专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI441794B 在半導體處理設備上塗佈含釔塗層的方法有权
简体标题：在半导体处理设备上涂布含钇涂层的方法
公开(公告)号：TWI441794B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW097129360
申请日：2008-08-01
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫語南 , SUN, JENNIFER Y. , 段仁官 , DUAN, RENGUAN , 葛瑞夫斯湯瑪斯 , GRAVES, THOMAS , 賀小明 , HE, XIAOMING , 元洁 , YUAN, JIE , 柯林斯肯尼士S , COLLINS, KENNETH S. , 薩奇山恩 , THACH, SENH , 鄧斯特吉姆 , DEMPSTER, JIM , 徐理 , XU, LI
IPC分类号： C04B35/50 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C28/042 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C16/4404

2. 发明专利

TWI562205B 減小曝露於含鹵素電漿下之表面腐蝕速率的方法與設備有权
简体标题：减小曝露于含卤素等离子下之表面腐蚀速率的方法与设备
公开(公告)号：TWI562205B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW103132298
申请日：2007-07-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫珍妮佛Y , SUN, JENNIFER Y. , 段仁官 , DUAN, REN-GUAN , 元洁 , YUAN, JIE , 徐力 , XU, LI , 柯林肯尼S , COLLINS, KENNETH S.
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/30
CPC分类号： C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32495

3. 发明专利

TWI461572B 具有氧化塗層之抗腐蝕、含釔金屬的電漿腔室部件有权
简体标题：具有氧化涂层之抗腐蚀、含钇金属的等离子腔室部件
公开(公告)号：TWI461572B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW097149445
申请日：2008-12-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫語南 , SUN, JENNIFER, Y. , 徐力 , XU, LI , 柯林肯尼S , COLLINS, KENNETH S. , 葛瑞夫斯湯瑪斯 , GRAVES, THOMAS , 段仁官 , DUAN, REN-GUAN , 薩奇山恩 , THACH, SENH
IPC分类号： C23C4/10
CPC分类号： C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32477

4. 发明专利

TWI455820B 可抵抗還原電漿的含釔陶瓷塗層有权
简体标题：可抵抗还原等离子的含钇陶瓷涂层
公开(公告)号：TWI455820B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW098106006
申请日：2009-02-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫語南 , SUN, JENNIFER Y. , 賀小明 , HE, XIAOMING , 柯林斯肯尼士S , COLLINS, KENNETH S. , 葛瑞夫斯湯瑪斯 , GRAVES, THOMAS , 薩奇山恩 , THACH, SENH , 元洁 , YUAN, JIE , 徐力 , XU, LI , 段仁官 , DUAN, REN-GUAN
IPC分类号： B32B15/04 , C23C4/10 , C04B35/505 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C4/11 , Y10T428/24355 , Y10T428/24997

5. 发明专利

TWI441235B 用以連結腔室組件的自我鈍化抗電漿材料失效
简体标题：用以链接腔室组件的自我钝化抗等离子材料
公开(公告)号：TWI441235B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：TW100111614
申请日：2007-08-01
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫珍妮佛Y , SUN, JENNIFER Y. , 徐理 , XU, LI , 薩奇山恩 , THACH, SENH , 麥克唐諾凱利A , MCDONOUGH, KELLY A. , 克拉克羅伯史考特 , CLARK, ROBERT SCOTT
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/4409 , H01J37/32467

6. 发明专利

TW201602051A 減小曝露於含鹵素電漿下之表面腐蝕速率的方法與設備审中-公开
简体标题：减小曝露于含卤素等离子下之表面腐蚀速率的方法与设备
公开(公告)号：TW201602051A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104122059
申请日：2007-07-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫珍妮佛Y , SUN, JENNIFER Y. , 段仁官 , DUAN, REN-GUAN , 元洁 , YUAN, JIE , 徐力 , XU, LI , 柯林肯尼S , COLLINS, KENNETH S.
IPC分类号： C04B35/486 , C04B35/505 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32495
摘要：本發明提供了一種對於半導體處理中使用的含鹵素電漿具抗腐蝕性的陶瓷物件。該陶瓷物件包括典型地包括兩相至三相的多相陶瓷。在第一實施例中，該陶瓷係由以下成分形成：莫耳濃度介於約50mole%(莫耳百分比)~約75mole%的氧化釔；莫耳濃度介於約10mole%~約30mole%的氧化鋯；以及至少一其他成分，該成分係選自由氧化鋁、氧化鉿、氧化鈧、氧化釹、氧化鈮、氧化釤、氧化鐿、氧化鉺、氧化鈰及其組合所組成之群組，且該至少一其他成分之濃度係介於約10mole%~約30mole%。在第二實施例中，陶瓷物件包括一陶瓷，其係由以下成分形成：莫耳濃度介於約90mole%~約70mole%的氧化釔，以及莫耳濃度介於約10mole%~約30mole%的氧化鋯，其中所述陶瓷的平均晶粒尺寸係介於約2μm~約8μm。在第三實施例中，該陶瓷物件係包括由莫耳濃度介於約96mole%~約94mole%的氧化鋯，以及莫耳濃度介於約4mole%~約6mole%的氧化釔所形成的陶瓷。
简体摘要：本发明提供了一种对于半导体处理中使用的含卤素等离子具抗腐蚀性的陶瓷对象。该陶瓷对象包括典型地包括两相至三相的多相陶瓷。在第一实施例中，该陶瓷系由以下成分形成：莫耳浓度介于约50mole%(莫耳百分比)~约75mole%的氧化钇；莫耳浓度介于约10mole%~约30mole%的氧化锆；以及至少一其他成分，该成分系选自由氧化铝、氧化铪、氧化钪、氧化钕、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及其组合所组成之群组，且该至少一其他成分之浓度系介于约10mole%~约30mole%。在第二实施例中，陶瓷对象包括一陶瓷，其系由以下成分形成：莫耳浓度介于约90mole%~约70mole%的氧化钇，以及莫耳浓度介于约10mole%~约30mole%的氧化锆，其中所述陶瓷的平均晶粒尺寸系介于约2μm~约8μm。在第三实施例中，该陶瓷对象系包括由莫耳浓度介于约96mole%~约94mole%的氧化锆，以及莫耳浓度介于约4mole%~约6mole%的氧化钇所形成的陶瓷。

7. 发明专利

TW201503238A 減小曝露於含鹵素電漿下之表面腐蝕速率的方法與設備审中-公开
简体标题：减小曝露于含卤素等离子下之表面腐蚀速率的方法与设备
公开(公告)号：TW201503238A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103132298
申请日：2007-07-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫珍妮佛Y , SUN, JENNIFER Y. , 段仁官 , DUAN, REN-GUAN , 元洁 , YUAN, JIE , 徐力 , XU, LI , 柯林肯尼S , COLLINS, KENNETH S.
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/30
CPC分类号： C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32495
摘要：本發明提供了一種對於半導體處理中使用的含鹵素電漿具抗腐蝕性的陶瓷物件。該陶瓷物件包括典型地包括兩相至三相的多相陶瓷。在第一實施例中，該陶瓷係由以下成分形成：莫耳濃度介於約50mole%(莫耳百分比)~約75mole%的氧化釔；莫耳濃度介於約10mole%~約30mole%的氧化鋯；以及至少一其他成分，該成分係選自由氧化鋁、氧化鉿、氧化鈧、氧化釹、氧化鈮、氧化釤、氧化鐿、氧化鉺、氧化鈰及其組合所組成之群組，且該至少一其他成分之濃度係介於約10mole%~約30mole%。在第二實施例中，陶瓷物件包括一陶瓷，其係由以下成分形成：莫耳濃度介於約90mole%~約70mole%的氧化釔，以及莫耳濃度介於約10mole%~約30mole%的氧化鋯，其中所述陶瓷的平均晶粒尺寸係介於約2μm~約8μm。在第三實施例中，該陶瓷物件係包括由莫耳濃度介於約96mole%~約94mole%的氧化鋯，以及莫耳濃度介於約4mole%~約6mole%的氧化釔所形成的陶瓷。
简体摘要：本发明提供了一种对于半导体处理中使用的含卤素等离子具抗腐蚀性的陶瓷对象。该陶瓷对象包括典型地包括两相至三相的多相陶瓷。在第一实施例中，该陶瓷系由以下成分形成：莫耳浓度介于约50mole%(莫耳百分比)~约75mole%的氧化钇；莫耳浓度介于约10mole%~约30mole%的氧化锆；以及至少一其他成分，该成分系选自由氧化铝、氧化铪、氧化钪、氧化钕、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及其组合所组成之群组，且该至少一其他成分之浓度系介于约10mole%~约30mole%。在第二实施例中，陶瓷对象包括一陶瓷，其系由以下成分形成：莫耳浓度介于约90mole%~约70mole%的氧化钇，以及莫耳浓度介于约10mole%~约30mole%的氧化锆，其中所述陶瓷的平均晶粒尺寸系介于约2μm~约8μm。在第三实施例中，该陶瓷对象系包括由莫耳浓度介于约96mole%~约94mole%的氧化锆，以及莫耳浓度介于约4mole%~约6mole%的氧化钇所形成的陶瓷。

8. 发明专利

TWI567793B 減小曝露於含鹵素電漿下之表面腐蝕速率的設備有权
简体标题：减小曝露于含卤素等离子下之表面腐蚀速率的设备
公开(公告)号：TWI567793B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW103132299
申请日：2007-07-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫珍妮佛Y , SUN, JENNIFER Y. , 段仁官 , DUAN, REN-GUAN , 元洁 , YUAN, JIE , 徐力 , XU, LI , 柯林肯尼S , COLLINS, KENNETH S.
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/30
CPC分类号： C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32495

9. 发明专利

TWI483291B 減小曝露於含鹵素電漿下之表面腐蝕速率的方法與設備有权
简体标题：减小曝露于含卤素等离子下之表面腐蚀速率的方法与设备
公开(公告)号：TWI483291B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW100117999
申请日：2007-07-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫珍妮佛Y , SUN, JENNIFER Y. , 段仁官 , DUAN, REN-GUAN , 元洁 , YUAN, JIE , 徐力 , XU, LI , 柯林肯尼S , COLLINS, KENNETH S.
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/30
CPC分类号： C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32495

10. 发明专利

TW201503239A 減小曝露於含鹵素電漿下之表面腐蝕速率的方法與設備审中-公开
简体标题：减小曝露于含卤素等离子下之表面腐蚀速率的方法与设备
公开(公告)号：TW201503239A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103132299
申请日：2007-07-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫珍妮佛Y , SUN, JENNIFER Y. , 段仁官 , DUAN, REN-GUAN , 元洁 , YUAN, JIE , 徐力 , XU, LI , 柯林肯尼S , COLLINS, KENNETH S.
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/30
CPC分类号： C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32495
摘要：本發明提供了一種對於半導體處理中使用的含鹵素電漿具抗腐蝕性的陶瓷物件。該陶瓷物件包括典型地包括兩相至三相的多相陶瓷。在第一實施例中，該陶瓷係由以下成分形成：莫耳濃度介於約50mole%(莫耳百分比)~約75mole%的氧化釔；莫耳濃度介於約10mole%~約30mole%的氧化鋯；以及至少一其他成分，該成分係選自由氧化鋁、氧化鉿、氧化鈧、氧化釹、氧化鈮、氧化釤、氧化鐿、氧化鉺、氧化鈰及其組合所組成之群組，且該至少一其他成分之濃度係介於約10mole%~約30mole%。在第二實施例中，陶瓷物件包括一陶瓷，其係由以下成分形成：莫耳濃度介於約90mole%~約70mole%的氧化釔，以及莫耳濃度介於約10mole%~約30mole%的氧化鋯，其中所述陶瓷的平均晶粒尺寸係介於約2μm~約8μm。在第三實施例中，該陶瓷物件係包括由莫耳濃度介於約96mole%~約94mole%的氧化鋯，以及莫耳濃度介於約4mole%~約6mole%的氧化釔所形成的陶瓷。
简体摘要：本发明提供了一种对于半导体处理中使用的含卤素等离子具抗腐蚀性的陶瓷对象。该陶瓷对象包括典型地包括两相至三相的多相陶瓷。在第一实施例中，该陶瓷系由以下成分形成：莫耳浓度介于约50mole%(莫耳百分比)~约75mole%的氧化钇；莫耳浓度介于约10mole%~约30mole%的氧化锆；以及至少一其他成分，该成分系选自由氧化铝、氧化铪、氧化钪、氧化钕、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及其组合所组成之群组，且该至少一其他成分之浓度系介于约10mole%~约30mole%。在第二实施例中，陶瓷对象包括一陶瓷，其系由以下成分形成：莫耳浓度介于约90mole%~约70mole%的氧化钇，以及莫耳浓度介于约10mole%~约30mole%的氧化锆，其中所述陶瓷的平均晶粒尺寸系介于约2μm~约8μm。在第三实施例中，该陶瓷对象系包括由莫耳浓度介于约96mole%~约94mole%的氧化锆，以及莫耳浓度介于约4mole%~约6mole%的氧化钇所形成的陶瓷。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式