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1. 发明专利

TWI466186B 消除感應耦合電漿反應器中之Ｍ形蝕刻速率分佈之方法有权
简体标题：消除感应耦合等离子反应器中之Ｍ形蚀刻速率分布之方法
公开(公告)号：TWI466186B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW097115107
申请日：2008-04-24
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：尤史帝芬 , YUEN, STEPHEN , 李慶泰 , LEE, KYEONG-TAE , 托多羅瓦倫汀 , TODOROW, VALENTIN , 金泰元 , KIM, TAE WON , 阿尼舒爾可罕 , KHAN, ANISUL , 戴希繆克沙珊克 , DESHMUKH, SHASHANK
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/321

2. 发明专利

TWI397612B 用於回復陽極電鍍室部件之溼式清潔處理失效
简体标题：用于回复阳极电镀室部件之湿式清洁处理
公开(公告)号：TWI397612B
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW097132767
申请日：2008-08-27
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫語南 , SUN, JENNIFER Y. , 薩奇山恩 , THACH, SENH , 周溪 , ZHU, XI , 徐理 , XU, LI , 阿尼舒爾可罕 , KHAN, ANISUL
IPC分类号： C23G5/00 , C23G1/12
CPC分类号： C23C16/4407 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D11/0047 , C11D11/0064

3. 发明专利

TW561200B 以含氟氣體混合物電漿蝕刻矽之方法有权
简体标题：以含氟气体混合物等离子蚀刻硅之方法
公开(公告)号：TW561200B
公开(公告)日：2003-11-11
申请号：TW089103518
申请日：2000-02-29
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：阿尼舒爾可罕 , 卓肯波德雷斯尼克 , 金南憲 , 李金
IPC分类号： C23F
摘要：一種使用電漿蝕刻矽之方法，其電漿係由包含：氟(F)、氧(O)、氫(H)及碳(C)之氣體所產生。
简体摘要：一种使用等离子蚀刻硅之方法，其等离子系由包含：氟(F)、氧(O)、氢(H)及碳(C)之气体所产生。

4. 发明专利

TW559876B 切削半導體晶圓之方法及設備有权
简体标题：切削半导体晶圆之方法及设备
公开(公告)号：TW559876B
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW091122435
申请日：2002-09-27
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：亞傑庫瑪 , 巴瑪潘尼C 納藍 , 阿尼舒爾可罕 , 卓肯V 波德雷斯尼克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/304 , H01L21/78
摘要：利用電漿蝕刻製程來切削半導體晶圓的方法和設備此方法由施加一圖案化罩幕至一晶圓上之積體電路開始。該圖案覆蓋該電路並且露出晶粒(dice)之間的縫隙(street)。接著，該方法沈積一均勻的膠黏材料層在一載體晶圓上。欲切削的晶圓藉由膠黏材料固定在載體晶圓上，該膠黏材料夾在該欲切削晶圓的底面和該載體晶圓的上表面之間。該載體晶圓、膠黏材料和欲切削晶圓之結合組件被安置在能夠蝕刻矽的蝕刻反應器中。當反應氣體被施加至該結合組件時，蝕刻電漿會消耗位在該等縫隙中之未受保護的矽並且切削該晶圓成為個別的積體電路晶片。該載體晶圓然後從蝕刻腔室移除，但晶粒仍然附著在該膠黏層上。一習知的製程被用來移除該膠黏材料以及任何罩幕材料並將晶粒從該載體晶圓分離。
简体摘要：利用等离子蚀刻制程来切削半导体晶圆的方法和设备此方法由施加一图案化罩幕至一晶圆上之集成电路开始。该图案覆盖该电路并且露出晶粒(dice)之间的缝隙(street)。接着，该方法沉积一均匀的胶黏材料层在一载体晶圆上。欲切削的晶圆借由胶黏材料固定在载体晶圆上，该胶黏材料夹在该欲切削晶圆的底面和该载体晶圆的上表面之间。该载体晶圆、胶黏材料和欲切削晶圆之结合组件被安置在能够蚀刻硅的蚀刻反应器中。当反应气体被施加至该结合组件时，蚀刻等离子会消耗位在该等缝隙中之未受保护的硅并且切削该晶圆成为个别的集成电路芯片。该载体晶圆然后从蚀刻腔室移除，但晶粒仍然附着在该胶黏层上。一习知的制程被用来移除该胶黏材料以及任何罩幕材料并将晶粒从该载体晶圆分离。

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