基本信息:
- 专利标题： 承載盤支座
- 专利标题（英）：Susceptor support
- 专利标题（中）：承载盘支座
- 申请号：TW106106598 申请日：2017-03-01
- 公开(公告)号：TW201801153A 公开(公告)日：2018-01-01
- 发明人： 柯林斯 理查O , COLLINS, RICHARD O. , 桑契斯 愛羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 卡爾森 大衛K , CARLSON, DAVID K. , 薩米爾 梅莫特圖格魯爾 , SAMIR, MEHMET TUGRUL
- 申请人： 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 李世章; 彭國洋
- 优先权： 62/314,044 20160328;62/337,906 20160518
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205 ; H01L21/683 ; H01L21/687
摘要：
本文所揭示的實施例一般涉及用於在沉積處理中支撐承載盤的承載盤支座。該承載盤支座包括軸桿；板材，該板材具有耦合到軸桿的第一主要表面；及支撐元件，該支撐元件從板材的第二主要表面延伸。該板材可由對輻射能量透光的材料製成，該輻射能量是來自於設置在板材底下的複數個能量源。該板材可具有厚度，該厚度小到足以將輻射傳輸損耗最小化，且大到足以在處理期間熱穩定且機械穩定地支撐承載盤。該板材的厚度範圍可為約2 mm至約20 mm。
摘要（中）：
本文所揭示的实施例一般涉及用于在沉积处理中支撑承载盘的承载盘支座。该承载盘支座包括轴杆；板材，该板材具有耦合到轴杆的第一主要表面；及支撑组件，该支撑组件从板材的第二主要表面延伸。该板材可由对辐射能量透光的材料制成，该辐射能量是来自于设置在板材底下的复数个能量源。该板材可具有厚度，该厚度小到足以将辐射传输损耗最小化，且大到足以在处理期间热稳定且机械稳定地支撑承载盘。该板材的厚度范围可为约2 mm至约20 mm。
摘要（英）：
Embodiments described herein generally relate to a susceptor support for supporting a susceptor in a deposition process. The susceptor support includes a shaft, a plate with a first major surface coupled to the shaft, and a support element extending from a second major surface of the plate. The plate may be made of a material that is optically transparent to the radiation energy from a plurality of energy sources disposed below the plate. The plate may have a thickness that is small enough to minimize radiation transmission loss and large enough to be thermally and mechanically stable to support the susceptor during processing. The thickness of the plate may range from about 2 mm to about 20 mm.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 |