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1. 发明专利

TW201001527A 自基材移除聚合物的方法與設備 METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING POLYMER FROM A SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：自基材移除聚合物的方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING POLYMER FROM A SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201001527A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098106595
申请日：2009-02-27
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：柯林斯肯尼士S , 薩理納斯馬丁 , 莫利華特 , 元洁 , 恩蓋葉安德魯 , 拉馬斯瓦米卡提克 , 孫語南 , 段仁官 , 賀小明 , 馮南茜 , 瑞英 , 尤瑟夫以馬德 , 霍夫曼丹尼爾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02087 , H01J37/32357 , H01J37/32366 , H01L21/0209
摘要：提供自基材移除聚合物的方法與設備。一實施例中，用來自基材移除聚合物之設備包括處理室，具有界定製程空間之室壁與室蓋；基材支撐組件，置於處理室中；及遠端電漿源，透過形成於室壁中之出口埠耦接至處理室，出口埠具有指向置於基材支撐組件上之基材的周邊區域之開口，其中遠端電漿源係由抗氫物種材料所構成。
简体摘要：提供自基材移除聚合物的方法与设备。一实施例中，用来自基材移除聚合物之设备包括处理室，具有界定制程空间之室壁与室盖；基材支撑组件，置于处理室中；及远程等离子源，透过形成于室壁中之出口端口耦接至处理室，出口端口具有指向置于基材支撑组件上之基材的周边区域之开口，其中远程等离子源系由抗氢物种材料所构成。

2. 发明专利

TW200943411A 用於自晶圓背側及邊緣移除聚合物的方法及設備 METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING POLYMER FROM THE WAFER BACKSIDE AND EDGE 审中-公开
简体标题：用于自晶圆背侧及边缘移除聚合物的方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING POLYMER FROM THE WAFER BACKSIDE AND EDGE
公开(公告)号：TW200943411A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW097147714
申请日：2008-12-08
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：尤瑟夫以馬德 , 喜納安克 , 芭拉克利斯納阿傑 , 馮南茜 , 瑞英 , 紗麗訥絲馬丁傑夫瑞 , 莫利華特R , 羅夫沙西德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01L21/02087 , H01L21/0209
摘要：使用穿過反應器側壁且具有與晶圓邊緣相匹配之曲率的拱形側邊氣體注入噴嘴，並且為噴嘴提供來自遠端電漿源的電漿副產物，以從固持於反應器內支撐台座上的晶圓之背側移除掉聚合物。
简体摘要：使用穿过反应器侧壁且具有与晶圆边缘相匹配之曲率的拱形侧边气体注入喷嘴，并且为喷嘴提供来自远程等离子源的等离子副产物，以从固持于反应器内支撑台座上的晶圆之背侧移除掉聚合物。

3. 发明专利

TWI318422B 用於電漿增強型化學氣相沉積應用之加熱氣體盒 HEATED GAS BOX FOR PECVD APPLICATIONS 有权
简体标题：用于等离子增强型化学气相沉积应用之加热气体盒 HEATED GAS BOX FOR PECVD APPLICATIONS
公开(公告)号：TWI318422B
公开(公告)日：2009-12-11
申请号：TW094126404
申请日：2005-08-03
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：珊索弗 , 舒穆露恩英納 , 諾瓦克湯瑪斯 , 馮南茜 , 赫伯布萊恩 , 卡夙巴安德傑 , 裘可艾勒
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67103
摘要：本發明提供一種用於製程區中一基材上化學氣相沉積之處理室的方法及設備，其中該處理室包括氣體盒，其具有一經加熱蓋體(具有氣體入口通道)以及一連接至該經加熱蓋體之面板，該經加熱蓋體系定位以將氣體由加熱器體盒導至基材製程區。同樣的，本發明也提供用於供應熱至化學氣相沉積處理室的方法，其包含將熱供應至氣體盒之蓋體，並藉由自該蓋體傳熱的方式加熱連接該氣體盒之面板。 A method and apparatus for a chamber for chemical vapor deposition on a substrate in a processing region comprising a gas box having a heated lid comprising a gas inlet passage, and a face plate connected to the heated lid positioned to conduct gas from the heated gas box to a substrate processing region. Also, a method for providing heat to a chemical vapor deposition chamber comprising supplying heat to a lid of a gas box, and heating a face plate connected to the gas box by heat transfer from the lid. 【創作特點】本發明大致提供一種用於製程區中之一基材上作化學氣相沉積的處理室，其至少包含一加熱氣體盒及一面板，其中該氣體盒具有一氣體入口通道，而面板設置以自該加熱氣體盒將氣體導至一基材製程區。本發明也提供一種供應熱至化學氣相沉積處理室的方法，其至少包含：將熱供應至基材支撐件及至具有氣體入口通道的氣體盒。若不加熱面板而加熱氣體盒可減少氣體盒內的沉積物，降低處理室清潔時間。本發明可減少沉積速率與溫度成反比之CVD製程(如沉積掺碳矽氧化物、掺氧矽碳化物、矽氧化物、經掺雜之非晶質碳以及矽氮化物的沉積)的清潔時間。
简体摘要：本发明提供一种用于制程区中一基材上化学气相沉积之处理室的方法及设备，其中该处理室包括气体盒，其具有一经加热盖体(具有气体入口信道)以及一连接至该经加热盖体之皮肤，该经加热盖体系定位以将气体由加热器体盒导至基材制程区。同样的，本发明也提供用于供应热至化学气相沉积处理室的方法，其包含将热供应至气体盒之盖体，并借由自该盖体传热的方式加热连接该气体盒之皮肤。 A method and apparatus for a chamber for chemical vapor deposition on a substrate in a processing region comprising a gas box having a heated lid comprising a gas inlet passage, and a face plate connected to the heated lid positioned to conduct gas from the heated gas box to a substrate processing region. Also, a method for providing heat to a chemical vapor deposition chamber comprising supplying heat to a lid of a gas box, and heating a face plate connected to the gas box by heat transfer from the lid. 【创作特点】本发明大致提供一种用于制程区中之一基材上作化学气相沉积的处理室，其至少包含一加热气体盒及一皮肤，其中该气体盒具有一气体入口信道，而皮肤设置以自该加热气体盒将气体导至一基材制程区。本发明也提供一种供应热至化学气相沉积处理室的方法，其至少包含：将热供应至基材支撑件及至具有气体入口信道的气体盒。若不加热皮肤而加热气体盒可减少气体盒内的沉积物，降低处理室清洁时间。本发明可减少沉积速率与温度成反比之CVD制程(如沉积掺碳硅氧化物、掺氧硅碳化物、硅氧化物、经掺杂之非晶质碳以及硅氮化物的沉积)的清洁时间。

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