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1. 发明专利

TWI328258B 偏壓晶圓時的鋁濺鍍 ALUMINUM SPUTTERING WHILE BIASING WAFER 有权
简体标题：偏压晶圆时的铝溅镀 ALUMINUM SPUTTERING WHILE BIASING WAFER
公开(公告)号：TWI328258B
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW095130881
申请日：2006-08-22
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：李威提 , 郭鐵 , 余善和
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C14/185 , C23C14/025 , C23C14/046 , C23C14/345
摘要：本發明提供一種包含射頻偏壓晶圓之鋁濺鍍製程及用於該製程的兩步驟式鋁填充製程及裝置，以於兩不同條件下將鋁填充至一狹窄介電窗孔洞中，且較佳係於兩不同的電漿濺鍍反應室168、170中進行。該第一步驟130包括濺鍍一高分率之離子化鋁原子至一相對較冷的晶圓上，例如溫度保持低於150℃，以及施予相對較高之偏壓以吸引鋁原子進入該狹窄孔動中並蝕刻凸緣(overhangs)。該第二步驟132包括將較中性的鋁濺鍍至一相對較暖的晶圓上，例如使晶圓溫度保持高於250℃，以及實質上不施加偏壓以提供較等向性且均勻的鋁流量(aluminum flux)。在第一步驟中於該鋁靶材背側掃描的磁控管可能相對較小且非平衡(80)，以及在第二步驟中於該鋁靶材背側掃描的磁控管可能相對較大且平衡(60)。
简体摘要：本发明提供一种包含射频偏压晶圆之铝溅镀制程及用于该制程的两步骤式铝填充制程及设备，以于两不同条件下将铝填充至一狭窄介电窗孔洞中，且较佳系于两不同的等离子溅镀反应室168、170中进行。该第一步骤130包括溅镀一高分率之离子化铝原子至一相对较冷的晶圆上，例如温度保持低于150℃，以及施予相对较高之偏压以吸引铝原子进入该狭窄孔动中并蚀刻凸缘(overhangs)。该第二步骤132包括将较中性的铝溅镀至一相对较暖的晶圆上，例如使晶圆温度保持高于250℃，以及实质上不施加偏压以提供较等向性且均匀的铝流量(aluminum flux)。在第一步骤中于该铝靶材背侧扫描的磁控管可能相对较小且非平衡(80)，以及在第二步骤中于该铝靶材背侧扫描的磁控管可能相对较大且平衡(60)。

2. 发明专利

TW393752B 金屬化製程與方法失效
简体标题：金属化制程与方法
公开(公告)号：TW393752B
公开(公告)日：2000-06-11
申请号：TW087116313
申请日：1998-09-30
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：曼呼B.奈克 , 郭鐵 , 陳良毓 , 若迪瑞克可瑞葛摩斯利 , 伊索瑞爾拜爾葛雷斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C14/32 , C23C14/025 , C23C14/046 , H01L21/2855 , H01L21/76877
摘要：本發明提供一種改良的方法，可於基材上提供均勻的階梯覆蓋率及金屬層的平面化以於高的高寬比之次-半微米應用中形成連續且不含空隙(void)的內連線。本發明提供一種多步驟的PVD方法，其中電漿能量在各個步驟中變化以獲得良好的充填特性及良好的反射率，形態(morphology)及產出率。起初的電漿能量相對地較低以確保孔洞有良好且不含空隙的充填，然後增加電漿能量以獲得所欲的反射率及形態特性。本發明提供一種充填孔的方法，其包含在基材上以物理氣相沉積來沉積一層金屬且於物理氣相沉積期間變化電漿能量。較佳地，電漿能量係由第一不連續的低電漿能量變化到第二不連續的高電漿能量。更佳地，電漿能量係從第一不連續低電漿能量變成第二不連續低電漿能量再變成第三不連續高電漿能量。
简体摘要：本发明提供一种改良的方法，可于基材上提供均匀的阶梯覆盖率及金属层的平面化以于高的高宽比之次-半微米应用中形成连续且不含空隙(void)的内连接。本发明提供一种多步骤的PVD方法，其中等离子能量在各个步骤中变化以获得良好的充填特性及良好的反射率，形态(morphology)及产出率。起初的等离子能量相对地较低以确保孔洞有良好且不含空隙的充填，然后增加等离子能量以获得所欲的反射率及形态特性。本发明提供一种充填孔的方法，其包含在基材上以物理气相沉积来沉积一层金属且于物理气相沉积期间变化等离子能量。较佳地，等离子能量系由第一不连续的低等离子能量变化到第二不连续的高等离子能量。更佳地，等离子能量系从第一不连续低等离子能量变成第二不连续低等离子能量再变成第三不连续高等离子能量。

3. 发明专利

TW385533B 利用選擇性CVD AL進行整合插塞及內連線金屬化之原位封蓋鋁插塞(蓋)的方法失效
简体标题：利用选择性CVD AL进行集成插塞及内连接金属化之原位封盖铝插塞(盖)的方法
公开(公告)号：TW385533B
公开(公告)日：2000-03-21
申请号：TW086119920
申请日：1997-12-29
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：郭鐵 , 陳良毓 , 薩奇拉.撒布拉曼言
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76879
摘要：本發明大致上提供一種形成結構體之方法，該結構體具有一個選擇性CVD金屬插塞而有連續障壁層形成於其上。特別本發明施用溫熱PVD金屬薄層於選擇性CVD金屬插塞上及毗鄰介電場的結節而平面化金屬面。然後障壁層沉積於平面化金屬面上。因此本發明提供下列優點:具有(l)無空隙次半微米選擇性CVD金屬貫穿孔插塞及互連層，及(2)無需使用CMP可減少製程步驟數目，及(3)金屬插塞上有障壁層可改良金屬之電遷移電阻。
简体摘要：本发明大致上提供一种形成结构体之方法，该结构体具有一个选择性CVD金属插塞而有连续障壁层形成于其上。特别本发明施用温热PVD金属薄层于选择性CVD金属插塞上及毗邻介电场的结节而平面化金属面。然后障壁层沉积于平面化金属面上。因此本发明提供下列优点:具有(l)无空隙次半微米选择性CVD金属贯穿孔插塞及互连层，及(2)无需使用CMP可减少制程步骤数目，及(3)金属插塞上有障壁层可改良金属之电迁移电阻。

4. 发明专利

TW376576B 防止鈦與鋁之交互作用的集成氮處理鈦層失效
简体标题：防止钛与铝之交互作用的集成氮处理钛层
公开(公告)号：TW376576B
公开(公告)日：1999-12-11
申请号：TW087105385
申请日：1998-04-09
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：陳良毓 , 郭鐵 , 羅德里克C.摩斯里
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C14/5826 , C23C14/14 , C23C14/586 , C23C16/06 , C23C16/56 , H01L21/76843 , H01L21/76856 , H01L21/76876 , H01L21/76877
摘要：本發明提供一方法來製程在沈積鋁之前，具有暴露於外的鈦以及／或是矽表面之基材。此基材放置於鄰近提供有氮電漿之製程區域，因而基材上鈦和矽之暴露表面為氮所填塞而分別形成氮化鈦(TiN)及各種矽和氮之化合物(SivxNvy)。氮處理過的表面，也就是TiN和矽/氮化合物，對與鋁之反應有阻絕性。以此方式，電絕緣之TiA13的形成以及／或是矽穿刺可減低或消除。
简体摘要：本发明提供一方法来制程在沉积铝之前，具有暴露于外的钛以及／或是硅表面之基材。此基材放置于邻近提供有氮等离子之制程区域，因而基材上钛和硅之暴露表面为氮所填塞而分别形成氮化钛(TiN)及各种硅和氮之化合物(SivxNvy)。氮处理过的表面，也就是TiN和硅/氮化合物，对与铝之反应有阻绝性。以此方式，电绝缘之TiA13的形成以及／或是硅穿刺可减低或消除。

5. 发明专利

TW374954B 利用超薄成核結晶層之併合的CVD/PVD鋁平面化失效
简体标题：利用超薄成核结晶层之并合的CVD/PVD铝平面化
公开(公告)号：TW374954B
公开(公告)日：1999-11-21
申请号：TW087105384
申请日：1998-04-09
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：陳良毓 , 梅赫爾.納克 , 郭鐵 , 羅德里克C.摩斯里
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28556 , H01J37/32082 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76871 , H01L21/76876 , H01L21/76877
摘要：本發明提供一方法和裝置來形成內連線於具有高深寬比之微小構形尺寸(例如1/4微米寬度)的應用中。一般而言，本發明提供一方法及裝置來沈積潤溼層作為接下來填塞內連線之物理氣相沈積之用。在本發明之一特徵中，此潤溼層為一使用CVD技術或電鍍沈積之金屬層，例如CVD鋁(Al)。此潤濕層用表示為ˍ層，作為成核結晶層之超薄層來成核結晶。此ˍ層最好包含像是Ti、TiN、Al、Ti/TiN、Ta、TaN、Cu、TDMAT或類似之物之物質。此ˍ層可用 PVD或CVD技術沈積，最好是PVD技術以改善薄膜品質以及構形中之晶體方向性。與一般想法相反，此ˍ層為非連續的來成核結晶於其之上的CVD潤溼層的生長。一PVD金屬接著沈積於潤溼層上於低溫以填塞內連線。
简体摘要：本发明提供一方法和设备来形成内连接于具有高深宽比之微小构形尺寸(例如1/4微米宽度)的应用中。一般而言，本发明提供一方法及设备来沉积润湿层作为接下来填塞内连接之物理气相沉积之用。在本发明之一特征中，此润湿层为一使用CVD技术或电镀沉积之金属层，例如CVD铝(Al)。此润湿层用表示为ˍ层，作为成核结晶层之超薄层来成核结晶。此ˍ层最好包含像是Ti、TiN、Al、Ti/TiN、Ta、TaN、Cu、TDMAT或类似之物之物质。此ˍ层可用 PVD或CVD技术沉积，最好是PVD技术以改善薄膜品质以及构形中之晶体方向性。与一般想法相反，此ˍ层为非连续的来成核结晶于其之上的CVD润湿层的生长。一PVD金属接着沉积于润湿层上于低温以填塞内连接。

6. 发明专利

TWI327742B 可展現較均勻沉積及降低旋轉不對稱性的多軌道磁電管 MULTI-TRACK MAGNETRON EXHIBITING MORE UNIFORM DEPOSITION AND REDUCED ROTATIONAL ASYMMETRY 有权
简体标题：可展现较均匀沉积及降低旋转不对称性的多轨道磁电管 MULTI-TRACK MAGNETRON EXHIBITING MORE UNIFORM DEPOSITION AND REDUCED ROTATIONAL ASYMMETRY
公开(公告)号：TWI327742B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：TW094147771
申请日：2005-12-30
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：楊宏S , 龔則敬 , 雷建新 , 郭鐵
IPC分类号： H01J , C23C
CPC分类号： H01J37/3408 , H01J37/3405
摘要：一種多軌道磁電管，其具有一迴旋形狀且不對稱於它所圍繞旋轉的標靶中心(14)。一電漿軌道(166)被形成為一介於相反的內磁極(162)與外磁極(164)之間的閉合迴圈，最好是被形成為兩圈或三圈(其係被徑向地安排且被形成為螺旋形狀)相關於該標靶中心之反方向延伸的軌道，且最好是通過該旋轉軸。磁極形狀可被最佳化用以產生一遵守L＝arn函數之累計的(cumulative)軌道長度分佈。在使用電腦的最佳化之數次迭代(iteration)之後，該磁極形狀可用在製造好的磁極部件中之不同的磁鐵分佈來測試濺鍍均勻性。如果該均勻性仍然不令人滿意的話，則用不同的n值，不同的軌道數目，或不同的磁極寬度來重復該設計迭代。該最佳化減小了方位角的側壁不對稱性，並改善了徑向沉積均勻性。
简体摘要：一种多轨道磁电管，其具有一回旋形状且不对称于它所围绕旋转的标靶中心(14)。一等离子轨道(166)被形成为一介于相反的内磁极(162)与外磁极(164)之间的闭合循环，最好是被形成为两圈或三圈(其系被径向地安排且被形成为螺旋形状)相关于该标靶中心之反方向延伸的轨道，且最好是通过该旋转轴。磁极形状可被最优化用以产生一遵守L＝arn函数之累计的(cumulative)轨道长度分布。在使用电脑的最优化之数次迭代(iteration)之后，该磁极形状可用在制造好的磁极部件中之不同的磁铁分布来测试溅镀均匀性。如果该均匀性仍然不令人满意的话，则用不同的n值，不同的轨道数目，或不同的磁极宽度来重复该设计迭代。该最优化减小了方位角的侧壁不对称性，并改善了径向沉积均匀性。

7. 发明专利

TW426965B 低溫集成之通孔及溝槽的充填方法與設備失效
简体标题：低温集成之通孔及沟槽的充填方法与设备
公开(公告)号：TW426965B
公开(公告)日：2001-03-21
申请号：TW087100672
申请日：1998-01-19
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：陳良毓 , 諾德瑞克葛若各摩斯利 , 陳福盛 , 陶容 , 郭鐵
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76877
摘要：本案大致關係於一種改良製程，用以提供完整之通孔填充於基底之上及金屬層之平坦化以形成連續無孔洞接點或通孔於次半微米(sub-half micron)應用中。於本發明之一態樣中，一耐火層被沉積於基底，該基底具有高寬高比接點或通孔形成於其上。一化學氣相沉積(CVD)金屬層，例如CVD鋁或CVD銅於低溫被沉積於耐火層上，以提供一保角濕潤層給物理氣相沉積(PVD)銅。再者，一PVD銅被沉積於先前形成之CVD銅層上，以一低於該金屬之熔點溫度為低之溫度。所得之CVD/PVD銅層是實際無孔洞。該金屬化製程是較佳於一整合處理系統中執行，該系統包含PVD及CVD處理室，使得一旦基底被引入一真空環境中，通孔及接點之金屬化發生而在CVD銅層上沒有氧化物層被形成。本發明之通孔填充製程是成功地於CVD銅及PVD銅步驟間之曝氣完成。
简体摘要：本案大致关系于一种改良制程，用以提供完整之通孔填充于基底之上及金属层之平坦化以形成连续无孔洞接点或通孔于次半微米(sub-half micron)应用中。于本发明之一态样中，一耐火层被沉积于基底，该基底具有高宽高比接点或通孔形成于其上。一化学气相沉积(CVD)金属层，例如CVD铝或CVD铜于低温被沉积于耐火层上，以提供一保角湿润层给物理气相沉积(PVD)铜。再者，一PVD铜被沉积于先前形成之CVD铜层上，以一低于该金属之熔点温度为低之温度。所得之CVD/PVD铜层是实际无孔洞。该金属化制程是较佳于一集成处理系统中运行，该系统包含PVD及CVD处理室，使得一旦基底被引入一真空环境中，通孔及接点之金属化发生而在CVD铜层上没有氧化物层被形成。本发明之通孔填充制程是成功地于CVD铜及PVD铜步骤间之曝气完成。

8. 发明专利

TWI512125B 具有增長使用壽命及濺射均勻度的濺射靶材有权
简体标题：具有增长使用寿命及溅射均匀度的溅射靶材
公开(公告)号：TWI512125B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW097122714
申请日：2008-06-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：艾倫阿道夫米勒 , ALLEN, ADOLPH MILLER , 尹奇煥 , YOON, KI HWAN , 郭鐵 , GUO, TED , 楊宏S , YANG, HONG S. , 余善和 , YU, SANG-HO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3407 , H01J37/3423 , H01J37/3435

9. 发明专利

TW466737B 以銅線為內連結通路之完全平面化雙層達馬新金屬化法及選擇性CVD鋁插塞失效
简体标题：以铜线为内链接通路之完全平面化双层达马新金属化法及选择性CVD铝插塞
公开(公告)号：TW466737B
公开(公告)日：2001-12-01
申请号：TW086119967
申请日：1997-12-30
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：陳良毓 , 郭鐵 , 羅德里克C.摩斯里 , 陳福盛
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28562 , H01L21/76879
摘要：本發明係提供一種通常形成高整合度內連通的金屬化方法。定詳之，本發明係提供一種將充以阻擋層裡所形成之金屬線（尤以銅為較佳）之選擇性化學蒸氣沉積法鋁（CVD A1）通道合併的雙達馬新內連通模組。本發明的優點如下：(l)銅線具有比鋁更低的阻抗(導電導電性較大)和更大的抗電移性，(2)在銅線和包圍的介電材料之間有一阻擋層，(3)無孔隙、次半微米選擇性CVD金屬通道插塞，和(4)處理步驟次數降低。
简体摘要：本发明系提供一种通常形成高集成度内连通的金属化方法。定详之，本发明系提供一种将充以阻挡层里所形成之金属线（尤以铜为较佳）之选择性化学蒸气沉积法铝（CVD A1）信道合并的双达马新内连通模块。本发明的优点如下：(l)铜线具有比铝更低的阻抗(导电导电性较大)和更大的抗电移性，(2)在铜线和包围的介电材料之间有一阻挡层，(3)无孔隙、次半微米选择性CVD金属信道插塞，和(4)处理步骤次数降低。

10. 发明专利

TW452959B 利用化學氣相沈積鋁與物理氣相沉積鋁整合之孔洞填充設備與方法失效
简体标题：利用化学气相沉积铝与物理气相沉积铝集成之孔洞填充设备与方法
公开(公告)号：TW452959B
公开(公告)日：2001-09-01
申请号：TW087119680
申请日：1998-11-26
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：郭鐵 , 施偉 , 陳良毓
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76882
摘要：本發明提供填滿基材上之開孔的方法，該方法是在基材上沉積足夠厚度的金屬薄膜以填滿深次微米之開孔，接著基材於低壓反應室中回火，其溫度在沉積薄膜金屬的熔點以下。本發明更進一步提供，在無孔洞的開孔上形成一層平坦化的薄膜，其過程是在回火的薄膜上，以物理氣相沉積一層金屬薄膜。
简体摘要：本发明提供填满基材上之开孔的方法，该方法是在基材上沉积足够厚度的金属薄膜以填满深次微米之开孔，接着基材于低压反应室中回火，其温度在沉积薄膜金属的熔点以下。本发明更进一步提供，在无孔洞的开孔上形成一层平坦化的薄膜，其过程是在回火的薄膜上，以物理气相沉积一层金属薄膜。

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