28202 , H01L21/2855
摘要：本案揭露內容之實施例包括氮矽化鎢膜和沉積氮矽化鎢膜之方法。在一些實施例中，一種薄膜微電子元件包括半導體基板，該基板具有鎢閘極電極堆疊，該鎢閘極電極堆疊包含氮矽化鎢膜，該氮矽化鎢膜具有WxSiyNz之化學式，其中x是約19至約22原子百分比，y是約57至約61原子百分比，z是約15至約20原子百分比。在一些實施例中，一種處理安置於物理氣相沉積（PVD）腔室之基板之方法包括：將具有閘極絕緣層之基板暴露至電漿，該電漿從第一處理氣體形成，該第一處理氣體包含氮和氬；從安置於該PVD腔室之處理空間內的靶材濺射矽和鎢材料；將如上所述之氮矽化鎢層沉積在該閘極絕緣層頂上；以及將塊材鎢層沉積於該氮矽化鎢層頂上。
简体摘要：本案揭露内容之实施例包括氮硅化钨膜和沉积氮硅化钨膜之方法。在一些实施例中，一种薄膜微电子组件包括半导体基板，该基板具有钨闸极电极堆栈，该钨闸极电极堆栈包含氮硅化钨膜，该氮硅化钨膜具有WxSiyNz之化学式，其中x是约19至约22原子百分比，y是约57至约61原子百分比，z是约15至约20原子百分比。在一些实施例中，一种处理安置于物理气相沉积（PVD）腔室之基板之方法包括：将具有闸极绝缘层之基板暴露至等离子，该等离子从第一处理气体形成，该第一处理气体包含氮和氩；从安置于该PVD腔室之处理空间内的靶材溅射硅和钨材料；将如上所述之氮硅化钨层沉积在该闸极绝缘层顶上；以及将块材钨层沉积于该氮硅化钨层顶上。

4. 发明专利

TW201526088A 透過濺射摻雜靶材製作源極／汲極觸點的方法审中-公开
简体标题：透过溅射掺杂靶材制作源极／汲极触点的方法
公开(公告)号：TW201526088A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103134440
申请日：2014-10-02
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：雷建新 , LEI, JIANXIN , 拉瑪琳甘姆喬瑟琳甘姆 , RAMALINGAM, JOTHILINGAM , 倪其農 , NI, CHI-NUNG
IPC分类号： H01L21/28 , C23C14/34
CPC分类号： H01L21/28506 , C23C14/16 , C23C14/3414 , C23C14/5813 , H01L21/225 , H01L21/2254 , H01L21/28518 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L29/456 , H01L29/66477
摘要：一種沉積接觸層材料之方法包括濺射包括金屬及摻雜物的靶材。接觸層材料導電及可用於電晶體裝置中以將諸如金氧半導體場效電晶體之源極區或汲極區之導電區域連接至接觸插塞。接觸插塞係用於將半導體基板中所形成之源極/汲極區連接至形成於半導體裝置之閘位準上方之金屬電線層。所得接觸層可為包括摻雜物的金屬矽化物。在一些實施例中，所濺射金屬可為鎳及摻雜物可為磷，且所得接觸層可為摻雜有磷的矽化鎳。所描述之實施例大體而言可在半導體裝置中提供減小的接觸電阻且因此提供改良的效能。
简体摘要：一种沉积接触层材料之方法包括溅射包括金属及掺杂物的靶材。接触层材料导电及可用于晶体管设备中以将诸如金属氧化物半导体场效应管之源极区或汲极区之导电区域连接至接触插塞。接触插塞系用于将半导体基板中所形成之源极/汲极区连接至形成于半导体设备之闸位准上方之金属电线层。所得接触层可为包括掺杂物的金属硅化物。在一些实施例中，所溅射金属可为镍及掺杂物可为磷，且所得接触层可为掺杂有磷的硅化镍。所描述之实施例大体而言可在半导体设备中提供减小的接触电阻且因此提供改良的性能。

5. 发明专利

TWI686491B 用於沉積材料在基板上的方法及製程腔室有权
简体标题：用于沉积材料在基板上的方法及制程腔室
公开(公告)号：TWI686491B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW104138510
申请日：2015-11-20
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉瑪琳甘姆喬瑟琳甘姆 , RAMALINGAM, JOTHILINGAM , 雷建新 , LEI, JIANXIN
IPC分类号： C23C14/34 , B05D5/00 , B05D7/14 , B05D7/22

6. 发明专利

TW201734237A 用於VHF-RF物理氣相沉積腔室內之預塗佈屏障审中-公开
简体标题：用于VHF-RF物理气相沉积腔室内之预涂布屏障
公开(公告)号：TW201734237A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105136565
申请日：2016-11-10
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉振東 , LIU, ZHENDONG , 侯文婷 , HOU, WENTING , 雷建新 , LEI, JIANXIN , 翁建業 , YOUNG, DONNY , 呂明諭 , LU, WILLIAM M.
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/56 , H01J37/32
CPC分类号： C23C4/134 , C23C14/34 , C23C14/564 , C23C16/4404 , C23C16/45525 , C23C16/50 , C23C18/1646 , C23C18/1689 , C23C18/31 , C23C18/48 , C25D3/02 , C25D5/48 , C25D7/00 , C25D17/00 , H01J37/32477 , H01J37/32504 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3476
摘要：本揭示的實施方案是關於用於處理腔室內的改良屏障。在一個實施方案中，該屏障包括具有圓柱形形狀的中空主體及被形成在該主體的內表面上的塗層，該圓柱形形狀大致上相對於該主體的中心軸對稱。該塗層是由與該處理腔室中使用的濺射靶材相同的材料形成。該屏障藉由減少該屏障與該濺射靶材之間的電弧而有利地減少使用RF-PVD沉積的薄膜中的顆粒污染物。電弧因該屏障的內表面上存在塗層而減少。
简体摘要：本揭示的实施方案是关于用于处理腔室内的改良屏障。在一个实施方案中，该屏障包括具有圆柱形形状的中空主体及被形成在该主体的内表面上的涂层，该圆柱形形状大致上相对于该主体的中心轴对称。该涂层是由与该处理腔室中使用的溅射靶材相同的材料形成。该屏障借由减少该屏障与该溅射靶材之间的电弧而有利地减少使用RF-PVD沉积的薄膜中的颗粒污染物。电弧因该屏障的内表面上存在涂层而减少。

7. 发明专利

TW201621073A 使用熱膨脹係數相容之塗層在沉積腔室中減少顆粒审中-公开
简体标题：使用热膨胀系数兼容之涂层在沉积腔室中减少颗粒
公开(公告)号：TW201621073A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104138510
申请日：2015-11-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉瑪琳甘姆喬瑟琳甘姆 , RAMALINGAM, JOTHILINGAM , 雷建新 , LEI, JIANXIN
IPC分类号： C23C14/34 , B05D5/00 , B05D7/14 , B05D7/22
CPC分类号： C23C14/564 , C23C4/131 , C23C16/45574 , H01J37/32477 , H01J37/32522 , H01J37/32853 , H01J37/34
摘要：於此提供用於減少在製程中所產生的顆粒之方法和裝置。在一些實施例中，減少由在製程腔室中沉積耐火金屬在基板上的製程所產生之顆粒的方法包含以下步驟：在實施製程之前，在製程腔室的內表面之頂上形成塗層，其中塗層具有在製程期間所沉積的耐火金屬之熱膨脹係數的20%內的熱膨脹係數，且其中塗層與耐火金屬不同。在一些實施例中，配置用以沉積耐火金屬在基板上的製程腔室包含：塗層，設置在製程腔室的內表面之頂上，且具有耐火金屬之熱膨脹係數的20%內的熱膨脹係數，且其中塗層與耐火金屬不同。
简体摘要：于此提供用于减少在制程中所产生的颗粒之方法和设备。在一些实施例中，减少由在制程腔室中沉积耐火金属在基板上的制程所产生之颗粒的方法包含以下步骤：在实施制程之前，在制程腔室的内表面之顶上形成涂层，其中涂层具有在制程期间所沉积的耐火金属之热膨胀系数的20%内的热膨胀系数，且其中涂层与耐火金属不同。在一些实施例中，配置用以沉积耐火金属在基板上的制程腔室包含：涂层，设置在制程腔室的内表面之顶上，且具有耐火金属之热膨胀系数的20%内的热膨胀系数，且其中涂层与耐火金属不同。

8. 发明专利

TWI701347B 用於鎢膜之低阻抗物理氣相沉積的系統及方法有权
简体标题：用于钨膜之低阻抗物理气相沉积的系统及方法
公开(公告)号：TWI701347B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW105133990
申请日：2016-10-21
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉瑪林簡喬瑟林簡 , RAMALINGAM, JOTHILINGAM , 尼古言善X , NGUYEN, THANH X. , 王智勇 , WANG, ZHIYONG , 雷建新 , LEI, JIANXIN , 唐先敏 , TANG, XIANMIN
IPC分类号： C22C27/04 , C23C14/34 , C23C14/14 , H01J37/34

9. 发明专利

TW201819655A 使用PVD釕的方法與裝置审中-公开
简体标题：使用PVD钌的方法与设备
公开(公告)号：TW201819655A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106133053
申请日：2017-09-27
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：拉瑪林簡喬瑟林簡 , RAMALINGAM, JOTHILINGAM , 馬歇爾羅斯 , MARSHALL, ROSS , 雷建新 , LEI, JIANXIN , 唐先敏 , TANG, XIANMIN
IPC分类号： C23C14/16
摘要：描述了含釕的閘極堆疊和形成含釕閘極堆疊的方法。含有釕的閘極堆疊包含：多晶矽層，在基板上；矽化物層，在多晶矽層上；阻擋層，在矽化物層上；釕層，在阻擋層上；及間隔層，包含在釕層的側面上的氮化物，其中釕層在形成間隔層之後基本上不包含氮化釕。形成釕層包含以下步驟：在氪環境中在包含高電阻率陶瓷材料的高電流靜電卡盤上濺射釕。濺射的釕層在大於或等於約500℃的溫度下退火。
简体摘要：描述了含钌的闸极堆栈和形成含钌闸极堆栈的方法。含有钌的闸极堆栈包含：多晶硅层，在基板上；硅化物层，在多晶硅层上；阻挡层，在硅化物层上；钌层，在阻挡层上；及间隔层，包含在钌层的侧面上的氮化物，其中钌层在形成间隔层之后基本上不包含氮化钌。形成钌层包含以下步骤：在氪环境中在包含高电阻率陶瓷材料的高电流静电卡盘上溅射钌。溅射的钌层在大于或等于约500℃的温度下退火。

10. 发明专利

TWI327742B 可展現較均勻沉積及降低旋轉不對稱性的多軌道磁電管 MULTI-TRACK MAGNETRON EXHIBITING MORE UNIFORM DEPOSITION AND REDUCED ROTATIONAL ASYMMETRY 有权
简体标题：可展现较均匀沉积及降低旋转不对称性的多轨道磁电管 MULTI-TRACK MAGNETRON EXHIBITING MORE UNIFORM DEPOSITION AND REDUCED ROTATIONAL ASYMMETRY
公开(公告)号：TWI327742B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：TW094147771
申请日：2005-12-30
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：楊宏S , 龔則敬 , 雷建新 , 郭鐵
IPC分类号： H01J , C23C
CPC分类号： H01J37/3408 , H01J37/3405
摘要：一種多軌道磁電管，其具有一迴旋形狀且不對稱於它所圍繞旋轉的標靶中心(14)。一電漿軌道(166)被形成為一介於相反的內磁極(162)與外磁極(164)之間的閉合迴圈，最好是被形成為兩圈或三圈(其係被徑向地安排且被形成為螺旋形狀)相關於該標靶中心之反方向延伸的軌道，且最好是通過該旋轉軸。磁極形狀可被最佳化用以產生一遵守L＝arn函數之累計的(cumulative)軌道長度分佈。在使用電腦的最佳化之數次迭代(iteration)之後，該磁極形狀可用在製造好的磁極部件中之不同的磁鐵分佈來測試濺鍍均勻性。如果該均勻性仍然不令人滿意的話，則用不同的n值，不同的軌道數目，或不同的磁極寬度來重復該設計迭代。該最佳化減小了方位角的側壁不對稱性，並改善了徑向沉積均勻性。
简体摘要：一种多轨道磁电管，其具有一回旋形状且不对称于它所围绕旋转的标靶中心(14)。一等离子轨道(166)被形成为一介于相反的内磁极(162)与外磁极(164)之间的闭合循环，最好是被形成为两圈或三圈(其系被径向地安排且被形成为螺旋形状)相关于该标靶中心之反方向延伸的轨道，且最好是通过该旋转轴。磁极形状可被最优化用以产生一遵守L＝arn函数之累计的(cumulative)轨道长度分布。在使用电脑的最优化之数次迭代(iteration)之后，该磁极形状可用在制造好的磁极部件中之不同的磁铁分布来测试溅镀均匀性。如果该均匀性仍然不令人满意的话，则用不同的n值，不同的轨道数目，或不同的磁极宽度来重复该设计迭代。该最优化减小了方位角的侧壁不对称性，并改善了径向沉积均匀性。

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