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1. 发明专利

TWI628730B 透過雷射繞射測量3D半導體結構之溫度的設備及方法有权
简体标题：透过激光绕射测量3D半导体结构之温度的设备及方法
公开(公告)号：TWI628730B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106113014
申请日：2012-11-06
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：羅吉斯馬修史考特 , ROGERS,MATTHEW SCOTT , 杭特亞倫穆爾 , HUNTER,AARON MUIR , 莫非特史帝夫 , MOFFATT,STEPHEN , 潘恒 , PAN,HENG
IPC分类号： H01L21/67 , G01K11/00 , G01K13/00

2. 发明专利

TWI585880B 透過雷射繞射測量３Ｄ半導體結構之溫度的設備及方法有权
简体标题：透过激光绕射测量３Ｄ半导体结构之温度的设备及方法
公开(公告)号：TWI585880B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW101141179
申请日：2012-11-06
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：羅吉斯馬修史考特 , ROGERS, MATTHEW SCOTT , 杭特亞倫穆爾 , HUNTER, AARON MUIR , 莫非特史帝夫 , MOFFATT, STEPHEN , 潘恒 , PAN, HENG
IPC分类号： H01L21/67 , G01K11/00 , G01K13/00
CPC分类号： G01J5/08 , G01J5/0007 , G01J5/0803 , G01J2005/0074 , G01J2005/0077

3. 发明专利

TWI420674B 氮化矽與氧氮化矽的電漿處理失效
简体标题：氮化硅与氧氮化硅的等离子处理
公开(公告)号：TWI420674B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW101101972
申请日：2012-01-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：羅吉斯馬修史考特 , ROGERS, MATTHEW SCOTT
IPC分类号： H01L29/788 , H01L21/335 , H01L21/31 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/28273

4. 发明专利

TWI538021B 浮閘及其形成方法有权
简体标题：浮闸及其形成方法
公开(公告)号：TWI538021B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW100127094
申请日：2011-07-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：羅吉斯馬修史考特 , ROGERS, MATTHEW SCOTT , 陳柏達 , CHEN, PO TA , 湯靜 , TANG, JING
IPC分类号： H01L21/28 , H01L27/115
CPC分类号： H01L21/28273 , H01L21/31116 , H01L21/32105 , H01L21/3211 , H01L21/32137 , H01L27/11521 , H01L29/42324

5. 发明专利

TWI521573B 單步驟選擇性氮化方法與設備有权
简体标题：单步骤选择性氮化方法与设备
公开(公告)号：TWI521573B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW100106719
申请日：2011-03-01
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：甘古力尤達炎 , GANGULY, UDAYAN , 瓜立尼泰瑞莎克拉莫 , GUARINI, THERESA KRAMER , 羅吉斯馬修史考特 , ROGERS, MATTHEW SCOTT , 橫田義孝 , YOKOTA, YOSHITAKA , 史文保喬哈那斯S , SWENBERG, JOHANES S. , 畢凡麥爾肯J , BEVAN, MALCOLM J.
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/02247 , H01L21/02362 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/7881

6. 发明专利

TW201732985A 透過雷射繞射測量3D半導體結構之溫度的設備及方法审中-公开
简体标题：透过激光绕射测量3D半导体结构之温度的设备及方法
公开(公告)号：TW201732985A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106113014
申请日：2012-11-06
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：羅吉斯馬修史考特 , ROGERS,MATTHEW SCOTT , 杭特亞倫穆爾 , HUNTER,AARON MUIR , 莫非特史帝夫 , MOFFATT,STEPHEN , 潘恒 , PAN,HENG
IPC分类号： H01L21/67 , G01K11/00 , G01K13/00
CPC分类号： G01J5/08 , G01J5/0007 , G01J5/0803 , G01J2005/0074 , G01J2005/0077
摘要：本發明之實施例大致上關於用以測量及監控基板之溫度之設備及方法，該基板上具有三維(3D)特徵結構。設備包含光源、聚焦透鏡及輻射率計，該光源用以照射基板，該基板上具有3D特徵結構，該聚焦透鏡用以聚集且聚焦反射光，該輻射率計用以偵測該聚焦反射光之輻射率。設備亦包含光束分光器及成像裝置。成像裝置提供反射光之繞射圖案之放大影像。方法包含以光照射基板，該基板上具有3D特徵結構，且以聚焦透鏡聚焦反射光。然後聚焦光導向感測器且測量基板之輻射率。反射光亦入射成像裝置，以產生反射光之繞射圖案之放大影像。
简体摘要：本发明之实施例大致上关于用以测量及监控基板之温度之设备及方法，该基板上具有三维(3D)特征结构。设备包含光源、聚焦透镜及辐射率计，该光源用以照射基板，该基板上具有3D特征结构，该聚焦透镜用以聚集且聚焦反射光，该辐射率计用以侦测该聚焦反射光之辐射率。设备亦包含光束分光器及成像设备。成像设备提供反射光之绕射图案之放大影像。方法包含以光照射基板，该基板上具有3D特征结构，且以聚焦透镜聚焦反射光。然后聚焦光导向传感器且测量基板之辐射率。反射光亦入射成像设备，以产生反射光之绕射图案之放大影像。

7. 发明专利

TWI527928B 多區電漿生成之方法及設備有权
简体标题：多区等离子生成之方法及设备
公开(公告)号：TWI527928B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW100127099
申请日：2011-07-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：羅吉斯馬修史考特 , ROGERS, MATTHEW SCOTT , 華仲強 , HUA, ZHONG QIANG , 奧森克里斯多夫S , OLSEN, CHRISTOPHER S.
IPC分类号： C23C16/505 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/513 , C23C16/45565 , C23C16/4584 , C23C16/481 , C23C16/505 , C23C16/517 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/3244

8. 发明专利

TW201332040A 透過雷射繞射測量３Ｄ半導體結構之溫度的設備及方法审中-公开
简体标题：透过激光绕射测量３Ｄ半导体结构之温度的设备及方法
公开(公告)号：TW201332040A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101141179
申请日：2012-11-06
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：羅吉斯馬修史考特 , ROGERS, MATTHEW SCOTT , 杭特亞倫穆爾 , HUNTER, AARON MUIR , 莫非特史帝夫 , MOFFATT, STEPHEN , 潘恒 , PAN, HENG
IPC分类号： H01L21/67 , G01K11/00 , G01K13/00
CPC分类号： G01J5/08 , G01J5/0007 , G01J5/0803 , G01J2005/0074 , G01J2005/0077
摘要：本發明之實施例大致上關於用以測量及監控基板之溫度之設備及方法，該基板上具有三維(3D)特徵結構。設備包含光源、聚焦透鏡及輻射率計，該光源用以照射基板，該基板上具有3D特徵結構，該聚焦透鏡用以聚集且聚焦反射光，該輻射率計用以偵測該聚焦反射光之輻射率。設備亦包含光束分光器及成像裝置。成像裝置提供反射光之繞射圖案之放大影像。方法包含以光照射基板，該基板上具有3D特徵結構，且以聚焦透鏡聚焦反射光。然後聚焦光導向感測器且測量基板之輻射率。反射光亦入射成像裝置，以產生反射光之繞射圖案之放大影像。
简体摘要：本发明之实施例大致上关于用以测量及监控基板之温度之设备及方法，该基板上具有三维(3D)特征结构。设备包含光源、聚焦透镜及辐射率计，该光源用以照射基板，该基板上具有3D特征结构，该聚焦透镜用以聚集且聚焦反射光，该辐射率计用以侦测该聚焦反射光之辐射率。设备亦包含光束分光器及成像设备。成像设备提供反射光之绕射图案之放大影像。方法包含以光照射基板，该基板上具有3D特征结构，且以聚焦透镜聚焦反射光。然后聚焦光导向传感器且测量基板之辐射率。反射光亦入射成像设备，以产生反射光之绕射图案之放大影像。

9. 发明专利

TW201232630A 浮閘及其形成方法 FLOATING GATES AND METHODS OF FORMATION 审中-公开
简体标题：浮闸及其形成方法 FLOATING GATES AND METHODS OF FORMATION
公开(公告)号：TW201232630A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100127094
申请日：2011-07-29
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：羅吉斯馬修史考特 , 陳柏達 , 湯靜
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28273 , H01L21/31116 , H01L21/32105 , H01L21/3211 , H01L21/32137 , H01L27/11521 , H01L29/42324
摘要：本發明大體上係關於一種浮閘結構及形成該浮閘結構之方法。該浮閘結構的上部分比該浮閘結構的中間部分要寬。該上部分可具有喇叭狀、圓化或球根狀形狀,而非尖銳狀或具有尖稜角。減少該上部分的尖銳或銳利特徵結構可降低該上部分附近的電場强度,而降低該上部分附近之電場强度可減少穿過多晶矽間介電質的漏電。該方法包括在該浮閘結構的上表面上形成氮化物蓋,以幫助形成該浮閘。隨後使用多次的選擇性氧化及蝕刻製程而形成該浮閘。
简体摘要：本发明大体上系关于一种浮闸结构及形成该浮闸结构之方法。该浮闸结构的上部分比该浮闸结构的中间部分要宽。该上部分可具有喇叭状、圆化或球根状形状,而非尖锐状或具有尖棱角。减少该上部分的尖锐或锐利特征结构可降低该上部分附近的电场强度,而降低该上部分附近之电场强度可减少穿过多晶硅间介电质的漏电。该方法包括在该浮闸结构的上表面上形成氮化物盖,以帮助形成该浮闸。随后使用多次的选择性氧化及蚀刻制程而形成该浮闸。

10. 发明专利

TW201233843A 多區電漿生成之方法及設備 METHOD AND APPARATUS FOR MULTIZONE PLASMA GENERATION 审中-公开
简体标题：多区等离子生成之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR MULTIZONE PLASMA GENERATION
公开(公告)号：TW201233843A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100127099
申请日：2011-07-29
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：羅吉斯馬修史考特 , 華仲強 , 奧森克里斯多夫S
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/513 , C23C16/45565 , C23C16/4584 , C23C16/481 , C23C16/505 , C23C16/517 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/3244
摘要：本發明之實施例提供了一種電漿處理方法與設備，藉由在既定壓力下控制電漿中離子與自由基的比例而對基板電漿處理，以於基板上和置於基板上之元件上形成薄膜。可維持既定壓力以利用一電漿源促進離子生成，並使用第二電漿源來提供其他自由基。在一實施例中，係於處理區域中生成低壓電漿，並於獨立區域中生成高壓電漿，該處理區域具有位於該處理區域中之基板。來自高壓電漿中的自由基被注入到具有低壓電漿的處理區域中，因而在既定操作壓力下調整自由基對離子的本質分配。所生成之處理與設備可調適離子與自由基之比例，以更良好地控制在高深寬比特徵結構上之薄膜形成，並因而提升角區磨圓、側壁對底部溝槽成長之共形性，以及選擇性成長。
简体摘要：本发明之实施例提供了一种等离子处理方法与设备，借由在既定压力下控制等离子中离子与自由基的比例而对基板等离子处理，以于基板上和置于基板上之组件上形成薄膜。可维持既定压力以利用一等离子源促进离子生成，并使用第二等离子源来提供其他自由基。在一实施例中，系于处理区域中生成低压等离子，并于独立区域中生成高压等离子，该处理区域具有位于该处理区域中之基板。来自高压等离子中的自由基被注入到具有低压等离子的处理区域中，因而在既定操作压力下调整自由基对离子的本质分配。所生成之处理与设备可调适离子与自由基之比例，以更良好地控制在高深宽比特征结构上之薄膜形成，并因而提升角区磨圆、侧壁对底部沟槽成长之共形性，以及选择性成长。

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