专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201415570A 在具有資源共享的處理系統中用於處理基板之方法审中-公开
简体标题：在具有资源共享的处理系统中用于处理基板之方法
公开(公告)号：TW201415570A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102143472
申请日：2011-04-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：克魯斯詹姆士P , CRUSE, JAMES P. , 坎特維爾德莫特 , CANTWELL, DERMOT , 徐明 , XU, MING , 哈帝查理斯 , HARDY, CHARLES , 施瓦茲班傑明 , SCHWARZ, BENJAMIN , 柯林斯肯尼士S , COLLINS, KENNETH S. , 蓋葉安德魯恩 , NGUYEN, ANDREW , 隋志峰 , SUI, ZHIFENG , 李伊文斯 , LEE, EVANS
IPC分类号： H01L21/67 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/6719 , H01J37/32899
摘要：茲提供在具有第一與第二處理腔室和共享處理資源之雙室處理系統中處理基板的方法。在一些實施例中，方法包括使製程氣體從共享氣體分配盤流到第一處理腔室之處理容積和第二處理腔室之處理容積；於第一處理容積中，形成第一電漿來處理第一基板、及形成第二電漿來處理第二基板；監視第一處理容積和第二處理容積，以決定任一容積是否達製程終點；以及當達第一終點時，同時終止第一與第二電漿，或者當第一處理容積達第一終點時，終止第一電漿，同時繼續在第二處理容積中提供第二電漿，直到達第二終點為止。
简体摘要：兹提供在具有第一与第二处理腔室和共享处理资源之双室处理系统中处理基板的方法。在一些实施例中，方法包括使制程气体从共享气体分配盘流到第一处理腔室之处理容积和第二处理腔室之处理容积；于第一处理容积中，形成第一等离子来处理第一基板、及形成第二等离子来处理第二基板；监视第一处理容积和第二处理容积，以决定任一容积是否达制程终点；以及当达第一终点时，同时终止第一与第二等离子，或者当第一处理容积达第一终点时，终止第一等离子，同时继续在第二处理容积中提供第二等离子，直到达第二终点为止。

2. 发明专利

TWI487053B 在具有資源共享的處理系統中用於處理基板之方法有权
简体标题：在具有资源共享的处理系统中用于处理基板之方法
公开(公告)号：TWI487053B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW102143472
申请日：2011-04-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：克魯斯詹姆士P , CRUSE, JAMES P. , 坎特維爾德莫特 , CANTWELL, DERMOT , 徐明 , XU, MING , 哈帝查理斯 , HARDY, CHARLES , 施瓦茲班傑明 , SCHWARZ, BENJAMIN , 柯林斯肯尼士S , COLLINS, KENNETH S. , 蓋葉安德魯恩 , NGUYEN, ANDREW , 隋志峰 , SUI, ZHIFENG , 李伊文斯 , LEE, EVANS
IPC分类号： H01L21/67 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/6719 , H01J37/32899

3. 发明专利

TWI434366B 在具有資源共享的處理系統中用於處理基板之方法有权
简体标题：在具有资源共享的处理系统中用于处理基板之方法
公开(公告)号：TWI434366B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW100112699
申请日：2011-04-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：克魯斯詹姆士P , CRUSE, JAMES P. , 坎特維爾德莫特 , CANTWELL, DERMOT , 徐明 , XU, MING , 哈帝查理斯 , HARDY, CHARLES , 施瓦茲班傑明 , SCHWARZ, BENJAMIN , 柯林斯肯尼士S , COLLINS, KENNETH S. , 蓋葉安德魯恩 , NGUYEN, ANDREW , 隋志峰 , SUI, ZHIFENG , 李伊文斯 , LEE, EVANS
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/6719 , H01J37/32899

4. 发明专利

TWI479352B 用於自動驗證半導體製程製作方法之方法及設備有权
简体标题：用于自动验证半导体制程制作方法之方法及设备
公开(公告)号：TWI479352B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW100128569
申请日：2011-08-10
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：哈帝查理斯 , HARDY, CHARLES , 林黎羅傑艾倫 , LINDLEY, ROGER ALAN
IPC分类号： G06F17/50 , G06F19/00
CPC分类号： G06N5/025

5. 发明专利

TWI457843B 監控處理設備之方法及記錄相關指令的電腦可讀取媒體失效
简体标题：监控处理设备之方法及记录相关指令的电脑可读取媒体
公开(公告)号：TWI457843B
公开(公告)日：2014-10-21
申请号：TW100113023
申请日：2011-04-14
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：克魯斯詹姆士P , CRUSE, JAMES P. , 坎特維爾德莫特 , CANTWELL, DERMOT , 萊斯麥可R , RICE, MICHAEL R. , 克利歐托爾斯騰 , KRIL, THORSTEN , 哈帝查理斯 , HARDY, CHARLES
IPC分类号： G06Q10/00 , G05B19/406
CPC分类号： H01L21/67276

6. 发明专利

TW201201310A 在具有資源共享的處理系統中用於處理基板之方法 METHODS FOR PROCESSING SUBSTRATES IN PROCESS SYSTEMS HAVING SHARED RESOURCES 审中-公开
简体标题：在具有资源共享的处理系统中用于处理基板之方法 METHODS FOR PROCESSING SUBSTRATES IN PROCESS SYSTEMS HAVING SHARED RESOURCES
公开(公告)号：TW201201310A
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW100112699
申请日：2011-04-12
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：克魯斯詹姆士P , 坎特維爾德莫特 , 徐明 , 哈帝查理斯 , 施瓦茲班傑明 , 柯林斯肯尼士S , 蓋葉安德魯恩 , 隋志峰 , 李伊文斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6719 , H01J37/32899
摘要：茲提供在具有第一與第二處理腔室和共享處理資源之雙室處理系統中處理基板的方法。在一些實施例中,方法包括使製程氣體從共享氣體分配盤流到第一處理腔室之處理容積和第二處理腔室之處理容積;於第一處理容積中,形成第一電漿來處理第一基板、及形成第二電漿來處理第二基板;監視第一處理容積和第二處理容積,以決定任一容積是否達製程終點;以及當達第一終點時,同時終止第一與第二電漿,或者當第一處理容積達第一終點時,終止第一電漿,同時繼續在第二處理容積中提供第二電漿,直到達第二終點為止。
简体摘要：兹提供在具有第一与第二处理腔室和共享处理资源之双室处理系统中处理基板的方法。在一些实施例中,方法包括使制程气体从共享气体分配盘流到第一处理腔室之处理容积和第二处理腔室之处理容积;于第一处理容积中,形成第一等离子来处理第一基板、及形成第二等离子来处理第二基板;监视第一处理容积和第二处理容积,以决定任一容积是否达制程终点;以及当达第一终点时,同时终止第一与第二等离子,或者当第一处理容积达第一终点时,终止第一等离子,同时继续在第二处理容积中提供第二等离子,直到达第二终点为止。

7. 发明专利

TW201214183A 用於自動驗證半導體製程製作方法之方法及設備 METHOD AND APPARATUS FOR AUTOMATED VALIDATION OF SEMICONDUCTOR PROCESS RECIPES 审中-公开
简体标题：用于自动验证半导体制程制作方法之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR AUTOMATED VALIDATION OF SEMICONDUCTOR PROCESS RECIPES
公开(公告)号：TW201214183A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100128569
申请日：2011-08-10
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：哈帝查理斯 , 林黎羅傑艾倫
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06N5/025
摘要：本文提供了用於自動驗證半導體製程步驟之方法及設備。在一些實例中，一種用於驗證半導體製程製作方法之方法包括以下步驟：選擇規則集，該規則集描述半導體製程工具之操作視窗；核對參數值與該規則集之限制核對規則以產生第一結果，該等參數值係由該半導體製程製作方法步驟定義；使用該規則集之步驟定義規則，根據該半導體製程製作方法之該等步驟決定步驟類型，以產生第二結果；核對該等步驟類型之間的轉變與該規則集之步驟轉變規則，以產生第三結果；以及基於該等第一結果、該等第二結果及該等第三結果，使用該電腦產生驗證資料，以供與該半導體製程工具一起使用該半導體製程製作方法。
简体摘要：本文提供了用于自动验证半导体制程步骤之方法及设备。在一些实例中，一种用于验证半导体制程制作方法之方法包括以下步骤：选择守则集，该守则集描述半导体制程工具之操作窗口；核对参数值与该守则集之限制核对守则以产生第一结果，该等参数值系由该半导体制程制作方法步骤定义；使用该守则集之步骤定义守则，根据该半导体制程制作方法之该等步骤决定步骤类型，以产生第二结果；核对该等步骤类型之间的转变与该守则集之步骤转变守则，以产生第三结果；以及基于该等第一结果、该等第二结果及该等第三结果，使用该电脑产生验证数据，以供与该半导体制程工具一起使用该半导体制程制作方法。

8. 发明专利

TW201203142A 監控處理設備之方法 METHODS FOR MONITORING PROCESSING EQUIPMENT 失效
简体标题：监控处理设备之方法 METHODS FOR MONITORING PROCESSING EQUIPMENT
公开(公告)号：TW201203142A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100113023
申请日：2011-04-14
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：克魯斯詹姆士P , 坎特維爾德莫特 , 萊斯麥可R , 克利歐托爾斯騰 , 哈帝查理斯
IPC分类号： G06Q , G05B
CPC分类号： H01L21/67276
摘要：本案揭示用以監控處理設備之方法。在一些實施例中，一種於處理設備處於閒置狀態持續一段閒置時間時用以監控該處理設備的方法包括：從具有複數個測試項目的選單中選出一項測試，以當該處理設備處於閒置狀態時可在該處理設備上執行該測試，其中該測試具有總運行時間；啟動所選定之測試；當執行所選定之測試時，比較該閒置時間的剩餘閒置時間與該總運行時間的剩餘運行時間；以及回應該比較結果，決定是否在總運行時間完結之前結束所選定之測試。
简体摘要：本案揭示用以监控处理设备之方法。在一些实施例中，一种于处理设备处于闲置状态持续一段闲置时间时用以监控该处理设备的方法包括：从具有复数个测试项目的菜单中选出一项测试，以当该处理设备处于闲置状态时可在该处理设备上运行该测试，其中该测试具有总运行时间；启动所选定之测试；当运行所选定之测试时，比较该闲置时间的剩余闲置时间与该总运行时间的剩余运行时间；以及回应该比较结果，决定是否在总运行时间完结之前结束所选定之测试。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式