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1. 发明专利

TW201810655A 磊晶基板审中-公开
公开(公告)号：TW201810655A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106115076
申请日：2017-05-08
申请人：愛德萬測試股份有限公司 , ADVANTEST CORPORATION
发明人：佐藤拓 , SATO, TAKU
IPC分类号： H01L29/205 , H01L29/10 , H01L29/20 , H01L29/778
CPC分类号： H01L29/205 , H01L29/1079 , H01L29/2003 , H01L29/7787
摘要：本發明提供一種適合於N面GaN系半導體裝置的製造的磊晶基板。GaN磊晶基板200具備成長用基板202、形成於成長用基板202上的緩衝層204、形成於緩衝層204上的n型導電層206、形成於n型導電層206上的第一GaN層208、形成於第一GaN層上的電子供給層210、以及形成於電子供給層210上的第二GaN層212，且沿Ga極性方向積層。
简体摘要：本发明提供一种适合于N面GaN系半导体设备的制造的磊晶基板。GaN磊晶基板200具备成长用基板202、形成于成长用基板202上的缓冲层204、形成于缓冲层204上的n型导电层206、形成于n型导电层206上的第一GaN层208、形成于第一GaN层上的电子供给层210、以及形成于电子供给层210上的第二GaN层212，且沿Ga极性方向积层。

2. 发明专利

TW201834251A 化合物半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：化合物半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201834251A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106131940
申请日：2017-09-18
申请人：日商愛德萬測試股份有限公司 , ADVANTEST CORPORATION
发明人：岡安潤一 , OKAYASU, JUN'ICHI , 佐藤拓 , SATO, TAKU
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/338 , H03K17/693
摘要：本發明於化合物半導體裝置中抑制電晶體的閘極臨限電壓VGS（th）的變動。化合物半導體裝置(100)具備形成於GaN磊晶層(114)上的第一電晶體(102)。第一電晶體(102)具有閘極電極(120)、源極電極(122)及汲極電極(124)以及覆蓋該些電極的保護膜(130)。第一電晶體(102)的閘極電極(120)的端部並未懸突至保護膜(130)中，於形成第一電晶體(102)的閘極電極(120)的區域中，GaN磊晶層(114)內的氟的濃度實質上為零。
简体摘要：本发明于化合物半导体设备中抑制晶体管的闸极临限电压VGS（th）的变动。化合物半导体设备(100)具备形成于GaN磊晶层(114)上的第一晶体管(102)。第一晶体管(102)具有闸极电极(120)、源极电极(122)及汲极电极(124)以及覆盖该些电极的保护膜(130)。第一晶体管(102)的闸极电极(120)的端部并未悬突至保护膜(130)中，于形成第一晶体管(102)的闸极电极(120)的区域中，GaN磊晶层(114)内的氟的浓度实质上为零。

3. 发明专利

TW201810377A 化合物半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：化合物半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201810377A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106115072
申请日：2017-05-08
申请人：愛德萬測試股份有限公司 , ADVANTEST CORPORATION
发明人：佐藤拓 , SATO, TAKU
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/0254 , H01L21/187 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L29/0843 , H01L29/2003 , H01L29/7781
摘要：本發明提供一種於N面形成電晶體元件的N面GaN系半導體裝置。支撐基板300與在成長用基板202上沿Ga極性方向至少積層電子渡越層、電子供給層而成的GaN磊晶基板200的Ga面214相向接合。將GaN磊晶基板200的至少成長用基板202去除，使GaN磊晶基板200的N面216露出。而且於N面216側形成半導體元件306。
简体摘要：本发明提供一种于N面形成晶体管组件的N面GaN系半导体设备。支撑基板300与在成长用基板202上沿Ga极性方向至少积层电子渡越层、电子供给层而成的GaN磊晶基板200的Ga面214相向接合。将GaN磊晶基板200的至少成长用基板202去除，使GaN磊晶基板200的N面216露出。而且于N面216侧形成半导体组件306。

4. 发明专利

TW201643968A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201643968A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105112017
申请日：2016-04-18
申请人：愛德萬測試股份有限公司 , ADVANTEST CORPORATION
发明人：佐藤拓 , SATO, TAKU , 瓜生和也 , URYU, KAZUYA , 庄司一之 , SHOUJI, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/095 , H01L27/098 , H01L29/0843 , H01L29/1029 , H01L29/1066 , H01L29/42316 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
摘要：本發明的半導體裝置包含：半導體層；源極電極，設於前述半導體層；汲極電極，設於前述半導體層，並與前述源極電極分離配置；第1閘極電極，設於前述源極電極與前述汲極電極之間；及第2閘極電極，設於前述源極電極與前述汲極電極之間，且至少一部分比前述第1閘極電極更靠近前述汲極電極。前述半導體層具有：第1對向部分，是面對前述第1閘極電極的部分；及第2對向部分，是面對前述第2閘極電極的部分。當前述源極電極與前述第1閘極電極間的電位差，也就是第1閘極電壓為0V以下時，前述第1對向部分不導通。當前述第1對向部分及前述第2對向部分之間的部分與前述第2閘極電極間的電位差，也就是第2閘極電壓為0V以下時，前述第2對向部分不導通。前述第1對向部分剛開始導通時的前述第1閘極電壓比前述第2對向部分剛開始導通時的前述第2閘極電壓大。
简体摘要：本发明的半导体设备包含：半导体层；源极电极，设于前述半导体层；汲极电极，设于前述半导体层，并与前述源极电极分离配置；第1闸极电极，设于前述源极电极与前述汲极电极之间；及第2闸极电极，设于前述源极电极与前述汲极电极之间，且至少一部分比前述第1闸极电极更靠近前述汲极电极。前述半导体层具有：第1对向部分，是面对前述第1闸极电极的部分；及第2对向部分，是面对前述第2闸极电极的部分。当前述源极电极与前述第1闸极电极间的电位差，也就是第1闸极电压为0V以下时，前述第1对向部分不导通。当前述第1对向部分及前述第2对向部分之间的部分与前述第2闸极电极间的电位差，也就是第2闸极电压为0V以下时，前述第2对向部分不导通。前述第1对向部分刚开始导通时的前述第1闸极电压比前述第2对向部分刚开始导通时的前述第2闸极电压大。

5. 发明专利

TWI416704B 半導體裝置、半導體裝置的製造方法以及切換電路有权
简体标题：半导体设备、半导体设备的制造方法以及切换电路
公开(公告)号：TWI416704B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW098142932
申请日：2009-12-15
申请人：愛德萬測試股份有限公司 , ADVANTEST CORPORATION
发明人：中西慎 , NAKANISHI, MAKOTO , 山之內智雄 , YAMANOUCHI, TOMOO , 岡安潤一 , OKAYASU, JUNICHI , 佐藤拓 , SATO, TAKU , 寺澤大樹 , TERASAWA, DAIJU , 瀧川正彥 , TAKIKAWA, MASAHIKO
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/778
CPC分类号： H01L29/0696 , H01L29/2003 , H01L29/42376 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

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