专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201338006A 快速反應流體溫度控制系統审中-公开
简体标题：快速反应流体温度控制系统
公开(公告)号：TW201338006A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101138738
申请日：2012-10-19
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：布卻柏格道格拉斯A , BUCHBERGER, DOUGLAS A. , 奈菲爾雪尼 , NEVIL, SHANE , 拉馬斯瓦米卡提克 , RAMASWAMY, KARTIK , 柯林肯尼 , COLLINS, KENNETH , 佛菲爾理查 , FOVELL, RICHARD
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32522 , G05D23/1393 , H01J37/32724
摘要：本發明係關於一種電漿處理設備及一種控制該電漿處理設備中的腔室組件之溫度之方法。處理腔室可包括溫度受控腔室組件及至少一個遠端熱量傳遞流體迴路及本端熱量傳遞流體迴路，該至少一個遠端熱量傳遞流體迴路包含第一熱交換器，該第一熱交換器具有與散熱體或熱源流體連通的初級側，該本端熱量傳遞流體迴路使得腔室組件與第一熱交換器之次級側流體連通。與一或更多個遠端迴路相比，本端迴路可具有顯著更小的流體體積，且本端迴路可經循環以提供均勻溫度之熱負載。可用級聯控制演算法來實施本端迴路中的熱量傳遞流體之溫度控制及腔室組件之溫度控制。
简体摘要：本发明系关于一种等离子处理设备及一种控制该等离子处理设备中的腔室组件之温度之方法。处理腔室可包括温度受控腔室组件及至少一个远程热量传递流体回路及本端热量传递流体回路，该至少一个远程热量传递流体回路包含第一热交换器，该第一热交换器具有与散热体或热源流体连通的初级侧，该本端热量传递流体回路使得腔室组件与第一热交换器之次级侧流体连通。与一或更多个远程回路相比，本端回路可具有显着更小的流体体积，且本端回路可经循环以提供均匀温度之热负载。可用级联控制算法来实施本端回路中的热量传递流体之温度控制及腔室组件之温度控制。

3. 发明专利

TWI490966B 加熱之噴頭組件有权
简体标题：加热之喷头组件
公开(公告)号：TWI490966B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW098100201
申请日：2009-01-06
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：卡杜祺詹姆斯D , CARDUCCI, JAMES D. , 瑞杰門歐嘉 , REGELMAN, OLGA , 貝拉卡羅 , BERA, KALLOL , 布卻柏格道格拉斯A , BUCHBERGER, DOUGLAS A. , 布利哈特保羅 , BRILLHART, PAUL
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/30
CPC分类号： H01J37/3244 , B32B43/00 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45591 , H01J37/32449 , H01J37/32724 , H01J2237/3343 , Y10T29/49815

4. 发明专利

TW201143542A 電漿處理設備之前饋溫度控制 FEEDFORWARD TEMPERATURE CONTROL FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS 审中-公开
简体标题：等离子处理设备之前馈温度控制 FEEDFORWARD TEMPERATURE CONTROL FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW201143542A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW100102356
申请日：2011-01-21
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：馬哈丹瓦瑞思瓦明契單 , 莫利華特 , 修吉瑟吉歐富庫達 , 張春雷 , 帕堤爾央夏維倪 , 尼古言杜依D , 崇堤納 , 奈菲爾雪尼 , 布卻柏格道格拉斯A , 席門瑞費南多 , 梅斯貝德L , 拉馬斯瓦米卡提克 , 挪貝克許哈密
IPC分类号： H05H , H01J
CPC分类号： H01J37/32009 , G05B6/02 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H01J2237/334 , H05H1/0081
摘要：茲提出控制電漿處理腔室中之溫度的方法和系統,其有較短的控制器響應時間及較佳的穩定性。溫度控制至少部分依據前饋控制訊號,前饋控制訊號衍生自輸入處理腔室之電漿功率。補償電漿功率引起之溫度擾動的前饋控制訊號可結合反饋控制訊號,以抵消經測量溫度與期望溫度間的誤差。
简体摘要：兹提出控制等离子处理腔室中之温度的方法和系统,其有较短的控制器响应时间及较佳的稳定性。温度控制至少部分依据前馈控制信号,前馈控制信号衍生自输入处理腔室之等离子功率。补偿等离子功率引起之温度扰动的前馈控制信号可结合反馈控制信号,以抵消经测量温度与期望温度间的误差。

5. 发明专利

TW201215248A 使用脈衝式熱傳流體流動的電漿處理設備中的溫度控制 TEMPERATURE CONTROL IN PLASMA PROCESSING APPARATUS USING PULSED HEAT TRANSFER FLUID FLOW 审中-公开
简体标题：使用脉冲式热传流体流动的等离子处理设备中的温度控制 TEMPERATURE CONTROL IN PLASMA PROCESSING APPARATUS USING PULSED HEAT TRANSFER FLUID FLOW
公开(公告)号：TW201215248A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100120026
申请日：2011-06-08
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：塔法梭利哈米德 , 周逍平 , 奈菲爾雪尼C , 布卻柏格道格拉斯A , 席門瑞費南多M , 梅斯貝德L , 崇堤納 , 馬哈丹瓦瑞思瓦明契單 , 帕堤爾央夏維倪B , 尼古言杜依D , 莫利華特R
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/20 , H01J37/32724 , H01J37/32908 , H01J37/32926 , H01J37/32935 , H01J2237/2001 , H05H1/34
摘要：茲描述透過脈衝式施加加熱功率和脈衝式施加冷卻功率來控制電漿處理腔室溫度的方法和系統。在一實施例中,溫度控制係至少部分依據前饋控制訊號,前饋控制訊號源自輸入處理腔室的電漿功率。在進一步的實施例中,部分利用耦接二儲液槽的鈍化連通管,以維持熱與冷儲液槽各自的液位,儲液槽耦接溫度控制部件。在另一實施例中,隨取決於加熱/冷卻工作循環値和比例循環脈寬,打開數位式熱傳流體流量控制閥,且比例循環具有提供良好溫度控制性能的持續時間。
简体摘要：兹描述透过脉冲式施加加热功率和脉冲式施加冷却功率来控制等离子处理腔室温度的方法和系统。在一实施例中,温度控制系至少部分依据前馈控制信号,前馈控制信号源自输入处理腔室的等离子功率。在进一步的实施例中,部分利用耦接二储液槽的钝化连通管,以维持热与冷储液槽各自的液位,储液槽耦接温度控制部件。在另一实施例中,随取决于加热/冷却工作循环値和比例循环脉宽,打开数码式热传流体流量控制阀,且比例循环具有提供良好温度控制性能的持续时间。

6. 发明专利

TWI333225B 局限電漿與加強流動傳導性之方法與設備 METHOD AND APPARATUS TO CONFINE PLASMA AND TO ENHANCE FLOW CONDUCTANCE 有权
简体标题：局限等离子与加强流动传导性之方法与设备 METHOD AND APPARATUS TO CONFINE PLASMA AND TO ENHANCE FLOW CONDUCTANCE
公开(公告)号：TWI333225B
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：TW095102667
申请日：2006-01-24
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：貝拉卡羅 , 霍夫曼丹尼爾 , 葉雁 , 庫特尼麥可 , 布卻柏格道格拉斯A
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32082 , H01J37/32623 , Y10S156/915
摘要：本發明之實施例係有關於一種將電漿侷限在電漿製程腔體之製程區域內的方法與設備。設備可包含環狀環，其與腔體壁之間具有介於大約0.8英吋與大約1.5英吋之間的間隙距離。除了利用環狀電漿侷限環，在電漿製程期間亦可利用將供給至頂電極的電壓減少一個電壓比率並以負相供給施予頂電極之剩餘電壓於基板支持件與基板(若基板出現在製程期間)以侷限電漿。電壓比率可利用改變基板支持件與環繞頂電極之介電密封墊的阻抗而加以調整。將頂電極電壓降低一個電壓比率以及以負相供給施予頂電極之剩餘電壓至基板支持件上可減少電漿被吸引至接地腔體壁之數量，進而改進電漿侷限。此電漿侷限方法亦稱為阻抗侷限。電漿侷限可利用上述環狀環、阻抗侷限方案或二者之組合而加以改進。
简体摘要：本发明之实施例系有关于一种将等离子局限在等离子制程腔体之制程区域内的方法与设备。设备可包含环状环，其与腔体壁之间具有介于大约0.8英吋与大约1.5英吋之间的间隙距离。除了利用环状等离子局限环，在等离子制程期间亦可利用将供给至顶电极的电压减少一个电压比率并以负相供给施予顶电极之剩余电压于基板支持件与基板(若基板出现在制程期间)以局限等离子。电压比率可利用改变基板支持件与环绕顶电极之介电密封垫的阻抗而加以调整。将顶电极电压降低一个电压比率以及以负相供给施予顶电极之剩余电压至基板支持件上可减少等离子被吸引至接地腔体壁之数量，进而改进等离子局限。此等离子局限方法亦称为阻抗局限。等离子局限可利用上述环状环、阻抗局限方案或二者之组合而加以改进。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式