专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW202030823A 晶圓交換技術审中-公开
简体标题：晶圆交换技术
公开(公告)号：TW202030823A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW109108954
申请日：2016-02-18
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：督波斯道爾R , DU BOIS, DALE R. , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 加納基拉曼卡希克 , JANAKIRAMAN, KARTHIK , 波奈康提哈利K , PONNEKANTI, HARI K. , 巴魯札桑傑夫 , BALUJA, SANJEEV , 威爾頓派瑞吉斯 , WILTON, PRAJEETH
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , B25J11/00
摘要：本發明揭露一般係關於用於在處理腔室之間傳送半導體基板的半導體處理設備。更具體言之，本發明所述實施例係關於使用輸送裝置來傳送、或交換處理腔室間的半導體基板之系統與方法，該輸送裝置採用至少兩個葉片以用於在處理腔室間同時傳送基板。
简体摘要：本发明揭露一般系关于用于在处理腔室之间发送半导体基板的半导体处理设备。更具体言之，本发明所述实施例系关于使用输送设备来发送、或交换处理腔室间的半导体基板之系统与方法，该输送设备采用至少两个叶片以用于在处理腔室间同时发送基板。

2. 发明专利

TW201735091A 具有多組四腔室的四腔室與工作台审中-公开
简体标题：具有多组四腔室的四腔室与工作台
公开(公告)号：TW201735091A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105143281
申请日：2016-12-27
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：加納基拉曼卡希克 , JANAKIRAMAN, KARTHIK , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 波奈康提哈利K , PONNEKANTI, HARI K. , 史瑞尼凡生慕庫德 , SRINIVASAN, MUKUND
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L23/552
CPC分类号： H01L21/67225 , H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01J37/32532 , H01J37/32651 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/67103 , H01L21/6719 , H01L21/67766 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/6838 , H01L21/68785 , H01L23/552
摘要：用於處理基板的方法及設備包含：界定複數個處理區域的腔室，在每一對處理區域內中央設置的加熱器，每一加熱器具有一第一主要表面及一第二主要表面，該第二主要表面相對該第一主要表面，每一第一主要表面界定一第一基板接收表面且每一第二主要表面界定一第二基板接收表面，及一噴淋頭，以對該等加熱器的每一第一基板接收表面及每一第二基板接收表面的一相對關係放置該噴淋頭。
简体摘要：用于处理基板的方法及设备包含：界定复数个处理区域的腔室，在每一对处理区域内中央设置的加热器，每一加热器具有一第一主要表面及一第二主要表面，该第二主要表面相对该第一主要表面，每一第一主要表面界定一第一基板接收表面且每一第二主要表面界定一第二基板接收表面，及一喷淋头，以对该等加热器的每一第一基板接收表面及每一第二基板接收表面的一相对关系放置该喷淋头。

3. 发明专利

TW202015163A 半導體工藝設備审中-公开
简体标题：半导体工艺设备
公开(公告)号：TW202015163A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108131668
申请日：2015-12-30
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：加納基拉曼卡希克 , JANAKIRAMAN, KARTHIK , 波奈康提哈利K , PONNEKANTI, HARI K. , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 史瑞尼凡生慕庫德 , SRINIVASAN, MUKUND
IPC分类号： H01L21/677
摘要：提供了一種用於處理基材的系統，所述系統包括第一平面電動機、基材載件、第一處理腔室以及第一升降器。第一平面電動機包括沿第一水準方向設置的第一線圈佈置、平行於第一水準方向的頂表面、第一側和第二側。基材載件具有平行於第一水準方向的基材支撐表面。第一處理腔室具有用於接收設置在基材載件上的基材的開口。第一升降器包括第二平面電動機，所述第二平面電動機具有沿第一水準方向設置的第二線圈佈置。第二平面電動機的頂表面平行於第一水準方向。第一升降器配置成用於在第一豎直位置與第二豎直位置之間移動第二平面電動機的頂表面。
简体摘要：提供了一种用于处理基材的系统，所述系统包括第一平面电动机、基材载件、第一处理腔室以及第一升降器。第一平面电动机包括沿第一水准方向设置的第一线圈布置、平行于第一水准方向的顶表面、第一侧和第二侧。基材载件具有平行于第一水准方向的基材支撑表面。第一处理腔室具有用于接收设置在基材载件上的基材的开口。第一升降器包括第二平面电动机，所述第二平面电动机具有沿第一水准方向设置的第二线圈布置。第二平面电动机的顶表面平行于第一水准方向。第一升降器配置成用于在第一竖直位置与第二竖直位置之间移动第二平面电动机的顶表面。

4. 发明专利

TW201740489A 在化學氣相沉積製程期間的動態晶圓校平、傾斜、旋轉审中-公开
简体标题：在化学气相沉积制程期间的动态晶圆校平、倾斜、旋转
公开(公告)号：TW201740489A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106113217
申请日：2017-04-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班莎阿米古莫 , BANSAL, AMIT KUMAR , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 加納基拉曼卡希克 , JANAKIRAMAN, KARTHIK , 阮段安 , NGUYEN, TUAN ANH
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/205
CPC分类号： H01L22/26 , C23C16/45565 , C23C16/45589 , C23C16/4583 , C23C16/52 , H01L21/02271 , H01L21/0262 , H01L21/28556 , H01L21/67253 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68785 , H01L22/12
摘要：本說明書所述實施例概略有關在沉積製程期間對基板支撐件及氣體分配媒介之間之製程間距的動態、即時控制。於沉積製程期間的任何時間，運用多維自由度來改變基板平面相對於氣體分配媒介的角度及間距。如此，在沉積製程期間可校平、傾斜、旋轉、搖晃及/或移動基板及/或基板支撐件，以達到改善的薄膜均勻度。此外，由於在基板平面相對於噴灑頭之校平的持續變異，可得到對各層的獨立調校，以均衡基板上的有效沉積，因而改良整體的堆疊沉積效能。
简体摘要：本说明书所述实施例概略有关在沉积制程期间对基板支撑件及气体分配媒介之间之制程间距的动态、实时控制。于沉积制程期间的任何时间，运用多维自由度来改变基板平面相对于气体分配媒介的角度及间距。如此，在沉积制程期间可校平、倾斜、旋转、摇晃及/或移动基板及/或基板支撑件，以达到改善的薄膜均匀度。此外，由于在基板平面相对于喷洒头之校平的持续变异，可得到对各层的独立调校，以均衡基板上的有效沉积，因而改良整体的堆栈沉积性能。

5. 发明专利

TWI677042B 在化學氣相沉積製程期間的動態晶圓校平、傾斜、旋轉有权
简体标题：在化学气相沉积制程期间的动态晶圆校平、倾斜、旋转
公开(公告)号：TWI677042B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW106113217
申请日：2017-04-20
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：班莎阿米古莫 , BANSAL, AMIT KUMAR , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 加納基拉曼卡希克 , JANAKIRAMAN, KARTHIK , 阮段安 , NGUYEN, TUAN ANH
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/205

6. 发明专利

TW201831818A 用於處理腔室的氣體分配設備审中-公开
简体标题：用于处理腔室的气体分配设备
公开(公告)号：TW201831818A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW107102612
申请日：2018-01-25
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：督波斯道爾R , DU BOIS, DALE R. , 祝基恩N , CHUC, KIEN N. , 加納基拉曼卡希克 , JANAKIRAMAN, KARTHIK
IPC分类号： F17D1/04 , C23C16/455
摘要：本文所說明的實施例一般而言相關於用於在基板上沈積材料的設備與方法。在一個實施例中，用於處理基板的處理腔室包含腔室主體與基板支座，基板支座設置在腔室主體中且經適配以支撐基板。處理腔室包含定位在基板支座上方的複數個氣體入口，以在基板支座上方引導處理氣體。可移動式擴散器被經由樞轉架座可樞轉地安裝為鄰接基板支座。可移動式擴散器包含沈積頭，沈積頭具有複數個入口開口與複數個排氣開口，複數個入口開口用於將處理氣體導向基板支座，複數個排氣開口用於對可移動式擴散器設置在基板支座上方的處理氣體提供排氣。
简体摘要：本文所说明的实施例一般而言相关于用于在基板上沉积材料的设备与方法。在一个实施例中，用于处理基板的处理腔室包含腔室主体与基板支座，基板支座设置在腔室主体中且经适配以支撑基板。处理腔室包含定位在基板支座上方的复数个气体入口，以在基板支座上方引导处理气体。可移动式扩散器被经由枢转架座可枢转地安装为邻接基板支座。可移动式扩散器包含沉积头，沉积头具有复数个入口开口与复数个排气开口，复数个入口开口用于将处理气体导向基板支座，复数个排气开口用于对可移动式扩散器设置在基板支座上方的处理气体提供排气。

7. 发明专利

TW201740435A 微體積沉積腔室审中-公开
简体标题：微体积沉积腔室
公开(公告)号：TW201740435A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106110409
申请日：2017-03-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：督波斯道爾R , DUBOIS, DALE R. , 加納基拉曼卡希克 , JANAKIRAMAN, KARTHIK , 祝基恩N , CHUC, KIEN N.
IPC分类号： H01L21/20 , C23C16/452 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/4409 , C23C16/45536 , C23C16/45591 , C23C16/4585
摘要：在此描述具有上蓋、基板支座及內擋環的處理腔室，該上蓋具有下表面，該基板支座具有面向該上蓋的上表面，該內擋環在該基板支座及該上蓋之間。在此描述使用該處理腔室的方法。
简体摘要：在此描述具有上盖、基板支座及内挡环的处理腔室，该上盖具有下表面，该基板支座具有面向该上盖的上表面，该内挡环在该基板支座及该上盖之间。在此描述使用该处理腔室的方法。

8. 发明专利

TW201732065A 正形及縫隙填充非晶矽薄膜的沉積审中-公开
简体标题：正形及缝隙填充非晶硅薄膜的沉积
公开(公告)号：TW201732065A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105132487
申请日：2016-10-07
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：陳一宏 , CHEN, YIHONG , 程睿 , CHENG, RUI , 曼納帕拉米特 , MANNA, PRAMIT , 陳勁文 , CHAN, KELVIN , 加納基拉曼卡希克 , JANAKIRAMAN, KARTHIK , 馬禮克亞伯希吉特巴蘇 , MALLICK, ABHIJIT BASU , 干德可塔史林尼維斯 , GANDIKOTA, SRINIVAS
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/04 , C23C16/045 , C23C16/455 , C23C16/45523 , C23C16/4584
摘要：多種用於沉積膜的方法，包括將基材表面循環式暴露至前驅物與除氣環境，以移除從膜發展的氣體。一些實施例進一步包括：併入毒化特徵的頂部，以抑制特徵的頂部處的膜生長。一些實施例進一步包括：在多個循環之間蝕刻在特徵的頂部沉積的該膜的一部分，以增加縫隙填充均勻度。
简体摘要：多种用于沉积膜的方法，包括将基材表面循环式暴露至前驱物与除气环境，以移除从膜发展的气体。一些实施例进一步包括：并入毒化特征的顶部，以抑制特征的顶部处的膜生长。一些实施例进一步包括：在多个循环之间蚀刻在特征的顶部沉积的该膜的一部分，以增加缝隙填充均匀度。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式